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第三代半导体主要是材料的变化。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料，发展经历了三个阶段。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料，发展经历了三个阶段：
第一代材料是硅，以硅（Si）和锗（Ge ）为代表，就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（ GaP ）为代表，目前的大部分通信设备的材料。
第三点材料以氮化镓（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金刚石为代表 ，未来5G时代的标配。
第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展方向。在...
SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二极管数据手册
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无...
半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质，是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展，半导体材料经历了从第一代到...
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更...
半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半...
新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料...
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在...
第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且体积小、污染少、运行损耗，正逐步成为发展的重心。
SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割...
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
当GaN和SiC掀起能源革命，谁在背后稳住它们的“高频心跳”？
引言我们为GaN和SiC带来的高效与节能欢呼，却常忽略：若没有与之匹配的“能量守护者”，再强的半导体也无法真正赋能场景。想象一下：一辆电动汽车正在快充，...
上海永铭：第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
AMEYA360代理品牌：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案 引言：氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术...
在第三代半导体器件的研发与性能评估中，对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试，是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技...
电子发烧友网报道（文/黄山明）当AI服务器以每秒万亿次的算力顺畅驱动大模型训练，当边缘AI设备在极端温度环境中稳定运行时，一个易被忽视的核心元器件正默默...
中国，北京，2025年10月16日 – 在隆重开幕的2025世界智能网联汽车大会上，国内领先的第三代半导体IDM企业——方正微电子有限公司（以下简称“方...
第三代半导体功率器件企业派恩杰获“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖!
近日，宁波创投界一年一度的“寻找宁波最具投资价值企业”颁奖活动举行。本届活动紧扣“科创”主题，锚定“新质生产力”，聚焦高端装备、芯片制造、数字经济、新材...
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在台式机和服务器领域，我们经常会听到有金牌电源、钛金牌电源等名称，这些等级其实是由美国能源处出台、Ecos Consult...
扬杰科技凭借在功率半导体领域的领先技术与品牌影响力，作为江苏省半导体行业标杆企业，成功入选中央广播电视总台“CCTV品牌强国工程”，于央视CCTV-1、...
安世半导体氮化镓器件助力浩思动力2025上海车展核心技术首秀
安世半导体近日宣布，旗下先进的氮化镓(GaN)器件成功应用于浩思动力(Horse Powertrain)首款超级集成动力系统—Gemini小型增程器的发...
✦ 文章来源：行家说三代半 ✦ 作者：行家说-许若冰 回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经...
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