电子发烧友App
快速、150V、高压侧NMOS静态开关驱动器LTC®7001
- 驱动器(153947)
- 静态开关(9911)
相关推荐
热点推荐
凌力尔特推出具备150V 输入能出电流的同步降压型转换器LTC3639
凌力尔特公司推出具备 150V 输入能力并可提供高达 100mA 连续输出电流的同步降压型转换器 LTC3639。该器件可在 4.5V 至 150V的输入电压下工作，因此无需外部瞬态电压抑制器。
2013-05-14 11:34:28
1884
1884技术资料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET，集成驱动器、保护和零电压检测
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 09:55:24940
940
技术资料#LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告的汽车类650V 30mΩ GaN FET
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装
2025-02-24 13:47:551041
1041
技术资料#LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET
该LMG3425R050集成了硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬
2025-02-25 13:38:011018
1018
4.5至18V低侧MOSFET驱动器评估板MIC4414YFT EV
MIC4414YFT EV，MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器，设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
150V降压 电流400mA 非隔离式恒压芯片
方案：电动车仪表盘、控制器专用芯片，替代PN6005描述SL3150是一款降压调节器，它提供精确的恒定电压（CV）无光耦合器调节。它有一个集成150V MOSFET以简化结构和降低成本。这些特征使其
2022-06-17 10:22:35
LTC1981的典型应用之采用SOT-23封装的单和双微功率高侧开关控制器
LTC1981的典型应用 - 采用SOT-23封装的单和双微功率高侧开关控制器。 LTC 1981 / LTC1982是低功耗，独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压Tripler允许在不使用任何
2020-06-10 13:52:06
DC1460A，是一款高效降压转换器，内置高压侧和同步功率开关，仅消耗18JA的静态电流
DC1460A，演示电路采用LTC3620EDC，是一款高效降压转换器，内置高压侧和同步功率开关，仅消耗18JA的静态电流。其输入电压范围介于2.9V和5.5V之间
2019-08-14 07:32:39
H6266C 150V高压3A电流 降压恒压芯片 48V60V80V100V120V降12V5V3.3V 低功耗低纹波高性能
海半导体针对控制板供电、车载仪表供电及BMS供电等应用场景，推出更优的高耐压大功率低功耗驱动解决方案：H6266C。
H6266C是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达130V的高压降压开关控制器
2025-08-26 09:49:22
Linear高压降压型开关电容器转换器LTC3255
导读：日前，凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出通用的高压降压型开关电容器转换器LTC3255该器件提供高达50mA的输出电流。 LTC3255从范围
2018-09-26 15:43:26
MCU模块供电IC惠海H6203 150V/3A 宽电压
保护。 H6203内置MOS大可以驱动3A输出，是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC 控制器，高输入电压可过150V。特点：电流可达3A宽电压输入5-120V内置150V/3A MOS管智能过温
2020-04-20 14:19:01
SL3150HB 150V/0.8A 开关降压转换器：5V 固定输出 + 低耗多重保护，电动设备 / 备用电源核心方案
、保护机制薄弱、待机功耗高、启动冲击大等痛点，难以满足设备 “宽适配、长续航、抗复杂工况” 的核心需求。森利威尔推出的 SL3150HB 开关降压型转换器，凭借 150V 超宽输入、0.8A 稳定输出
2025-12-10 17:27:14
SL3150H：高性能150V/0.6A开关降压型转换器解析与应用指南
场景，是工程师开发高效电源解决方案的优选器件功能描述 SL3150H 是一款用于开关电源的内置 150V 高压 MOSFET 的 DC-DC 控制器。内置高压启动和自供电功能，可满足快速启动和低待机功耗
2025-08-08 11:47:37
SL3160 高耐压150V内置MOS管 降压5V输出 适应高耐压低电流方案
SL3160
150V/0.8A 开关降压型转换器
概述
SL3160 是一款用于开关电源的内置150V 高压MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 内置高压启动和自供电功能，可满足
2023-09-18 14:44:25
SL3160A DCDC高耐压150V降压芯片 固定5V输出 2.5A电流开关电源芯片
10V至150V的超宽工作电压范围，内置150V高压MOSFET，无需外部驱动器即可直接驱动，简化了外围电路设计。其高压启动和自供电功能确保了在宽电压输入下的快速启动和低待机功耗。
高效能，低功耗
2025-12-08 16:21:25
SL3160A高耐压150V降压芯片 固定5V输出 2.5A电流开关电源芯片
SL3160A：高性能开关降压型转换器解析与应用展望在当今电子设备高度集成的时代，高效、稳定的电源管理芯片成为各类电子产品的核心需求。SL3160A作为一款由森利威尔电子推出的150V/2.5A开关
2025-08-26 15:07:23
SL3160A：DCDC高性能宽压150V/2.5A开关降压型转换器的核心技术解析
在现代电子设备中，高效、稳定的电源管理芯片是保障系统可靠运行的核心组件之一。SL3160A作为一款内置150V高压MOSFET的开关降压型DC-DC控制器，以其宽电压输入范围、多重保护机制和低功耗
2025-08-21 15:49:46
SL3160HB 150V/1.8A 开关降压转换器：宽压低耗 + 多重保护，电动设备电源核心方案
、待机功耗高、保护机制薄弱等痛点，难以应对复杂工况需求。森利威尔推出的 SL3160HB 开关降压型转换器，凭借 150V 超宽输入、1.8A 大电流输出、内置高压 MOSFET 等硬核优势，搭配
2025-12-09 17:24:58
SL3160：150V 宽压输入 5V/1A 降压恒压芯片 电动车专用电源芯片
150V 高压 MOSFET 的 DC-DC 控制器。
SL3160 内置高压启动和自供电功能，可满足快速启动和低待机功耗要求。具有自适应降频功能，可进一步优化轻载条件下的转换效率。芯片内置软启动功能
2025-05-24 10:29:37
SL3170开关降压型转换器：150V降压12V、5V/1A高压DC-DC控制器技术解析与应用场景
引言在电源管理领域，高效、稳定的DC-DC转换器是各类电子设备的核心组件。SL3170作为一款内置150V高压MOSFET的开关降压型转换器，凭借其宽电压范围、多重保护机制及低功耗特性，成为备用
2025-08-12 15:17:55
SL3170高压DC-DC开关降压恒压芯片 150V降12V/1A
一、芯片核心特性与优势SL3170是一款专为高压场景设计的开关降压型DC-DC控制器，集成了多项创新技术，特别适用于150V高输入电压降至12V/1A输出的应用场景。其核心优势包括：
宽电压
2025-08-14 15:48:49
SL3170国产内置150V高耐压MOS管ADJ输出可调1A电流
一、产品概述
SL3170是一款高度集成的开关降压型DC-DC控制器，其核心优势在于内置150V耐压的功率MOSFET，支持10V-150V宽输入电压范围，最大输出电流达1A。该器件通过自适应降频
2025-08-07 15:40:03
SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A单通道隔离栅极驱动器
回路开关噪声至关重要。
电源适应性：驱动侧4V至30V宽电源电压，控制侧3V至18V宽输入电压，能灵活匹配不同控制器。
安全与可靠性：
3kVRMS隔离耐压（SOP8封装）。
5V输入反向耐压
2025-11-15 10:00:15
VN7000AY高压侧驱动器介绍
STMicroelectronics的VN7000AY单通道高压侧驱动器旨在驱动12V汽车接地负载。 STMicroelectronicsVN7000AY是使用ST专有VIPower®M0-7
2020-06-30 16:58:08
一文解析LMD18400四边形高压侧驱动器
功能应用程序四个独立输出，峰值>3A，1A继电器和电磁阀驱动器连续电流能力高阻抗汽车喷油器驱动器最大导通电阻为1.3Ω温度灯驱动器每个开关的真实瞬时功率限制电源切换开关电机驱动器高生存电压
2020-09-14 17:34:44
三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器LTC1163
LTC1163的典型应用 - 三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器。 LTC1163 / LTC1165三路低压MOSFET驱动器可通过低至1.8V电源的廉价低RDS（ON）N通道开关切换电源或接地参考负载
2020-04-17 10:09:17
基于SOT-23封装的单和双微功率高侧开关控制器
LTC1981的典型应用 - 采用SOT-23封装的单和双微功率高侧开关控制器。 LTC 1981 / LTC1982是低功耗，独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压Tripler允许在不使用任何
2020-06-10 09:16:41
最高150V输入的降压恒压驱动芯片OC5806L,GPS定位器模块
开关瞬间2A的电流· 静态电流低至1mA以下·轻载重载切换，输出电压稳定·固定140KHZ开关频率· 内置150V功率MOSFET·效率高达85％·出色的线性与负载调整率· 外围电路简单，PCB可微型化设计
2019-11-11 15:31:39
最高150V输入的降压恒压驱动芯片OC5806L,GPS定位器模块
关系OC5806L是欧创芯半导体发布全球首款支持最高150V输入的降压恒压驱动芯片，主要应用于车载GPS追踪器模块供电，北斗导航模块供电以及多个电池组串联供电的应用环境（比如电动车，扭扭车，平衡车等），各项性能指标
2019-11-07 15:34:16
标准驱动器怎么变得更好
晶体管，而非达林顿对。该低侧驱动器架构具有更低的功耗，支持从 1.8V 到 5V 的所有 GPIO 电平输入。图 3：NMOS 低侧驱动器该配置允许我们采用一种（和使用达林顿对相同）的方法驱动外设
2018-09-14 14:41:30
请问该高压正弦波放大电路输出幅度能达到峰峰值150V的要求吗？
此图是高压正弦波放大电路，这个图能自己产生正弦波，输出幅度能达到峰峰值150V的要求吗？对电路不是很了解，望高手分析，谢谢！
2018-12-28 11:32:49
LTC7001是一款驱动器
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 135V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够
2023-04-20 11:36:57
LTC7004是一款驱动器
LTC7004 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 60V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够无限期
2023-04-20 11:48:25
国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧 NMOS 静态开关常导通栅极驱动芯片
国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧NMOS静态开关常导通栅极驱动芯片一、概述NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一
2025-08-29 14:26:42
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开
2009-08-18 12:00:511624
1624
TI推出业界首款 100 V 高压侧 FET 驱动器 可驱动高电压电池
近日，德州仪器（TI）推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。
2016-02-22 11:22:431517
1517
SM7352P芯片150V 115mA降压型LED恒流驱动电路认
SM7352P芯片150V 115mA降压型LED恒流驱动电路认证系统BOM，SM7352P 主要适用于高亮的 BUCK LED 驱动器，可实现恒定的输出电流。外围器件少，方案成本低，具有输出开、短路保护特性。可通过 EFT、雷击浪涌等可靠性测试。
2016-04-18 10:13:45
29
29150V 同步降压型 DC/DC 控制器
同步降压型开关稳压器控制器 LTC3895，该器件可驱动一个全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V （150V 绝对最大值） 输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，从而无需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:384206
4206快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。
2017-07-07 15:00:374031
4031快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。
2017-07-14 16:08:512576
2576适合高频开关和静态开关应用的mosfet驱动器LTC7001
LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-06 10:48:5011335
11335
快速60V高压侧N沟道MOSFET驱动器提供100%占空比能力
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行
2017-09-11 09:36:585262
5262
高速、高压侧 N沟道 MOSFET 驱动器
LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-18 10:49:385833
5833高压mosfet驱动器电路图分享
高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723
23快速、150V 保护、高压侧驱动器
LTC7000 是一款快速、受保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，该器件包含一个内部充电泵，因而允许外部 N 沟道 MOSFET 无限期地保持导通。LTC7000 接收一个低电压数字
2018-06-06 13:45:004622
4622
LTC7004 快速、60V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC7004相关产品参数、数据手册，更有LTC7004的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC7004真值表，LTC7004管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:46:34
LTC7000 快速、150V 保护、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC7000相关产品参数、数据手册，更有LTC7000的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC7000真值表，LTC7000管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:37:34
LTC7001 快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC7001相关产品参数、数据手册，更有LTC7001的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC7001真值表，LTC7001管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:37:34
LTC7003 快速、60V 保护、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC7003相关产品参数、数据手册，更有LTC7003的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LTC7003真值表，LTC7003管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:36:34
LTC7801: 150V Low IQ, Synchronous Step-Down DC/DC Controller Data Sheet
LTC7801: 150V Low IQ, Synchronous Step-Down DC/DC Controller Data Sheet
2021-01-28 00:25:323
3LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301
1LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535
5150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
150V 快速高压侧受保护的 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:1211
11快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482
2LTC3777：150V VIN和VOUT同步4开关降压-升压控制器+开关偏置电源数据表
LTC3777：150V VIN和VOUT同步4开关降压-升压控制器+开关偏置电源数据表
2021-04-19 21:03:317
7LTC3894：150V低I<sub>Q</sub>降压式DC/DC控制器，100%占空比性能产品手册
LTC3894：150V低IQ降压式DC/DC控制器，100%占空比性能产品手册
2021-05-11 08:13:1811
11LTC7000/LTC7001：快速150V保护高端nMOS静电交换机驱动程序数据表
LTC7000/LTC7001：快速150V保护高端nMOS静电交换机驱动程序数据表
2021-05-11 10:02:375
5LT8303：带150V/450 mA开关的100Vin微功率隔离反激变换器数据表
LT8303：带150V/450 mA开关的100Vin微功率隔离反激变换器数据表
2021-05-17 15:44:443
3LTC1314/LTC1315：内置N通道V的PCMCIA交换矩阵<SUB>CC</SUB>开关驱动器产品手册
LTC1314/LTC1315：内置N通道V的PCMCIA交换矩阵CC开关驱动器产品手册
2021-05-19 16:26:137
7LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155
5DC2537A LTC7000 演示板高压侧受保护的 NMOS 驱动器；VIN 高达 135V，IOUT 高达 5.5A
演示电路 2537A 是一款采用 LTC7000 的 135V 保护、高压侧开关。该演示板专为采用 8V 至 135V 输入电压开关一个 5.5A 输出负载而设计。宽输入范围和低停机电流 (典型值为
2021-05-29 19:02:506
6DC2492A LTC7000-1 演示板高压侧保护的 NMOS 驱动器；8V ≤ VIN ≤ 135V，IOUT 高达 5.5A
演示电路 2492A 是一款采用 LTC7000-1 的 135V 保护、高压侧开关。该演示板专为采用 8V 至 135V 输入电压开关一个 5.5A 输出负载而设计。宽输入范围和低停机
2021-05-30 10:38:201
1LTC3639演示电路-高效、150V同步降压转换器(4-150V至3.3V@100 mA)
LTC3639演示电路-高效、150V同步降压转换器(4-150V至3.3V@100 mA)
2021-06-08 08:44:2347
47LTC7001 N沟道MOSFET栅极驱动器参数介绍
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:452120
2120LTC7066:150V 半桥半桥司机,有浮动地和可调整死亡时间数据表 ADI
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)LTC7066:150V 半桥半桥司机,有浮动地和可调整死亡时间数据表相关产品参数、数据手册，更有LTC7066:150V 半桥半桥司机,有浮动地和可调整死亡时间
2023-10-10 18:45:09
高压栅极驱动器的功率损耗分析
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关
2024-11-11 17:21:201608
1608
上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品介绍
