完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>
标签 > 新洁能
厂商产品
+关注
0人关注
成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
新洁能NCE2302现货供应:MOSFET涨价潮下采购如何稳住成本交期
2026 年以来,功率半导体采购端的变化,已不只是“单价上调”这么简单。对于电子制造企业而言,更直接的压力来自报价有效期
新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品特点及应用领域
新洁能SGT-II系列功率MOSFET是一种基于屏蔽栅沟槽技术的中低压功率MOSFET,相比于新洁能上一代SGT-I系列
砥砺深耕,载誉前行!7 月 23 日,第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨 2026 年先进封装技术创新与产业
新洁能最新推出的第八代IGBT(Gen.8 IGBT)系列,实现了最佳的饱和压降(VCE(sat))和开关损耗(Eon、
新洁能(NCE)600V Trench FS II系列IGBT在导通损耗与开关性能之间实现了优异平衡
新洁能的600VTrenchFSII系列IGBT采用专有的沟槽(Trench)设计和先进的第二代场截止(FieldSto
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种结合了MOSFET和双极型晶体管(BJT)优点的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它
新洁能NCE40H12K:40V/120A超低导通电阻沟槽功率MOSFET
南山电子代理的NCE40H12K是新洁能(NCE)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术和设计,在低
新洁能12-150V 30-100V P沟道MOSFET系列产品的技术特点与应用领域
新洁能(NCE)是一家国内领先的功率半导体企业,专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富,涵盖
新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析
N沟道沟槽型MOSFET是一种常见的功率MOSFET,通过采用先进的沟槽技术,实现了更低的导通损耗、更高的开关速度和更大
新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K:开关电源中的理想选择
开关电源是MOS管的一个非常重要的应用,这是因为MOS管开关速度快,通流能力强,非常适合在低压,大电流,中等功率(几百瓦
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为14,168万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。
目前公司员工总共300余人,其中研发人员80余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商,芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产,封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。
公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业,2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖,且获得2020年度国家技术发明奖。截至目前,公司拥有135项专利,其中发明专利36项;同时公司参与在IEEE,TDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇。2021年6月,公司荣列“福布斯2021中国最具创新力企业榜TOP50”。
无锡电基集成科技有限公司位于无锡市新吴区电腾路6号,于2017年03月21日成立,是无锡新洁能股份有限公司的全资子公司。公司注册资本27000万元,占地15272平方米,建筑面积为21467平方米,目前封装测试车间面积为8000平米,主要封装形式为SOT、TO系列、DFN产品封装。公司专注于高性能、高可靠性功率半导体分立器件和多芯片电源管理器件的封装和测试,主营业务为电力电子元器件、集成电路及半导体模块产品的设计、制造和销售。公司具有当前世界先进水平的半导体器件封装和测试生产线,主力设备全部从美国、日本、新加坡等国进口,自动化程度高,保证了产品的稳定性,为现代化大生产提供了坚实基础。
公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业,也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司。同时,公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种,为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。
公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势,结合大尺寸晶圆芯片(8英寸、12英寸)先进工艺技术,开拓国际先进功率器件封装制造技术,全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化,持续布局半导体功率器件最先进的技术领域,并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
新洁能30-120V N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品特点及应用领域
新洁能SGT-II系列功率MOSFET是一种基于屏蔽栅沟槽技术的中低压功率MOSFET,相比于新洁能上一代SGT-I系列产品,SGT-II系列产品特征导...
新洁能(NCE)600V Trench FS II系列IGBT在导通损耗与开关性能之间实现了优异平衡
新洁能的600VTrenchFSII系列IGBT采用专有的沟槽(Trench)设计和先进的第二代场截止(FieldStop)技术,在导通损耗与开关性能之...
新洁能NCE40H12K:40V/120A超低导通电阻沟槽功率MOSFET
南山电子代理的NCE40H12K是新洁能(NCE)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷下提供了极佳的RDS(O...
新洁能12-150V 30-100V P沟道MOSFET系列产品的技术特点与应用领域
新洁能(NCE)是一家国内领先的功率半导体企业,专注于MOSFET和IGBT等产品的研发和生产。公司产品线非常丰富,涵盖了从低电压到高电压的各类MOSF...
新洁能国产N沟道沟槽型MOSFET NCE3050K选型资料/ 应用分析
N沟道沟槽型MOSFET是一种常见的功率MOSFET,通过采用先进的沟槽技术,实现了更低的导通损耗、更高的开关速度和更大的功率密度。今天南山电子给大家介...
