IGBT驱动光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:18
2718 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT有源钳位技术的介绍
2023-02-06 14:39:421433 
IGBT模块短路特性强烈地依赖于具体应用条件，如温度、杂散电感、IGBT驱动电路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17918 
这是某产品输出特性曲线，可以看到IGBT工作区分为三个部分。
2023-11-03 08:53:04905 
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
结合到一个晶体管中。它具有MOSFET(绝缘栅极)的输入特性(高输入阻抗)和BJT(双极性质)的输出特性。
2023-12-22 10:30:58750 
IGBT模块的运行温度范围是非常重要的参数。一些设备要求工作在室温下，而另一些设备要求工作在很宽的温度范围内（如-40℃~+65℃）。温度和散热对于系统的可靠和有效运行非常重要。如果实际要求IGBT
2024-01-19 16:25:091047 
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
满足大范围的IGBT驱动器功率要求。该系列产品效率高达81%，可在-40℃~+105℃温度下工作，具有超小隔离电容6PF，最大容性负载1000uF、隔离电压3000VAC等特性。该系列产品具有
2018-10-11 16:03:31
及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。 IGBT 的开关特性主要取决于
2012-07-25 09:49:08
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压
2011-08-17 09:26:02
饱和状态，输出电阻无限大。由于IGBT结构中含有一个双极MOSFET和一个功率MOSFET，因此，它的温度特性取决于在属性上具有对比性的两个器件的净效率。功率MOSFET的温度系数是正的，而双极的温度
2012-07-09 14:14:57
、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。 本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出
2011-11-25 15:46:48
输出特性曲线从图3等效电路图中可以看出，IGBT 和 Mosfet 差异还在于 IGBT 在导通之前，存在二极管的顺偏导通压降，如图 4 所示（蓝色表示 Mosfet 的特性曲线，红色表示 IGBT
2022-09-16 10:21:27
较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种
2020-09-29 17:08:58
参数则对并联IGBT的动态均流有很大的影响。3)IGBT安装的散热考虑，如果IGBT散热出现热量过于集中，IGBT温度差别大，会影响的温度特性，形成正反馈现象。4)主电路结构的影响主电路的结构会造成线路
2015-03-11 13:18:21
终止IGBT芯片的饱和电压VCEsat都随着结温升高而增加，呈现正温度系数特性。图2为300A沟槽场终止芯片在15V栅极电压条件下不同结温时的饱和电压特性。这表明并联IGBT的静态均流可动态地自我调节
2018-12-03 13:50:08
的可再生能源，而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件，因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一，模块在退化过程中，热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
IGBT的介绍和应用，基础知识
2015-06-24 22:42:27
特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它与GTR
2018-10-18 10:53:03
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31:16
(潮光光耦网整理编辑)2012-04-03 变频器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路
2012-07-06 16:28:56
IGBT手册的介绍
2015-07-02 17:21:55
`IGBT驱动电路 本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路，设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路。实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力
2012-09-09 12:22:07
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
温度传感器， 在热敏电路、温度补偿应用以及以替代传统热敏技术为目的的各种应用中，温度传感器非常有用。可根据不同输出选择合适的器件： 电压输出， 特性： 温度转换精度可达±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
本章节介绍了 Cyclone® IV 器件所支持的 I/O 与高速 I/O 的性能和特性。Cyclone IV 器件的 I/O 功能是由许多低成本应用中的多样化 I/O 标准所驱动的，大幅度提高了
2017-11-14 10:10:54
本章节介绍了 Cyclone® IV 器件系列中具有高级特性的层次时钟网络与锁相环 (PLL)，包括了实时重配置 PLL 计数器时钟频率和相移功能的详尽说明，这些功能使您能够扫描 PLL 输出频率，以及动态调整输出时钟相移。
2017-11-14 10:09:42
本章介绍了 Cyclone® IV 器件所支持的边界扫描测试 (BST) 功能。这些 BST 功能与Cyclone III 器件中的相类似，除非另有说明。Cyclone IV 器件 (Cyclone
2017-11-14 10:50:26
