概述
ADuM4177是一款高性能隔离式栅极驱动器,采用ADI公司的iCoupler ^®^ 技术,提供5.7 kV RMS隔离。ADuM4177采用28引脚宽体SOIC封装,提供8.3 mm爬电距离。此器件适用于需要在器件使用寿命内隔离1060 V RMS和1500 V DC工作电压的应用。这些隔离式栅极驱动器组合使用高速CMOS和单芯片变压器技术,提供出色的性能,适合驱动要求严苛的高性能碳化硅(SiC)开关。串行外设接口(SPI)通信支持用户可编程工作模式和故障回读。此外还具有BIST功能,使ADuM4177适用于ASIL D系统。
数据表:*附件:ADuM4177具有摆率控制和BIST功能的40 A拉电流和30 A灌电流SiC隔离式栅极驱动器技术手册.pdf
ADuM4177的输入电压范围为4.4 V至7 V。如果VDD2和VSS2在15 V至23 V范围内,输出电压可驱动双极栅极驱动器,该驱动器的正极电压为12 V至23 V,负电压轨电压为−5 V至−3.25 V。可通过与栅极驱动器进行SPI通信来获取多个可编程的欠压保护(UVLO)电平。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4177的输入与输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4177包括许多出众的保护功能,例如漏极监测去饱和检测、主动短路(ASC)操作、外部温度检测以及过压保护(OVP)和欠压保护(UVP)。
提供可调的摆率控制,在系统操作点可以接受时,提供更快的边沿跃迁和更高的效率。外部米勒箝位可以实现更强下拉效果,防止米勒注入在受诱导时意外开启。ADuM4177支持-40⁰C至+150⁰C的宽结温范围。
因此,ADuM4177可以在很宽的切换电压范围内,可靠地控制SiC开关配置的开关特性。
应用
特性
- 40 A拉电流、30 A灌电流峰值短路(典型)驱动输出
- 典型应用中的20 A峰值驱动电流(典型值)
- 输出功率器件电阻:每通道0.38 Ω(典型值)
- 1500 V峰值和直流工作电压(DIN EN IEC 60747-17)
- 通过SPI接口实施摆率控制
- 低传输延迟:108 ns(典型值)
- 脉冲宽度:60 ns(最小值)
- 双极和单极次级侧供电功能
- V
DD1:4.4 V至7 V - V
DD2至VSS2:15 V至23 V - V
DD2至GND2:12 V至23 V - V
SS2至GND2:−5 V至−3.25 V(双极供电模式) - V
SS2至GND2:0V(单极供电模式)
- V
- 保护特性:
- DESAT–SiC漏极检测,7 V(典型值)阈值
- 可编程内部DESAT消隐时间
- ASC引脚,次级侧驱动器开启控制
- 外部米勒箝位
- 软关断,1 μs,可通过外部电阻调节
- V
DD2至VSS2OVP和可编程VDD2至VSS2UVP - V
SS2至GND2OVP和UVP - 通过故障报告引脚判断隔离故障
- SiC开关隔离式温度检测
- 内置自测(BIST)
- SPI
- 非易失性EEPROM寄存器,用于实现可配置性
- 故障报告信息
- 工作结温范围:−40℃至+150℃
- 采用28引脚SOIC_W_FP封装
- 通过AEC-Q100汽车应用认证
功能框图
引脚配置描述
典型性能特征
在需要开关器件栅极具备快速上升沿的情况下,就需要用到栅极驱动器。增强型功率器件的栅极信号是以源极或发射极节点为参考的。栅极驱动器必须跟随这个源极或发射极节点。因此,在源极或发射极节点摆动的拓扑结构中,控制信号与栅极驱动器输出之间的隔离是必要的,例如在半桥中。栅极开关时间是栅极驱动器驱动强度的函数。输出端的缓冲级(如互补金属氧化物半导体(CMOS)缓冲器)可减少总延迟时间,并增加驱动器最终输出的强度。
ADuM4177通过使用高频载波跨越隔离栅,实现控制侧与输出侧之间的隔离。数据通过iCoupler芯片级变压器线圈进行传输,这些线圈由聚酰亚胺绝缘层隔开。ADuM4177采用正逻辑开关键控(OOK)编码,其中高电平信号通过载波频率在iCoupler芯片级变压器线圈上的存在来传输。正逻辑编码确保在输入关闭时输出为高电平。低电平状态是增强型功率器件最常见的安全状态。该架构可在短路条件下驱动器件。ADuM4177的设计具备高共模瞬态抗扰度、高抗电气噪声能力以及高抗磁干扰能力。通过扩频OOK载波和差分线圈,可将辐射发射降至最低。图22展示了ADuM4177使用的OOK编码。
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