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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。...

2023-02-23 标签：MOSFET 驱动器 SiC 1.6k 0

功率晶体管的结构与特征比较

使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低...

2023-02-23 标签：MOSFET 晶体管 SiC 1.3k 0

SiC-MOSFET的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速...

2023-02-23 标签：MOSFET 元器件 SiC 629 0

使用SiC-SBD的优势

SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 标签：二极管半导体 SiC 1.2k 0

在桥式结构中的注意事项：探头的CMRR

在对桥式结构中的高边（HS）MOSFET进行测试时，通常使用高压差分探头或差分探头（*4）来观测波形，但所用探头的共模抑制比（CMRR）在高频区域可能会...

2023-02-22 标签：MOSFET 波形探头 1.1k 0

平面磁件如何提高电力电子器件性能

本文解释了平面磁件如何在效率、成本、空间要求以及散热方面显著改善电力电子器件的性能。阅读本白皮书后，您应该对平面磁性技术的优势以及自动化工作流程如何轻松...

2023-02-22 标签：意法半导体电力电子 SiC 1.9k 0

使用隔离式栅极驱动器和DC-DC转换器驱动1200 V SiC电源模块

电动汽车、可再生能源和储能系统等电力开发的成功取决于电力转换方案的有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件以及用于打开和关闭这些半导体的策略，这...

2023-02-22 标签：转换器驱动器 SiC 2.4k 0

碳化硅（SiC）在汽车电子中的应用

热设计在电力电子系统中起着决定性的作用，以便设计高功率密度，从而设计紧凑的系统。

2023-02-22 标签：电动汽车 SiC 碳化硅 1.4k 0

SiC-SBD和SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 标签：二极管晶体管 SiC 1.2k 0

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND...

2023-02-22 标签：二极管元器件 SiC 445 0

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且...

2023-02-22 标签：二极管半导体 SiC 944 0

SiC-SBD特征以及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。

2023-02-22 标签：二极管元器件 SiC 1.7k 0

SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件...

2023-02-22 标签：转换器元器件 SiC 880 0

何谓碳化硅

表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 标签：半导体 SiC 功率元器件 3.5k 0

介绍SiC肖特基二级管在充电机AC-DC和DC-DC电路中的应用

车载充电机是电动汽车内部的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成电动汽车的充电过程。

2023-02-21 标签：PFC SiC LLC 881 0

SiC器件的优缺点！

在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。

2023-02-21 标签：逆变器 IGBT SiC 4.4k 0

用更多选择回应积极的反馈

为了提供这种灵活性，UnitedSiC 提供了额外的第 4 代 750V SiC FET，导通电阻为 23、33 和 44 毫欧，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 标签：FET SiC 计算器 386 0

最大限度降低SiC FET的EMI的开关损耗

对高效率、高功率密度和系统简单性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速开关速度、低 R 而成为电源工程师的有吸引力的选择DS（开启）和高压额定值。

2023-02-21 标签：MOSFET emi SiC 1.3k 0

SiC FET导通电阻随温度变化

比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗...

2023-02-21 标签：转换器 MOSFET SiC 1.8k 0

UnitedSiC FET射流计算机消除SiC FET选择中的猜忌

电源设计工具在不断改进，仿真越来越能够在调节、效率和由此产生的损耗方面输出准确的波形和性能。不过有一个小问题：模拟器只能使用你告诉它的内容——软件很聪明...

2023-02-21 标签：转换器 DC-DC SiC 436 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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