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氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3...
GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、 功率越来越高
摘要 电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新...
随着5G的推出，新的无线电网络基础设施的一个重要环节是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要无故障运行，往往是在极端条件下，而且5G标准提出了更...
GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足,如在射频...
为了降低芯片的工作结温，基本理念是提高芯片有源区近端封装体的热导率，通过热传导的方式将热量迅速传输出去，避免热累积效应引起的局部温度升高。
【导读】众所周知，因为 GaN PA 需要使用特定的偏置时序，所以在某些设计中，GaN 功率放大器的上电和下电可能会具有挑战性。如果处理不当，可能会导致...
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能...
GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应...
从 70 年代下半叶开始，电源管理应用的主导技术是基于 MOSFET(金属氧化物硅场效应晶体管)器件，在效率和成本降低方面不断取得进步和改进。然而，随着...
在本文中，我们将仔细研究氮化镓 (GaN)晶体管，以及这种新的半导体技术如何有望彻底改变 D 类放大器的性能。 凭借其非常低的导通电阻、非常高且干净的开...
硅功率 MOSFET 没有跟上电力电子行业的演进变化，其中效率、功率密度和更小的外形因素是社区的主要需求。电力电子行业已经看到硅 MOSFET 的理论极...
GaN 晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 EPC 的 ...
650V GaN FET 较低的寄生电容降低了开关损耗。此外，与 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸内具有...
多年来，技术进步使得从功率器件获得高级性能成为可能。氮化镓 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一种类似于晶体的材料，能够传导更高的电压。与硅元件相比，电...
成果展示：具有1.1 kV级高击穿电压的GaN基肖特基二极管
为实现具有高击穿电压和优异正向特性的第三代半导体功率器件，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台，优化设计了一种具有p-NiO...
电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方...
为了以整流方式获得和谐同步的双向电流控制，在半桥和全桥GaN 应用中必须具有互补驱动信号。为避免交叉传导，有目的地将死区时间放置在驱动信号的高侧和低侧。...
对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用...
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