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电子发烧友网>电源/新能源>GaN功率晶体管的动态导通电阻测量技术的挑战和方法

GaN功率晶体管的动态导通电阻测量技术的挑战和方法

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`  (1)不同耐压的MOS通电阻分布。不同耐压的MOS,其通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS,其外延层电阻仅为总通电阻的29%,耐压600V的MOS的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12

用于大功率和频率应用的舍入 GaN晶体管

。在这次活动中,剑桥 GaN 器件公司宣布了其集成电路增强氮化镓(ICeGaN)技术,以修改 GaN功率晶体管的栅极行为。这种新技术基于增强型 GaN 高电子迁移率晶体管,具有超低比通电阻和非常低
2022-06-15 11:43:25

电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响

设计工程师可以考虑的选项之一。应用晶体管并联技术在最大限度提升变换器输出功率的同时,也带来了电路设计层面的挑战。  并联晶体管的设计挑战  在应用晶体管并联技术时,首先需要考虑的是并联晶体管的通态电阻
2021-01-19 16:48:15

直接驱动GaN晶体管的优点

受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

碳化硅SiC MOSFET:低通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低通电阻
2023-04-11 15:29:18

绝缘门/双极性晶体管介绍与特性

“ OFF”,从而允许它用于各种开关应用。它也可以驱动在其线性有源区用于功率放大器。由于其较低的通电阻和传导损耗,以及在高频段切换高电压而不损坏的能力,使得绝缘栅双极性晶体管成为驱动感性负载的理想选择,如
2022-04-29 10:55:25

罗姆在功率元器件领域的探索与发展

,重要的特性——低通电阻、栅极电荷量与耐压在本质上存在权衡取舍的关系。在功率元器件中有成为单元的晶体管,将多个单元晶体管并联可获得低通电阻。但这种做法需要同时并联寄生于晶体管的电容,导致栅极电荷量
2019-07-08 06:09:02

英飞凌700瓦L波段射频功率晶体管

进一步减少所需的组件。  凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管技术,PTVA127002EV展现出了极高的能效:利用300微秒10%占空比脉冲进行测量,在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26

资深工程师谈晶体管使用心得:用晶体管来实现功率负载的控制

,其实是晶体管的基极和发射极之间的通电压维持在0.6V左右。Q3的通真的消除了Q2的基极激励了吗?好像并没有,对不对?!这个“过流”保护电路的关键就是晶体管的基极和发射极之间的通电压,为了简单分析
2016-06-03 18:29:59

这种高密度工艺特别适合于 最小化通电阻

`AP15N10 N沟道100V(D-S)MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56

选择合适的场效应晶体管,知道这六大诀窍就不用发愁了

(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对场效应晶体管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会
2019-04-02 11:32:36

防止开关晶体管损坏的措施

,充电电压接近VCC。当晶体管通时,C再经过电阻R放电。通过RCD阻尼电路吸收了一定的功率,从而减轻了开关的负担。充放电型RCD吸收电路损耗较大,不太适合较高频率场合下的应用。  4、放电阻塞型RCD
2020-11-26 17:26:39

降低高压MOSFET通电阻的原理与方法

MOSFET主要是N沟道增强型。  功率MOSFET的结构  功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos相同
2023-02-27 11:52:38

非线性模型如何帮助进行GaN PA设计?

未转换为射频输出功率的直流加载电源将作为热量耗散(除非晶体管的效率为100%)。· 因此,GaN 晶体管变得非常热,热管理成为重要的设计考虑因素。幸运的是,碳化硅基氮化镓(GaN on SiC) 能够
2018-08-04 14:55:07

飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

日前,射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓(GaN晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:371842

准确测量氮化镓(GaN晶体管的皮秒量级上升时间

当测定氮化镓(GaN晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法
2017-04-18 12:34:042857

GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管

GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682

深度解析GaN功率晶体管技术及可靠性

GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11425

DC/DC转换器功率降额规范中的挑战和替代方法

DC/DC转换器功率降额规范中的挑战和替代方法
2023-11-23 09:08:06209

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