中国上海，2022年6月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品
2022-06-07 13:49:20
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:081422 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，其作为小型化尖端光继电器领域的业界领先企业，现推出了光继电器新家族（共五款），均采用业界最小型［1］封装S-VSONR4（2.0mm×1.45mm）。新产品适用于自动测试设备、存储测试器、SoC／LSI测试器和探针卡等。即日开始供货。
2019-06-11 18:11:44734 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V
2020-12-26 10:31:421900 东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。
2021-11-30 15:24:191319 
---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上
2023-02-06 10:01:471034 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57664 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
是选择小于1的电荷比QGD/QGS1。防止C dv/dt感应导通的其他因素包括低驱动漏极阻抗(同步MOSFET Q2的导通电阻RDS(on) 及其封装，在抑制C dv/dt导通方面具备同等的重要性
2019-05-13 14:11:31
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗？为什么？
2015-10-25 20:56:23
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
中国上海，2023年2月28日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS
2023-02-28 14:11:51
了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并
2018-12-04 10:23:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45:33
中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
用的电路板可以更加小型化，而且线路安装设计也有了更大的灵活性。另外，由于采用了新开发的低导通电阻芯片，在使封装小型化的同时实现了与现有SOP8 Dual产品同样低的导通电阻。ROHM将要逐步大量生产封装
2018-08-24 16:56:26
从半导体封装到通信接口、电池和显示技术，无不受到便携式和小型化医疗电子设备需求的影响。芯片级封装、裸片和挠性/折叠印刷电路板已经极大地缩小了电子设备占用的总系统空间。将其同一些新的粘接和焊接流程技术
2019-05-17 07:00:02
的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、导通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗，基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗（图 2）。这种效率改进为
2023-02-22 16:34:53
超薄片式厚膜电阻器具有许多碳电阻器特性;它们可以做得很小，而且大批量的成本非常低。同时厚膜电阻器具有高达10TW（太欧姆）的高电阻值、非常高的温度性能和高电压能力，并且本质上是无感的。它们适用于医疗
2024-03-15 07:17:56
描述该设计适用于小型蜂窝基站开发平台。其提供两条实际的接收路径、两条复杂的传输路径和一条共享的实际反馈路径。该设计具有小型蜂窝基站的尺寸，却具有大型基站的性能。当前设计可处理高达 20MHz 的带宽
2018-12-12 14:00:18
保护等，在复杂的应用条件下，保证电源的稳定性和可靠性。8335采用TSOT23-8小型无铅封装，外围电路简单，非常适用于PCB空间局限的产品。 特性：1、足3A持续负载能力2、6.5V-36V宽输入
2019-07-09 08:59:57
适用于需要省空间且低噪特性的无线通信设备和PCIe板等。随着设备高功能化，使电源部分小型化能有助于有效使用基板的空间。本产品已在WAKURA村田制作所开始量产，也可应对客户的样品要求。特点小型：产品及包括
2019-03-03 17:52:03
Ω的器件。这器件与NTNS3A91PZ相反相成，后者是一款20V、单P沟道器件，VGS为±4.5V时RDS(on)为1.3Ω。 这两款新MOSFET由于具有低导通阻抗、低阈值电压及1.5V门极
2012-12-07 15:52:50
传统的PIFA天线虽然将尺寸减小了一半，但相对快速小型化的移动通信产品而言还是尺寸过大。本文根据传统印制倒F型天线的工作原理，设计了一种折叠PIFA天线，尺寸只有16 mm×4.5 mm，设计简单、制造成本低、工作效率高，适用于蓝牙系统。
2023-09-25 08:25:33
/5732.2017_2D00_06_2D00_06_5F00_180313.png]图2：在大多数电动工具中，电子设备位于手柄中传统意义上讲，适用于驱动大功率电机的FET其封装又大又重，如TO-220、DPAK和D2PAK。TI的小型无引线封装（SON）5mm
2018-06-27 09:58:14
ASEMI 快恢复二极管MURF2040CT适用于多大频率的电器？
2017-04-25 13:10:52
` ECEC在原有贴片石英晶振生产工艺的基础上推出了超小型化，超薄型贴片封装的石英晶体谐振器，sx-3225，详细尺寸为：3.2*2.5*0.7mm typ，频率范围从
2011-07-14 14:38:34
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到
2018-12-05 10:00:15
