0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

第三代半导体高速成长GaN功率元件今年产值可望大增9成

旺材芯片 来源:半导体行业观察 作者:半导体行业观察 2021-06-23 14:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2021年6月,富士经济对SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半导体等下一代功率半导体的全球市场进行了调查。功率半导体市场预计到 2030 年将达到 40471 亿日元,而 2020 年为 28043 亿日元。

该调查针对使用SiC、GaN(氮化镓)、Ga 2 O 3(氧化镓)和 Si 功率半导体(例如 MOSFETIGBT)的下一代功率半导体。我们还调查了与功率半导体相关的组件和制造设备市场。调查时间为2020年11月至2021年2月。

2020年,Si功率半导体将占功率半导体市场的大部分,达27529亿日元。Si功率半导体在中国市场扩大,但在其他地区,汽车和工业设备的销售额下降,与2019年相比下降了4.0%。从 2021 年开始,汽车和 5G(第 5 代移动通信)相关产品的需求有望增加,预计 2030 年将达到 37,981 亿日元。

预计到 2030 年,下一代功率半导体市场将达到 2490 亿日元,而 2020 年为 514 亿日元。虽然市场规模仍然较小,但预计2021年后年增长率仍将接近20%。

Fuji Keizai将SiC 功率半导体、GaN 功率半导体和 Ga 2 O 3功率半导体列为未来功率半导体市场感兴趣的产品。

SiC 功率半导体用于 SiC-SBD(肖特基势垒二极管)、SiC-FET 和 SiC 功率模块。尽管 2020 年受到新型冠状病毒感染的影响,但由于对信息和通信设备和太阳能发电的强劲需求,市场规模同比增长 9.6% 至 493 亿日元。未来,汽车、铁路车辆、能源设备、工业设备等的采用将增加,预计到2030年将达到1859亿日元。

GaN 功率半导体市场预计到 2030 年为 166 亿日元,而 2020 年为 22 亿日元。数据中心和5G基站投资将继续增加,信息通信设备领域有望保持坚挺。预计在2022年后安装在xEV等汽车上。

Ga 2 O 3功率半导体的市场仍然很小,但预计到2021年开始量产时市场将达到2亿日元。与SiC功率半导体和GaN功率半导体相比,具有高耐压、低损耗等特点,可以降低成本。首先,它将用于消费设备和其他耐压为600V的应用,预计2025年后将安装在汽车上。2030年市场规模预计为465亿日元。

此外,预计到 2030 年功率半导体相关组件市场为 3752 亿日元,而 2020 年为 2068 亿日元。2030年制造设备市场预计为3144亿日元,2020年为1449亿日元。中国和台湾市场计划大力资本投资,预计2021年后需求将主要在亚洲增长。

第三代半导体高速成长GaN功率元件今年产值可望大增9成

研调机构TrendForce调查指出,受惠车用、工业与通讯需求挹注,今年第三代半导体成长动能可望高速回升,又以GaN功率元件成长力道最明显,预估其今年市场规模将达6100万美元,年增幅高达90.6%。

2018 至2020 年,第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足。不过,TrendForce 预期,首先,疫苗问世后疫情有所趋缓,将带动工业能源转换所需零组件如逆变器变频器等,及通讯基地台需求回稳;其次,随着特斯拉Model 3 电动车逆变器逐渐改采SiC 元件制程后,第三代半导体于车用市场逐渐备受重视。

第三,中国政府为提升半导体自主化,今年提出十四五计画,投入巨额人民币扩大产能,三大因素都将成为推升今年GaN及SiC等第三代半导体高速成长的动能。

观察各类第三代半导体元件,GaN元件目前虽有部分晶圆制造代工厂如台积电、世界先进等,尝试导入8吋晶圆生产,但目前主力仍以6吋为主。

TrendForce预估,因疫情趋缓,所带动的5G基地台射频前端、手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升,预期今年GaN通讯及功率元件营收分别达6.8亿和6100万美元,年增30.8%及90.6%。

