更多SiC FET选项意味着经济高效的解决方案具有更大的灵活性

生活中的一切都是平衡行为，这可能会使决定变得困难。如果涉及金钱，它会带来另一个维度——如果我购买电动汽车，额外的成本会得到回报吗？在什么时间？减少二氧化碳排放的价值是什么？哪种型号的残值最好？决定因素可能是主观的，并且会动态变化，但是当您在EV功率转换器的设计中选择半导体时，您会希望它更科学一些。

如果您做出了明智的选择并决定使用 UnitedSiC 的宽带隙 SiC FET，那么需要考虑权衡 – 并联器件的数量和额定值、开关频率、工作模式、效率目标、可接受的结温升、传导和开关损耗的分配以及成本，仅举几例。选择范围通常受到外部因素的影响：例如，电动汽车充电器中使用的图腾柱功率因数校正级（例如 3.6kW）通常会产生 400V 电压，工作频率约为 60kHz，在连续导通模式下电感纹波电流约为 20%。鉴于这些条件，“快速”支路中的750V SiC FET是其低损耗的绝佳选择，并且导通电阻低至6毫欧。在现实生活中，成本始终是一个问题，那么我们可以用一些损失来换取成本较低的零件吗？UnitedSiC 通过在线 FET-JET 计算器可以轻松评估这一点，该计算器允许从各种功率转换拓扑和工作条件中进行选择，计算不同器件的开关和导体损耗以及温升。可以选择并联部件的数量并指定散热器性能。

为了提供最广泛的选择，UnitedSiC 提供了第 4 代 750V 器件，具有各种导通电阻性能点，总共 6 个，从 60 到 《》 毫欧。将其中最相关的插入FET-JET计算器，使用我们选择的条件，可以得到下面的图，并得到一些有趣的结果。

从18毫欧（UJ4C075018K4S）到23毫欧器件（UJ4C075023K4S）的效率没有下降，因为尽管传导损耗增加了，但开关损耗却降低了更多。然而，与低电阻部分相比，器件成本可节省 20%。也许33毫欧器件（UJ4C075033K4S）是一个不错的选择，效率下降0.1%，耗散36W以上，但开关成本降低了40%以上。对于相同的散热器，结温提高了约6°C，但仍只有约102°C。 60毫欧器件（UJ4C075060K4S）的成本不到所考虑的最佳SiC FET的一半，因为额外耗散功率为22W，结温为122°C。 可以考虑更好的散热，以权衡器件类型和温升的成本，但额外的尺寸和重量是电动汽车应用中的缺点。

可以考虑其他选项，如果60毫欧类型中的两种并联，则总电阻可以减半，同时增加开关损耗，但降低整体热阻，从而降低结温升和温度相关导通电阻的增加。FET-JET 计算器是您的朋友 – 尝试不同导通电阻水平和散热器选项的多个器件。您甚至可能会发现一个临界点，即最低损耗与较高成本器件的组合实际上将散热器降低到可以消除液体冷却的水平，例如，远远超过额外的开关成本。

审核编辑：郭婷