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MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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选型手册:MOT1514G 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT1514G是一款面向低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、大电流承载能力及紧凑封装设计,广泛适用...
选型手册:MOT4N70C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
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选型手册:MOT50N06D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借60V耐压、超低导通损耗及高速开关特性,广泛适...
选型手册:MOT5N50C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50C是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借500V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛...
双向控制赋能低压场景:中科微电ZK4030DS MOS管技术解析与应用探索
一、参数解构:N+P双沟道的性能优势在低压功率电子领域,对器件双向电流控制能力、电压适配性及能效的要求日益严苛,中科微电ZK4030DS作为一款N+P沟...
双沟道赋能低压场景:中科微电ZK3010DSMOS管技术解析与应用探索
在低压电子系统中,对功率器件的双向控制能力、低功耗与小型化需求日益迫切,传统单沟道MOS管往往需要多器件搭配才能实现双向电流管理,不仅增加电路复杂度,还...
SGT工艺加持下的高效功率器件:中科微电ZK150G09T MOS管全面解读
随着电子设备向高功率、小型化、高效能方向快速迭代,功率MOS管作为能量转换与控制的核心部件,其性能表现直接决定了整机的运行效率与可靠性。在中高压、中大功...
SGT工艺赋能大功率器件:中科微电ZK100G325B MOS管深度解析
中科微电作为国内功率半导体领域的领军企业,凭借多年技术沉淀推出的ZK100G325B N沟道MOS管,不仅以100V耐压、411A大电流等硬核参数打破性...
选型手册:MOT3140G 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT3140G是一款面向低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、超大电流承载能力及紧凑封装设计,广泛适...
选型手册:MOT7N70D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
仁懋电子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高压开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借700V耐压、低导通损耗及高速开关特性,广泛适用于高效...
中科微电ZK60G270G:车规级MOSFET中低压场景的性能标杆
在汽车电子的中低压功率控制领域,从电动助力转向(EPS)到智能水泵、风机系统,对器件的可靠性、效率与电流承载能力提出了严苛要求。中科微电推出的车规级N沟...
中科微电ZK40N100T:Trench工艺下的中端电动工具功率控制优选
在18V-36V主流电动工具市场中,功率器件的性能平衡与成本控制同样关键。中科微电推出的N沟道功率MOSFET——ZK40N100T,以40V耐压、90...
中科微电ZK200G120TP:中高压MOS管新标杆,赋能多领域高效能应用
在工业电源、新能源汽车辅助系统、光伏逆变器等中高压功率场景中,MOS管的性能直接决定着系统的能效、可靠性与安全性。中科微电作为国内资深MOS管源厂,凭借...
中科微电ZK200G120B:源厂技术赋能的中低压MOS管性能标杆
在工业自动化、新能源汽车、通信电源等中低压功率场景中,功率MOS管的性能直接决定系统的能效、可靠性与成本控制。作为国产功率半导体源厂的代表性产品,中科微...
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