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供条件。・开关特性几乎不受温度变化的影响。＜ 相关产品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。刚接触那会儿，看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉，加之网上查询的资料一概笼统简单，只描述特性曲线所表示的关系结果，却并不解释曲线
2019-10-17 10:08:57
`本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合国内外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件
2015-05-29 10:47:00
的性能应满足技术要求。可工作温度范围是技术条件中规定的温度范围，在该温度范围内，晶振能连续输出信号，但其性能不一定满足技术要求。频率温度特性是指环境温度在规定的范围内按预定的方式改变时，其输出频率产生的相对变化特性。`
2017-06-13 15:13:45
本篇博客是全桥MOS/IGBT电路搭建的介绍，想了解全桥电路的驱动部分请看博主的单元一：全桥驱动电路详解。感兴趣的可以添加博主逆变电路（Inverter Circuit）是与整流
2021-11-16 06:14:11
伏安特性分析仪简称IV分析仪，专门用来测量二极管的伏安特性曲线、晶体管三极管的输出特性曲线，以及MOS场效应管的输出特性曲线。
IV分析仪相当于实验室的晶体管图示仪，需要将晶体管与连接
2023-04-27 16:28:47
Stratix IV FPGA主要特性是什么？分享一款不错的Stratix IV GT:100G开发方案
2021-05-25 06:03:07
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和IGBT优异特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
摘要：本文讨论了最新PrimePACKTM模块如何集成到现有的逆变器平台中，描述了集成控制和保护在内的逆变器模块化架构概念。该模块的机械特性允许对热管理进行优化，进而充分发挥IGBT输出电流能力
2018-12-03 13:56:42
工作。对实验模块进行了以下特性测试：- IGBT 集电极-发射极饱和电压 （Vc sat） 在 25 和 150°C 的温度下，集电极电流 Ic = 0.25 x Inom 和 Ic = I nom，栅极两端
2023-02-22 16:53:33
如何根据温度传感器和菜谱设置的温度控制电磁炉的IGBT导通时间、从而自动调节IGBT管的工作电流，从而调节电磁炉的功率？有没有电磁炉专业人士、请联系我微信***谢谢
2018-05-03 16:27:29
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
神舟IV号外加18B20实现多点温度测控的程序，能不能在显示屏上显示出所测的温度
2014-04-21 15:30:41
。 （2）输出特性图1-11：IGBT的输出特性它的三个区分别为：靠近横轴：正向阻断区，管子处于截止状态。爬坡区：饱和区，随着负载电流Ic变化，UCE基本不变，即所谓饱和状态。水平段：有源
2009-05-12 20:44:23
在一些要求高可靠性的应用场合，希望功率半导体器件可以稳定运行30年以上。为了达到这个目标，三菱电机开发了X系列高压IGBT模块，特别注重了可靠性方面的设计，并在实际的环境条件下进行了验证，结果显示失效率可以得到明显降低。本文着介绍在IGBT数据手册上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
在分析液体的粘度温度特性的基础上，提出了液流的雷诺数也随温度的变化而变化的观点，并对其变化规律进行了推导和阐述。
2009-04-07 11:06:14
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电路的温度-电压特性
2009-07-08 11:41:24345 
热敏电阻的基本特性详细介绍
电阻－温度特性
热敏电阻的电阻－温度特性可近似地用式1表示。(式1) R=Ro exp {B(I/T-I/To)}
2009-11-28 09:07:164110 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
提出了一种用PSP ICE 程序模拟绝缘栅双极型晶体管( IGBT ) 特性的方法。首先详细介绍了IGBT 的PSP ICE 模型的建立, 以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验
2011-06-23 16:12:1593 超快速IV测量技术是过去十年里吉时利推出的最具变革性的方法和仪器，吉时利一直以其高精度高品质的SMU即原测试单元而著称，这里将介绍测试单元PUM和超快速IV量测技术给半导体器件
2011-08-10 11:47:035274 
本内容详细介绍了 LDMOS 功放温度特性及温补电路设计
2011-08-18 17:29:2762 介绍了一种采用UC3844为核心芯片的多路输出单端反激式IGBT驱动电源。文中给出了具体的计算过程和电路参数。试验结果表明该电源可靠性高，稳定性好，输出纹波小，具有一定实用价值
2011-09-23 16:09:28100 详细介绍IGBT原理，特性，和实际应用，以及失败事例
2016-03-01 17:18:3115 超微晶材料的铁损温度特性研究
2016-03-23 17:47:590 IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 
大的优点、使用 IGBT 成为 UPS 功率设计的首选，只有对 IGBT 的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT 的优点。本文介绍 UPS 中的 IGBT 的应用情况和使用中的注意事项
2017-11-06 10:08:5324 IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和
2017-12-08 11:50:346 本文主要介绍了电磁炉温度检测电路图大全（高频/IGBT/传感器温度检测电路详解）。电磁炉中的温度检测传感器采用的是热敏电阻，该电阻大多由单晶或多晶半导体材料制成，它的阻值会随温度的变化而变化
2018-03-15 09:41:2135014 
AN-990应用笔记之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 ℃以及两款芯片各自最大允许工作结温下的输出特性曲线。从图2中在Tvj.op=25℃时，相同的输出电流，IGBT5 P5集电极与发射极电压比IGBT4 P4更低；工作在最高结温时，即使相差25
