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LiDAR系统利用GaN的坚韧

LiDAR 代表 Light Detection and Ranging，即通过光带中的电磁辐射进行（远程）检测和测量。该设备应用了雷达的经典而简单的原...

2021-06-26 标签：电磁辐射 GaN ADAS系统 3.3k 0

电机驱动中氮化镓技术的应用前景

通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用...

2021-04-28 标签：电机驱动功率器件氮化镓 3k 0

利用GaN设计PFC整流器

传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性...

2021-04-14 标签：整流器元器件 GaN 3.7k 0

【当代材料电学测试】系列之四：宽禁带材料测试

随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。

2021-03-26 标签：万用表 SiC GaN 1.4k 0

GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

选用本款HGN093N12S/SL产品，可以让客户提高整机效率，并且温度也随之下降，效率提升之外，整体表现与CP值都能有效提升。

2021-03-23 标签：MOSFET MOS管氮化镓 3.8k 0

纳微专家谈：氮化镓GaN HEMT有体二极管吗？

工程师于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向导通，那到底有还是没有体二极管？

2021-03-15 标签：二极管氮化镓 GaN 1.2万 0

GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗，这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。

2020-12-10 标签：pcb 电路板电源转换器 4.4k 0

消除GaN-on-GaN器件热障的方法

GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷...

2020-11-29 标签：GaN 器件 4.4k 0

相对于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些优势

最终的器件是额定电压为650 V的FET，具有4 V的高阈值，小于15mΩ的导通电阻以及类似于单芯片的封装。

2020-12-07 标签：晶体管 SiC GaN 4.3k 0

基于GaN的PFC整流器及GaN无桥PFC拓扑、控制和性能

传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。

2021-03-09 标签：PFC GaN PFC整流器 5.2k 0

深度解读激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率转换（EPC）宣布了用于激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列。新的氮化镓（GaN）系...

2021-03-10 标签：GaN 光学传感器无人机 1.0万 0

如何采用氮化镓或GaN实现车辆电气化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽车行业正经历着从内燃机（ICE）到全电动未来的巨变。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 标签：电动汽车逆变器 GaN 6k 0

GaN-HEMT器件的动态R DSon值测量实验分析

GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电...

2021-03-22 标签：功率转换器测量电路 GaN 1.3万 0

通过EPC的GaN EPC2032的电路设计实验

GaN晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有较小的尺寸，非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用EPC的Ga...

2021-03-23 标签：EPC GaN GaN晶体管 4.8k 0

SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效...

2021-04-04 标签：led SiC 氮化镓 2.2k 0

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材...

2021-04-01 标签：二极管功率器件 GaN 3k 0

GaN转变充电器设计方案详解

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了进步。与使用等效硅器件的电路相比，它允许开发可在高开关频率下工作的转换器。GaN减小了变压器的尺寸...

2021-04-07 标签：转换器电源开关 AC-DC 4.9k 0

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 标签：MOSFET 晶体管功率器件 5.7k 0

氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较

硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶...

2021-05-26 标签：微处理器晶体管氮化镓 2.3k 0

基于GaN芯片的电源转换方案设计

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 标签：功率器件氮化镓 GaN 4k 0

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