其中,GaN 功率元件成长主要动能来自手机品牌如小米、OPPO、Vivo 率先推出快充,笔电厂商也有意跟进。TrendForce 预期,GaN 元件将持续渗透至手机与笔电配件,且年增率将在2022 年达到最高峰,后续随着厂商采用逐渐普及,成长动能将略为趋缓。

SiC元件部分,由于通讯及功率领域皆需使用该基板,6吋晶圆供应吃紧,预估今年SiC元件于功率领域营收可达6.8亿美元,年增32%。目前各大基板商如CREE、II-VI、意法半导体等已陆续开展8吋基板研制计画,但仍有待2022年后,才有望逐渐纾缓供给困境。

编辑:jq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    152

    文章

    10897

    浏览量

    235530
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31494

    浏览量

    267700
  • IGBT
    +关注

    关注

    1293

    文章

    4467

    浏览量

    265292
  • SBD
    SBD
    +关注

    关注

    0

    文章

    196

    浏览量

    14644
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3928

    浏览量

    70367

原文标题:​聚焦 | 功率半导体预测,氧化镓前景可期

文章出处:【微信号:wc_ysj,微信公众号:旺材芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 VS 氮化镓:第三代半导体的“双雄对决”

    以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率,逐步取代传统硅器件,成为电源系统的“新引擎”。然而,两者虽同属宽禁带半导体,却在
    的头像 发表于 04-28 14:44 3202次阅读
    碳化硅 VS 氮化镓:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的“双雄对决”

    基本半导体推出第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列产品

    基于第三代碳化硅MOSFET技术平台,基本半导体推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7款顶部散热封装产品。该系列产品聚焦工业与车载功率电子应用的实际痛点,在芯片性能与封装设计上进行
    的头像 发表于 04-23 15:32 424次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>推出<b class='flag-5'>第三代</b>碳化硅MOSFET顶部散热封装系列产品

    高频交直流电流探头在第三代半导体功率模块动态测试中的精准测量

    高频交直流电流探头克服磁饱和问题,实现超宽频带响应,适用于第三代半导体动态测试,提升电流测量精度与效率。
    的头像 发表于 03-13 11:56 280次阅读

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在半导体行业
    发表于 01-31 08:46

    龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台

    今天,龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代(G3) 超结 MOSFET技术平台。
    的头像 发表于 01-22 14:44 1300次阅读
    龙腾<b class='flag-5'>半导体</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术平台

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基
    的头像 发表于 01-16 11:41 662次阅读

    高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用

    高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
    的头像 发表于 01-15 09:16 457次阅读

    青禾晶元常温键合方案,破解第三代半导体异质集成热损伤难题

    关键词: 常温键合;第三代半导体;异质集成;半导体设备;青禾晶元;半导体技术突破;碳化硅(SiC);氮化镓(GaN);超高真空键合;先进封装
    的头像 发表于 12-29 11:24 681次阅读
    青禾晶元常温键合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>异质集成热损伤难题

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、
    发表于 12-25 09:12

    芯干线斩获2025行家极光奖年度第三代半导体市场开拓领航奖

    2025年12月4日,深圳高光时刻!由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕,数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂,共襄产业盛事。
    的头像 发表于 12-13 10:56 1203次阅读
    芯干线斩获2025行家极光奖年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>市场开拓领航奖

    上海永铭:第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

    AMEYA360理品牌:上海永铭第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案   引言:氮化镓(GaN)与碳化硅(
    的头像 发表于 12-04 15:34 543次阅读

    CINNO出席第三代半导体产业合作大会

    10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
    的头像 发表于 10-27 18:05 1640次阅读

    材料与应用:第三代半导体引领产业升级

    以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,正加速替代传统硅基材料,在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度,成为高频通信、
    的头像 发表于 10-13 18:29 1174次阅读

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
    的头像 发表于 10-08 13:12 1230次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>B3M平台深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    电镜技术在第三代半导体中的关键应用

    第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着
    的头像 发表于 06-19 14:21 973次阅读
    电镜技术在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>中的关键应用