不会影响其他参数的性能。例如，采用 LFPAK88铜夹片封装的 Nexperia PSMNR90-50SLH 在 10 V 栅源电压下具有 0.9 mΩ的最大导通电阻。且最大漏极电流额定值可达 410
2022-10-28 16:18:03
大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 具有四个交替层（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金属氧化物半导体
2020-07-07 08:40:25
选。这些产品包括用于电信设备和服务器的高效交流/直流开关电源和直流/直流转换器、D类放大器和电机控制驱动装置等。器件概念1998年，采用600 V CoolMOS™技术的商用化产品被推出，适用于功率
2018-12-07 10:21:41
通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化， 还有助于减少器件选型
2021-07-14 15:17:34
两方面的损耗少与效率改善密切相关。另外，损耗少的话，发热就会少，因此也与可使用的IC封装种类和尺寸等息息相关。－ 这涉及到第二个课题小型化对吧。进一步讲，一般MOSFET的导通电阻很大程度地依赖于元件
2019-04-29 01:41:22
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57:36
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
前 言 功率开关器件（如MOSFET， IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导
2023-02-27 16:14:19
Taiyo Yuden (U.S.A.)公司推出NR3012系列小型线绕功率电感，适用于电池供电便携式设备电源电路应用。 该电感高度为1.2mm，包括65种不同的型号，尺寸包括3×3mm和4
2018-11-19 17:13:23
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
与其他电子设备一样，近年来对电机智能化、小型化、高效化的需求日益高涨。这是因为全球近50%的电力需求均使用电机驱动，满足这些需求已成为当务之急。BD9227F根据MCU生成的PWM信号来线性控制输出
2018-12-04 10:18:22
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。这几款单通道高侧开关IC采用N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻（典型值63mΩ，VIN=5V），输入电压范围2.7V~5.5V，非常适用于通用串行总线（USB
2019-04-10 06:20:03
非常先进的技术能力才能实现。此外，内置MOSFET的导通电阻很低，仅为150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的转换方式是被称为“二极管整流”或“异步整流”的降压方式。高边MOSFET为内置
2018-12-04 10:10:43
推出了适用于大容量锂电池的快充芯片hl7026。该系列芯片可实现5v 3a的快速充电，能够满足用户对大容量锂电池上实现快速高效的充电需求。HL7026是5V输入全集成的开关模式充电器，芯片内置了电压
2020-08-19 15:44:42
分享几个选择小型化光纤连接器的诀窍
2021-05-21 06:58:03
的封装。如图2所示，低边 MOSFET的导通电阻比高边 MOSFET的低，这会导致焊盘区的大小不一致。事实上，低边MOSFET的导通电阻是器件的关键特性。即使封装尺寸变小了，还是有可能在最高4.5V电压
2013-12-23 11:55:35
包括最大额定值表、电气特性表，性能曲线和封装等信息，后面将更详细地解说。数据表的第一页用于提供MOSFET概览，包括关键特性和目标应用。首页还包含最大额定值表、热特性、器件符号、引脚连接和导通电阻规格
2018-10-18 09:13:03
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，导通电阻更小。常用的沟槽有U型
2016-10-10 10:58:30
如何在现实中实现可穿戴设备的小型化呢？芯片级尺寸封装有什么好处？芯片级尺寸的MCU如何适应可穿戴设计中的尺寸限制？
2021-04-19 11:21:42
为持续应对便携式产品业对分立元件封装的进一步小型化的需求，安森美半导体（ON SEMICONDUCTOR）推出封装仅为1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三种新型肖特基
2008-06-12 10:01:54
，如那些用于在移动设备中采用2.5 V或1.8 V低电压工作的负载开关及接口的小信号MOSFET,必须追寻其它技术来减小封装尺寸和每个裸片尺寸的导通电阻。事实上，每个裸片尺寸的导通电阻是主导用于负载
2018-09-29 16:50:56
发热量。这可使冷却器进一步简化。例如，可实现散热器的小型化、以自然空冷代替水冷和强制空冷。这些都有利于系统整体的小型化和降低成本。高速开关使工作频率可以更高，有利于电感器和电容器等外围元器件的小型化。这与正常
2018-12-04 10:14:32
FDC6324L是一款集成负载开关 是使用ON生产的半导体专有的高单元密度DMOS技术。这种非常高密度的工艺特别适合于将导通电阻降至最低，并提供优越的开关性能 这些设备特别适用于需要低导通损耗和简单
2021-11-27 12:14:08
NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下，通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻，从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达 80V 的输入电压下支持 2.0
2018-11-29 17:13:53
多芯片驱动器加FET技术是如何解决小型化DC/DC应用设计问题的？
2021-04-21 06:50:18
效应和电压振铃的Q2封装。同步MOSFET Q2的导通电阻RDS(on) 及其封装，在抑制C dv/dt导通方面具备同等的重要性。实际上，近几年来，MOSFET供应商对各种封装进行了大幅改进，使通态电阻变得
2011-08-18 14:08:45
12V电源浪涌的要求是什么？求一个12V电源口的浪涌保护雷卯电子推出小型化的方案
2022-01-14 07:35:40
求一个适用于高频开关电路的mosfet，极间电容要小一点，越小越好
2019-08-19 13:47:23
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
是TrenchFET（如图1所示）。图1 MOSFET结构比较 TrenchFET技术的广泛使用是由于它替代平面技术的特定管芯尺寸下具有极低的导通电阻,唯一的不足就是寄生电容通常会有所增加。面积比较大的沟道墙
2012-12-06 14:32:55
近年来各种电子产品向小型化和微型化发展，并以大爆炸的形式进入人们的生活。其中供电电源的体积及重量占了整个产品的一大部分，电源变压器、电源控制IC、MOS管、整流二极管、电解电容及瓷片电容等元器件
2018-10-10 16:49:11
小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒二极管嵌入MOSFET，使体二极管失活的器件结构，但发现用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
(Typ.)500mA-40℃～85℃应用示例该产品效率高、体积小，适用于可穿戴式设备、移动设备、电池驱动的IoT设备（传感器节点等）、小型工业设备（报警器、警报设备、电子货架标签等）。同样也适用于能量收集
2018-12-05 10:03:29
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-08 09:35:56
以检查性能图，并尝试确定哪些零件更能承受低V GS。最大值最好通过选择具有适当阈值特性和低导通电阻的MOSFET来尝试优化性能，但是确保不要破坏或严重削弱该器件也很重要，这就是“极限”所在玩。最大漏极
2019-10-25 09:40:30
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
*3.2*1.0。不管是多么超薄的手机，都可以使用。这款一体成型电感不仅仅适用于手机，如今的摄像设备更是向小型化发展，一体成型电感更是适用于这些设备中。谷景电子专注于设计、研发、销售高品质贴片绕线电感，工字电感，环型电感以及相关安规器件电感，并提供完善的技术服务与专业的解决方案。`
2020-06-19 11:26:30
防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。 功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加
2023-02-27 11:52:38
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的，最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、
2010-01-26 16:25:041154 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 TE Connectivity （TE）公司宣布推出了适用于各种移动和其它小封装设备的3.5毫米压接式A/V接口。
2011-06-07 08:40:40540 东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:30963 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 东京—东芝公司今天宣布推出“TC78H610FNG”。“TC78H610FNG”是东芝公司H桥［1］驱动器芯片（IC）系列的最新产品，适用于低电压有刷直流电机，如用于电池驱动设备、相机设备和家用电气设备的电机，量产出货即日启动。
2014-08-08 13:34:061396 关键词：MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻
2018-10-13 11:03:01308 东芝公司（Toshiba）推出一款适用于移动设备的小型1.0 x 1.0mm无引线式封装单闸逻辑集成电路（IC）。新产品TC7SZ32MX将于即日起出货。除现有的小型1.0 x 1.0mm引线
2018-11-13 11:53:38756 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:403728 特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了2种MOSFET新产品--XP22x系列（20V耐压） 此次发售的产品是具有低导通电阻和高速开关
2020-09-03 10:28:201711 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 ”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，
2023-02-04 18:31:452676 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
” 。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路 [1] 等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
本公司将硬盘驱动器主轴电机研发过程中积累下来的FDB（液压轴承）技术应用于风扇电机，致力于研发更加小型化、超薄化的风扇电机。
2022-10-05 13:29:07781 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32732 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22320 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10460
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