选型手册：MOT5N50C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT5N50C 是一款面向 500V 高压高频场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 500V 耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED 电源等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与高压高频功率半导体布局

仁懋电子（MOT）深耕高压功率半导体器件研发，在500V 级高频 MOSFET 领域具备技术积累，产品以 “高耐压、快开关、高鲁棒性” 为核心优势，服务于高频电源、照明电子、工业控制等场景。MOT5N50C 系列作为其高压高频产品线的代表型号，针对 500V 高频开关场景优化了导通电阻与开关速度，在高频转换、感性负载驱动等场景中表现突出。

二、MOT5N50C 基本信息

MOT5N50C 为N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位 “500V 级高频高效开关器件”，适配 500V 系统的功率控制需求（如高频开关电源、电子镇流器等）。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 500V，兼容高压高频供电系统；
• 电流能力：25℃下连续漏极电流（ID）为 5A，脉冲漏极电流（IDpk）达 10A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 1.2Ω，在高压高频场景中平衡损耗与开关速度；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，无卤版本每卷 2500 片，适配高密度高频电路板设计；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT5N50D），满足不同工艺需求。

三、核心特性

MOT5N50C 围绕 “高压高频高效开关” 需求打造，具备以下技术优势：

• 快速开关能力：优化芯片设计实现快开关特性，适合高频开关电源（如 LLC 拓扑）、电子镇流器等对开关速度敏感的场景；
• 雪崩能量保障：通过雪崩能量测试（单脉冲雪崩能量典型值 4.5mJ），在感性负载开关、异常过压等场景下可靠性更高；
• 高 dv/dt 鲁棒性：强化 dv/dt 耐受能力（峰值反向恢复 dv/dt 典型值 650V/μs），适应高频高压环境的严苛工作条件；
• 环保与合规性：无卤版本符合绿色电子制造要求，适配 RoHS 合规的生产场景。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 500V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±30V，栅极驱动需控制在该范围内以避免栅极氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：5A（Tc=25℃），随结温升高需降额使用；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：10A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%），支持负载短时过载；
• 功耗（PD）：150W（Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 单脉冲雪崩能量（EAS）：4.5mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 峰值反向恢复 dv/dt：650V/μs，在高速开关场景中抑制电压尖峰。

五、封装与型号释义

MOT5N50C 的型号与封装对应关系如下：

• MOT5N50C：“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“5N” 代表 “5A 额定电流（N 沟道）”，“50” 代表 “500V 漏源耐压”，“C” 为版本标识（贴片封装 TO-252，无卤工艺）；
• MOT5N50D：后缀 “D” 对应 TO-251 直插封装，每管 70 片，适配传统插装式高压电路设计。

其贴片封装 TO-252 为表面贴装形式，无卤版本每卷 2500 片，满足规模化生产的高密度组装需求。

六、典型应用场景

MOT5N50C 凭借 500V 耐压与快速开关特性，典型应用包括：

• 高频开关模式电源：适配 LLC、反激等高频拓扑的 AC-DC/DC-DC 转换器，在服务器电源、工业电源中实现高效能量转换；
• 电子镇流器：用于荧光灯、高压气体放电灯的镇流器电路，通过高速开关实现灯光稳定驱动；
• LED 电源：在高压 LED 驱动电源中作为主开关管，兼顾耐压与高频开关需求；
• 高压负载控制：如高压继电器替代、高压电磁阀驱动等场景，利用其高耐压特性简化电路设计。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）