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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不同。相对IGBT，M...
方正微1200V Easy2B碳化硅模块在135kW PCS中的应用
随着全球能源需求不断上升，我国“双碳”战略的逐步推进和新能源行业的快速发展，近年来光伏储能充电系统(PCS-Photovoltaic Storage C...
上一篇我们介绍了英飞凌CoolSiCMOSFETG2的产品特性（参考文章：CoolSiCMOSFETG2性能综述）。那么在实际应用中，G2如何进行正确的...
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系...
碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。图片来源：Pixa...
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系...
对碳化硅技术进行商业化应用时，需要持续关注材料缺陷、器件可靠性和相关封装技术。本文还将向研究人员和专业人士介绍一些实用知识，帮助了解碳化硅如何为功率半导...
本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使...
亚非拉市场工商业储能破局之道：基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动...
半导体器件作为现代电子技术的核心元件，广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景，其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓（GaN）和碳化硅（...
碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V，是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
随着电力电子技术向高频、高效、高功率密度方向发展，碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件在众多领域得到广泛应用。在这些功率器件的封装...
-回答星友xuu的提问，关于SiC功率器件在纯电动卡车中的应用解析-文字原创，素材来源：各厂商，网络-本篇为知识星球节选，完整版报告与解读在知识星球发布...
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MO...
ADuM4177具有摆率控制和BIST功能的40 A拉电流和30 A灌电流SiC隔离式栅极驱动器技术手册
ADuM4177是一款高性能隔离式栅极驱动器，采用ADI公司的*i*Coupler ^®^ 技术，提供5.7 kV RMS隔离。ADuM4177采用28...
碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能...
SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项
通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和...
UCC5390-Q1 汽车级 17-A 5kv RMS 单通道隔离式栅极驱动器数据手册
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 拉电流和 10A 灌电流峰值电流，设计用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC M...
UCC21739-Q1 汽车级 3kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册
UCC21739-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，专为高达 900V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计，具有先进的保护...
UCC23514 5kVrms 4A/5A，单通道光学兼容隔离栅极驱动器，带有钳位和分割输出选项数据手册
UCC23514 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 的拉电流和 5.3A ...
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