2018-07-23 17:23:505545 
个高速收发器，以及 1,067 Mbps (533 MHz) DDR3存储器接口)达到了前所未有的水平，并具有优异的信号完整性, 非常适合无线通信,固网,军事,广播等其他最终市场中的高端数字应用。本文介绍了Stratixreg; IV FPGA主要特性, Stratix IV GT器
2019-02-16 09:51:01495 
IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由 MOSFET （输入级）和 PNP 晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有 MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有
2020-11-17 08:00:008 IGBT工作中的特性： IGBT 的静态特性， 静态数据特性关键有光电流特性、迁移特性和电源开关特性。 （1）光电流特性： IGBT 的光电流特性就是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极
2020-12-15 16:10:315907 本文档的主要内容详细介绍的是陶瓷电容的温度特性代码与温度系数对照表免费下载。
2021-02-03 08:00:003 Avago公司的ACPL-P343（W343）是4A输出的IGBT栅极驱动光交换器，集成了一个AlGaAs LED，VCC工作电压15V-30V，工作温度-40℃到105℃，输出电压轨到轨，CMR
2021-03-29 15:26:267584 
具有LVDS输出的LTM9011 ADC的AN147-Altera Stratix IV FPGA接口
2021-05-09 21:19:5314 吉时利6430源表IV输出电阻测量及电池充放电应用
2021-12-31 09:37:0511 IGBT模块散热不好温度过热造成的危害你知道么？IGBT模块本身就有一定的功率，此模块本身就会发热，IGBT模块整体性能和可靠性都受温度影响。通常使用设计规则来比较故障率的数字。根据设计准则，其中
2022-04-22 17:32:123696 电子发烧友网站提供《IV Swinger IV曲线跟踪器开源分享.zip》资料免费下载
2022-08-22 16:06:102 如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分。
2022-12-16 15:29:044938 随着我国武器装备系统复杂性提升和功率等级提升，对IGBT模块的需求剧增，IGBT可靠性直接影响装备系统的可靠性。选取同一封装不同材料陶瓷基板的IGBT模块，分别进行了温度循环试验和介质耐电压试验
2023-02-01 15:48:053470 上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动
2023-02-17 16:40:23915 今天小川给大家分享是IV法测三极管伏安特性的Multisim仿真及分析。希望大家能够多多支持。
2023-03-01 11:53:402019 
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
2023-06-06 10:52:37757 
摘要 压接型 IGBT 芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用，研究电热-力影响下的 IGBT 芯片动态特性对于指导 IGBT 芯片建模以及规模化 IGBT 并联封装设计具有
2023-08-08 09:58:280 igbt的优缺点介绍 IGBT的优缺点介绍 IGBT是一种晶体管，是MOSFET和BJT集成而成的开关，具有高速开关能力和较低的导通电阻，用于高效率的功率调节。IGBT具有一些优点和缺点，下面将详细
2023-08-25 15:03:294012 选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。
2023-09-13 15:47:56921 
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 和性能，动态测试是必不可少的。下面将详细介绍IGBT动态测试的参数。 1. 开通特性测试（Turn-on Characteristics Test）： 开通特性测试是通过控制IGBT的输入信号，来检测
2023-11-10 15:33:51885 了特殊的温度补偿元件和电路，可以在不同温度下保持相对稳定的频率输出。 恒温晶振和温补晶振在一些特性上有相似之处，但也存在一些不同之处。接下来将分别介绍这两种晶振的特性。 一、恒温晶振的特性： 1. 稳定频率输出：恒
2023-12-18 14:36:42246 的正常运行。本文将详细介绍IGBT温度传感器异常的原因以及解决方法。 首先，我们来了解一下IGBT温度传感器的工作原理。IGBT是一种结合了晶体管的高速开关元件，可以用于控制电流和电压。IGBT温度传感器则是一种用于监测IGBT芯片温度的传感器，它
2023-12-19 14:10:20800 IGBT的低电磁干扰特性 IGBT是一种在功率电子领域中常用的晶体管器件。它由一个IGBT芯片和一个驱动电路组成，用于控制高电压和高电流的开关操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 光伏IV测试作为评估光伏电池性能的重要手段，对光伏技术的发展和应用起着关键的作用。通过光伏组件IV测试，我们可以准确地评估光伏电池的转换效率和功率输出，为光伏系统的设计、优化和性能监测提供重要的参考依据。未来，随着光伏技术的不断发展，光伏IV测试方法和技术也将不断完善，为光伏领域的发展注入新的活力。
2024-01-10 14:37:57418 IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
JD-IVAIV功率检测仪是一种用于测试太阳能电池板输出特性的重要仪器，主要用于评估太阳能电池板的性能和效率。通过测量太阳能电池板在不同电压和电流下的输出特性曲线(IV曲线)，可以确定太阳能电池板的最大功率点(MPP)，从而帮助优化系统设计和提高发电效率。以下是关于IV功率检测仪的详细介绍：
2024-03-20 15:12:5872
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