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电子发烧友网>电源/新能源>东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R

东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R

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2023-09-05 11:08:191756

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:322086

PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册

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2023-09-27 09:32:500

Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET

​Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET,适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:221294

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET适用于电池组保护

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护
2023-11-09 17:39:101320

东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品

东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前沿的L-TOGL™封装技术。这两款新品不仅集成了东芝最新一代的U-MOS X-H工艺,使得导通电阻达到极低水平,极大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114

TPD6E001静电放电(ESD)保护二极管阵列数据表

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2024-06-28 10:57:380

TPD2E1B06通道高速静电放电(ESD)保护器件数据表

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2024-07-03 10:43:410

静电保护对UWB模块的必要性

UWB650模块作为思为无线推出的一款高性能UWB定位测距模块,在设计时考虑了静电保护的重要性。该模块集成了ESD保护器件,能够在静电放电发生时提供即时保护保护器件能够迅速将静电能量导入地线,防止其对电路造成影响。
2024-09-19 16:33:031076

物联网中常见的静电保护电路设计方案_ESD静电保护

物联网系统中使用ESD(Electro-Static Discharge,静电放电静电保护管的原因主要基于以下几个方面。
2024-09-29 14:15:051804

纳芯微推出全新CSP封装MOSFET产品

近日,纳芯微正式推出了CSP封装12V共漏极N沟道MOSFET——NPM12023A系列产品。这款新品以其优异的短路过流能力与雪崩过压能力,以及更强的机械压力耐受能力,为便携式锂电设备的充放电提供了全面的保护
2024-10-17 15:59:211391

ESD器件与静电放电的关系

ESD(静电放电)器件与静电放电之间存在密切的关系。ESD器件的设计和应用主要是为了应对静电放电对电子设备和电路可能造成的损害。 静电放电(ESD) 静电放电是指静电荷在不同物体之间或物体表面之间
2024-11-14 11:23:281344

ESD静电静电放电的区别与联系

在现代电子工业中,静电放电(ESD)是一个不可忽视的问题。它不仅关系到电子产品的可靠性和安全性,还直接影响到生产效率和成本。 一、ESD静电静电放电的定义 ESD静电是指物体表面或内部由于电荷积累
2024-11-20 09:45:431979

SSM6N44FE:高效低损耗MOSFET的理想选择

在现代电子设备中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的核心元件之一。随着电子产品对功耗和效率要求的不断提升,选择合适的MOSFET变得尤为重要。东芝SSM6N44FE就是一款
2024-11-25 11:13:441135

CAN静电放电防护方案

为了使汽车在复杂环境中稳定运行,CAN总线接口必须配备极为高效静电放电(ESD)防护机制,不仅需要防止系统遭受高压瞬态冲击的损害,还要最大限度地降低电容影响,确保信号传输的畅通无阻与高效
2025-01-17 17:31:491393

PSMN2R6-100SSF N沟道MOSFET规格书

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2025-02-18 15:41:520

USB2.0接口静电保护

概述对于USB2.0接口的静电保护(ESDProtection)方案,目标是防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)、浪涌等干扰信号对USB数据线和电源线的损坏,确保接口的可靠性和系统稳定性
2025-06-08 15:20:31813

‌STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技术的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术,利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。
2025-10-23 15:08:58415

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