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北京顺义泰科天润项目一期投资4亿元，预计2028年达产

3月4日，北京顺义消息显示，顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。

2024-03-11 标签：新能源汽车 MOSFET 晶圆 601 0

ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通...

2024-03-15 标签：二极管 MOS SBD 140 0

京瓷推出一种功率器件LPTO-263封装

功率器件，是指用于调控和变换电力的器件。从民生用品到工业设备，京瓷集团一直向市场提供各种高品质、高可靠性的节能型产品。

2024-02-23 标签：散热片功率器件 SBD 395 0

罗姆推出新型SBD

来源：Silicon Semiconductor 非常适合汽车LED头灯和其他高速开关应用。 ROHM（罗姆）开发了100V击穿肖特基势垒二极管 (SB...

2024-02-21 标签：SBD 罗姆 167 0

ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒...

2024-01-24 标签：SBD Rohm 218 0

液相法碳化硅单晶生长技术研究

碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和热膨胀系数等优势。

2023-12-18 标签：新能源汽车晶圆 SBD 647 0

SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展

功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。

2023-12-13 标签：功率器件 SBD SiC 370 0

【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异

2023-12-13 标签：二极管 MOSFET SBD 235 0

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex...

2023-09-14 标签：SBD 功率模块 Rohm 385 0

肖特基二极管失效机理

肖特基二极管失效机理肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）作为一种快速开关元件，在电子设备中得到了广泛的应用。但是，...

2023-08-29 标签：二极管肖特基二极管 SBD 1141 0

面向氧化镓功率器件的大尺寸氧化镓单晶材料技术介绍

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业...

2023-08-04 标签：MOSFET SBD SiC 374 0

瑞能半导体亮相SNEC 2023光伏展

瑞能半导体将亮相5月24-26日在上海新国际博览中心盛大举行的SNEC 2023光伏展（展位：N5-803），同全球从业者交流光伏产业未来市场趋势分...

2023-05-23 标签：光伏 SBD SiC 1157 0

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

来源：国星光电官微近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC...

2023-03-14 标签：新能源 SBD SiC 414 0

瞻芯电子完成数亿元B轮融资为国产碳化硅(SiC)功率器件加码

近日，上海瞻芯电子科技有限公司（简称“ 瞻芯电子 ”）完成数亿元B轮融资，本轮融资由国方创新领投，国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本...

2023-03-07 标签：MOSFET 功率器件 SBD 1075 0

SiC SBD成功应用于村田数据中心电源模块

2023-03-03 标签：数据中心电源模块 SBD 478 0

ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业的数据中心电源模块

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发的第3代SiC肖特基二极管(以下简称“SBD”)成功应用于Murata Power Solutio...

2023-03-02 标签：数据中心电源模块 SBD 426 0

SiC-SBD的可靠性试验

SiC作为半导体材料的历史不长，与Si功率元器件相比其实际使用业绩还远远无法超越，可能是其可靠性水平还未得到充分认识。这是ROHM的SiC-SBD可靠性...

2023-02-08 标签：MOSFET 半导体 SBD 387 0

在车载市场中拥有丰硕业绩的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”产品阵容进一步壮大

通过采用新工艺，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，与ROHM以往产品相比，效率提高了25%。

2021-08-06 标签：SBD 肖特基势垒二极管 1072 0

第三代半导体高速成长GaN功率元件今年产值可望大增9成

2021年6月，富士经济对SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半导体等下一代功率半导体的全球市场进行了调查。功率半导体市场预计到 2030 年将达到 404...

2021-06-23 标签：MOSFET 半导体 IGBT 2070 0

SBD器件中的肖特基二极管漏电流机制

根据《涨知识啦》第32期可知，随着反向偏压的增大，肖特基二极管漏电流的增幅远远超过了耗尽区内空间电荷产生电流的水平，随后，研究人员发现在肖特基势垒二极管...

2021-05-12 标签：二极管 SBD 3420 0

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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
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TI是富有远见的企业，我们是敢于开拓的创新者。作为一个业务运营覆盖 35 个国家的全球性半导体企业，员工是我们的立足之本。德州仪器（TI）的员工是我们深厚的企业文化的重要体现。无论是1958年第一位发明集成电路的TI员工，还是如今遍布全球负责设计、制造以及销售模拟与嵌入式处理芯片的30,000多名TI成员。 TI是一家全球性半导体设计与制造公司：业务覆盖超过35个国家、服务全球各地超过10万家客户、拥有85年的创新历史、超过10万种模拟集成电路、嵌入式处理器以及软件和工具。
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