具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系统产品具有极低的开关损耗。
2025-01-03 10:19:162056
2056
ST 意法半导体 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率开关的高压和高速半桥栅极驱动器
和 STDRIVEG611 均具有高压侧驱动器部分，可承受高达 600 V 的电压，并可通过集成自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配，以及集成
2025-02-12 14:06:160
0TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器数据手册
TPL7407LA 是一种高电压、大电流 NMOS 晶体管阵列。该器件由 7 个 NMOS 晶体管组成，具有高压输出和共阴极箝位二极管，用于切换电感负载。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为
2025-05-10 09:48:34825
825
TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器数据手册
TPL7407L 是一种高电压、大电流 NMOS 晶体管阵列。该设备包括 7 个 NMOS 晶体管，具有高压输出和共阴极箝位二极管，用于 切换感性负载。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为
2025-05-12 14:36:20814
814
LM5101系列 高压高压侧和低压侧栅极驱动器数据手册
LM5100/LM5101 高压栅极驱动器旨在以同步降压或半桥配置驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。浮动高压侧驱动器能够在高达 100V 的电源电压下工作。输出由 CMOS 输入阈值
2025-05-21 17:04:58889
889
新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列
新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具
2025-05-21 17:07:11602
602
Analog Devices Inc. LTC7068 150 V半桥驱动器数据手册
Analog Devices Inc. LTC7068 150V半桥驱动器是一款半桥双N沟道MOSFET栅极驱动器，在高达150V的输入电压下工作，具有独立于电源的三态脉宽调制 (PWM) 输入逻辑
2025-06-06 10:29:16714
714
Analog Devices Inc. LTC7063半桥驱动器数据手册
Analog Devices Inc. LTC7063半桥驱动器驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET，供电电压高达140V。高侧和低侧驱动器可以通过提供瞬态抗扰度和噪声来驱动具有不同接地
2025-06-14 16:36:57832
832
MCP8021/2三相BLDC电机栅极驱动器技术解析与应用指南
可在12V时提供0.5A峰值输出电流，以驱动高侧和低侧NMOS MOSFET晶体管。这些驱动器的工作温度范围为-40°C至+165°C，具有击穿、过流和短路保护特性。睡眠模式可实现典型的5 µA的 “切断”静态电流。
2025-10-11 14:58:35568
568
ZK150G002TP：SGT技术赋能的150V高压大电流MOSFET标杆
150V的额定电压、200A的超大电流承载能力及优异的综合参数，成为高压功率控制领域的核心优选器件，为各类大功率电子系统提供了稳定高效的功率开关解决方案。
2025-10-31 11:03:47205
205
中微爱芯全新推出150V高压输入开关电源控制器AiP5843
中微爱芯全新推出一款用于开关电源的150V高压输入开关电源控制器——AiP5843。通过配合外围无源器件将输入电压降至5V稳定输出。控制器设计具有PFM模式，可减小轻载开关损耗，优化转换效率；具有
2025-12-18 09:58:56306
306
新国标电动车电控系统供电150V高压DCDC芯片方案H6213L
新国标电动车电控系统供电150V高压DCDC芯片方案H6213L 一、方案介绍： H6213L 是一款内置 150V 耐压 MOS 的高压降压开关控制器，其支持 120V 输入电压，可稳定输出
2025-12-31 14:03:18135
135
- 设计技术
- 可编程逻辑
- 电源/新能源
- MEMS/传感技术
- 测量仪表
- 嵌入式技术
- 制造/封装
- 模拟技术
- RF/无线
- 接口/总线/驱动
- 处理器/DSP
- EDA/IC设计
- 存储技术
- 光电显示
- EMC/EMI设计
- 连接器
- 行业应用
- LEDs
- 汽车电子
- 音视频及家电
- 通信网络
- 医疗电子
- 人工智能
- 虚拟现实
- 可穿戴设备
- 机器人
- 安全设备/系统
- 军用/航空电子
- 移动通信
- 工业控制
- 便携设备
- 触控感测
- 物联网
- 智能电网
- 区块链
- 新科技
- 联系我们
- 广告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 内容合作
- 张迎辉：mikezhang@elecfans.com
-
关注我们的微信
-
下载发烧友APP
-
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
评论