新洁能N沟道增强型功率MOSFET NCE0115K:开关电源中的理想选择
开关电源是MOS管的一个非常重要的应用,这是因为MOS管开关速度快,通流能力强,非常适合在低压,大电流,中等功率(几百瓦)以下的应用,能有效提升电源转换...
新洁能NCE40TD60BT:高性能沟槽场截止II代IGBT的卓越之选
在电力电子技术不断向高效化、小型化发展的今天,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为核心功率器件,其性能优劣直接决定了整个系统的表现。新洁能授权代理商南山电...
新洁能NCEP038N10GU:高性能100V N沟道功率MOSFET的理想选择
在电源转换效率要求日益提高的今天,功率MOSFET作为核心元器件,其性能直接决定了整个系统的表现。新洁能(NCE)推出的NCEP038N10GU,采用先...
2022-01-18 标签:新洁能 0 936
KOYUELEC光与电子提供无锡新洁能股份有限公司产品表立即下载
2022-06-06 标签:新洁能 0 945
2021-10-27 标签:新洁能 0 1k
新洁能NCE2302现货供应:MOSFET涨价潮下采购如何稳住成本交期
2026 年以来,功率半导体采购端的变化,已不只是“单价上调”这么简单。对于电子制造企业而言,更直接的压力来自报价有效期缩短、预算反复调整,以及临近试产...
砥砺深耕,载誉前行!7 月 23 日,第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨 2026 年先进封装技术创新与产业链协同发展论坛在扬州隆重举行。凭...
2026年3月26日,新洁能发布2025年年度业绩公告,全年营业收入18.77亿元,同比增长2.66%;归母净利润3.94亿元,同比下降9.42%;扣非...
新洁能2026年一季度营收5.17亿元,同比增长15.14%
2026年4月27日,无锡新洁能(605111.SH)交出了一份极具张力的一季度成绩单——营业收入5.17亿元,同比增长15.14%,增速可观;归母净利...
近日,无锡新洁能在阳光电源供应链生态大会中斩获三项重磅荣誉 —— 凭借卓越的合作价值与技术支撑荣获阳光电源 “优秀合作伙伴” 称号,以可持续发展实践获评...
智能电网升级浪潮下,新洁能NCE65T1K2K功率器件的应用价值与市场潜力
清晨光伏电流并网、深夜储能系统充电、用电高峰智能调流——智能电网运行的每个关键环节,都离不开新洁能NCE65T1K2K功率器件的支撑。智能电网升级浪潮下...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| NCE65T360D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
获取价格
|
|
| NCEP055N85D | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
获取价格
|
|
| NCEP033N85D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):220W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.95mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):24pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); |
获取价格
|
|
| NCEP050N85D |
获取价格
|
||
| NCE70T360D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
获取价格
|
编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题
| 电机控制 | DSP | 氮化镓 | 功率放大器 | ChatGPT | 自动驾驶 | TI | 瑞萨电子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二极管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 无刷电机 | FOC | IGBT | 逆变器 | 文心一言 | 5G | 英飞凌 | 罗姆 |
| 直流电机 | PID | MOSFET | 传感器 | 人工智能 | 物联网 | NXP | 赛灵思 |
| 步进电机 | SPWM | 充电桩 | IPM | 机器视觉 | 无人机 | 三菱电机 | ST |
| 伺服电机 | SVPWM | 光伏发电 | UPS | AR | 智能电网 | 国民技术 | Microchip |
| 开关电源 | 步进电机 | 无线充电 | LabVIEW | EMC | PLC | OLED | 单片机 |
| 5G | m2m | DSP | MCU | ASIC | CPU | ROM | DRAM |
| NB-IoT | LoRa | Zigbee | NFC | 蓝牙 | RFID | Wi-Fi | SIGFOX |
| Type-C | USB | 以太网 | 仿真器 | RISC | RAM | 寄存器 | GPU |
| 语音识别 | 万用表 | CPLD | 耦合 | 电路仿真 | 电容滤波 | 保护电路 | 看门狗 |
| CAN | CSI | DSI | DVI | Ethernet | HDMI | I2C | RS-485 |
| SDI | nas | DMA | HomeKit | 阈值电压 | UART | 机器学习 | TensorFlow |
| Arduino | BeagleBone | 树莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 华秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |