对于SBD而言,半导体由n型层组成,因此金属充当二极管的阳极。同样地,只有电子是载流子,SBD变成了类似MOSFET的单极元件。
硅的能级不同于金属(能隙)。该能级因金属元素而异。符号ΦB用于表示不同的能隙。Pt(铂)是一种具有大能隙的金属。V(钒)或Ti(钛)是具有小能隙的金属。采用ΦB大的金属,泄漏电流小,但是正向电压VF大。采用ΦB小的金属,则情况相反。

文章来源:东芝半导体
审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
二极管
+关注
关注
149文章
10319浏览量
176676 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
9458浏览量
229936 -
SBD
+关注
关注
0文章
196浏览量
14484
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
NSR30CM3:双共阴极肖特基势垒二极管的卓越特性与应用分析
在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的二极管至关重要。今天就来和大家深入探讨一下NSR30CM3这款双共阴极肖特基势垒二极管,看看它在各类应用中能带来怎样的表现。
选型手册:MBR30200W 肖特基势垒整流二极管
仁懋电子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借200V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品
选型手册:MBR40100W 肖特基势垒整流二极管
仁懋电子(MOT)推出的MBR40100W是一款40A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借100V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品
半导体“沟槽式MOS势垒肖特基二极管(TMBS)”的详解;
如有雷同或是不当之处,还请大家海涵,当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 讲到肖特基势垒二极管,不明所以然的朋友还是会问:为什么叫“肖特基”?肖特基势垒二极管跟肖特基
肖特基二极管怎么用+原理
: 在普通PN结二极管中,电流导通需要克服P区和N区接触形成的内建电势差(势垒)。硅材料PN结的这个势垒高度通常在0.7V左右,因此需要大约0.7V的电压才能让二极管开始显著导通(开启
0201 表面贴装低势垒硅肖特基二极管反并联对 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()0201 表面贴装低势垒硅肖特基二极管反并联对相关产品参数、数据手册,更有0201 表面贴装低势
发表于 07-18 18:34
表面贴装, 0201 低势垒硅肖特基二极管 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()表面贴装, 0201 低势垒硅肖特基二极管相关产品参数、数据手册,更有表面贴装, 0201 低势
发表于 07-17 18:30
硅肖特基势垒二极管:封装、可键合芯片和光束引线 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()硅肖特基势垒二极管:封装、可键合芯片和光束引线相关产品参数、数据手册,更有硅肖特基势垒二极管:封装、可键合芯片和光束引线的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,硅
发表于 07-15 18:32
高效节能新选择!SST2045DPSL 肖特基二极管助力电子设备性能升级
SST2045DPSL是江西萨瑞微电子推出的一款高性能硅肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。专为追求高效率、低损耗的电子设备设计。SST2045DPSL
SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合,提升电力转换性能
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC

【科普小贴士】肖特基势垒二极管(SBD)的金属差异
评论