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Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
“NAND存储器”经常可以与“NOR存储器”相互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面...
2012-09-25 标签：flashNAND flashNOR flash 15.9万 5
STM32单片机对NAND Flash的读写以及在ASF中的使用
NAND Flash的容量较大。整片Flash分为若干个块（Block），每个Block分为若干个页（Page）。在每个页中，除了数据区域，也包含若干“...
2018-12-11 标签：nand flashstm32单片机 1.6万 0
1. 引言 NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑...
2017-12-01 标签：Nand flash数据存储技术 1.4万 0
相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash ...
2020-12-17 标签：DRAMsramNand flash 1.3万 0
全面介绍新型存储技术：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术，MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域，该技术拥有读写次数无限、写入速度快...
2023-01-07 标签：DRAM存储器Nand flash 7.8k 0
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
NAND Flash上的，指的是用于向闪存单元写入数据时使用的较高编程电压。通常高于用于其他操作如读取或擦除的正常工作电压。
2024-05-30 标签：电荷泵VccNand flash 5.3k 0
Flash名称的由来，Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位
基于K9F2G08U0A的Nand Flash操作和电路原理
由于K9F2G08U0A的总线宽度为8位，页大小为2048字节，需要5个寻址命令，所以NCON、GPG13和GPG14应该接高电平，GPG15应该接低电平。
2020-09-07 标签：控制器寄存器Nand flash 4.7k 0
简单易懂的OMAPL138开发板固化C6748程序到NAND FLASH步骤立即下载
类别：嵌入式开发 2014-07-10 标签：嵌入式开发NAND FLASHOMAPL138
NAND Flash存储器和使用ELNEC编程器烧录NAND Flash技术应用文档立即下载
类别：IC中文资料 2014-04-16 标签：存储器编程器NAND Flash
512Mb NAND FLASH AFND1208U1-CKA立即下载
类别：单片机IC 2014-07-17 标签：NAND FLASH非波动便携式
Linux MTD下获取Nand flash参数详解立即下载
类别：嵌入式开发 2011-05-10 标签：LinuxMTDNand flash
详细解说OMAPL138开发板Linux系统固化到NAND FLASH步骤立即下载
类别：DSP 2014-07-10 标签：DSPNAND FLASHOMAPL138
Allwinner Technology Nand Flash Support List立即下载
类别：产品手册 2016-09-26 标签：NAND Flash
NAND FLASH存储模块设计（XC3S1600E和NAND512W3A构成）立即下载
类别：模拟数字论文 2017-10-31 标签：NAND FLASH
NAND FLASH在WINCENET系统中的应用设计立即下载
类别：模拟数字论文 2016-03-14 标签：NAND Flash
类别：模拟数字论文 2011-12-07 标签：NAND Flash
根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、...
2020-11-04 标签：三星电子Nand flashSK海力士 1.8万 0
存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
2021-10-07 标签：DRAM内存条Nand flash 1.4万 0
旺宏电子10月11日宣布，与全球第二大NAND Flash巨头东芝之间的「美国地区」专利争议最新进展。旺宏电子透露，美国国际贸易委员会（ITC）判定东芝...
24nm NAND Flash量产 东芯半导体高容量存储产品助力5G基站和可穿戴应用
作为国内存储芯片的重要厂商之一，东芯半导体在汽车存储、5G基站存储和物联网应用的存储上颇有建树。7月4日，东芯半导体副总经理陈磊接受了<电子发烧友>的独...
2020-07-07 标签：NAND FlashNOR Flash5G基站 8.4k 0
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2017-03-13 标签：NAND Flash紫光半导体投资 7.9k 0
2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%处于领先地位
三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX层 TLC NAND闪存，以及容量分...
2020-11-30 标签：三星电子Nand flashSK海力士 7.2k 0
据《华尔街日报》报道，清华紫光集团将收购武汉新芯的大部分股权，新武汉新芯将改名长江存储技术有限公司（Yangtze River Storage Tech...
2016-07-27 标签：美光DRAM芯片NAND Flash 7.1k 0
NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响，包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、以及操作环境等。因此，无法给出确切的数值。
2024-02-19 标签：NANDFlash存储器Nand flash 6.6k 0
TWS耳机热销带动NORFlash需求增加 兆易创新和旺宏前景展望乐观
据研究公司IDC的数据，2019年第三季度全球可穿戴设备出货量达到了惊人的8450万部，同比增长94.6%，其中，可听设备贡献了近半数的市场份额。真无线...
2019-12-11 标签：NAND Flash兆易创新TWS 6.4k 0
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，虽然疫情在中国看似趋缓，然而在中东、欧洲与美国急速扩散，世界卫生组织(WHO)已正式宣布新冠肺炎...
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