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氮化镓技术的应用

氮化镓（GaN）是一种具有半导体特性的化合物，是由氮和镓组成的一种宽禁带半导体材料，与碳化硅（SiC）并称为第三代半导体材料的双雄。GaN具有更宽的“带...

2023-02-15 标签：半导体化合物GaN 2.1k 0

氮化镓材料具有哪些优势

　　以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体即宽带隙半导体，具有高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等优异性能，满足了节能减排等国家重大战略需求，智...

2023-02-15 标签：半导体氮化镓GaN 7.2k 0

氮化镓属于无机非金属材料吗

　　20世纪40年代后，传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料，与有机聚合物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯...

2023-02-13 标签：氮化镓GaN 5.5k 0

GaN的衬底类型及在5G通信中的应用

　　氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更...

2023-02-13 标签：CMOS半导体GaN 1.4k 0

采用GaN技术的充电器的优点和缺点

　　氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更...

2023-02-13 标签：放大器充电器晶体管 6.2k 0

第三代半导体GaN材料的应用优缺点

　　GaN功率电子器件具有较高的工作电压、较高的开关频率、较低的导通电阻等优点，能够以极低的成本和较高的技术成熟度兼容硅基半导体集成电路工艺，在新一代高...

2023-02-13 标签：半导体电子器件GaN 2.2k 0

氮化镓半导体设备

按晶圆尺寸计算，GaN半导体器件市场的6英寸及以上GaN晶圆部分预计在预测期内将录得更高的复合年增长率。此尺寸范围的晶圆使制造商能够提高生产力并在单个批...

2023-02-12 标签：晶圆GaN半导体器件 739 0

氮化镓技术是什么意思

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结...

2023-02-12 标签：半导体发光二极管GaN 4.6k 0

氮化镓芯片优点

作为第三代半导体的核心材料之一，GaN其主要有三个特性——开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻。它在充电器上的优势主要体现在：体积小，重量轻；功率密度...

2023-02-12 标签：电阻半导体GaN 2.2k 0

氮化镓外延片的工艺及分类介绍

通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 标签：LED芯片氮化镓MOCVD 4.2k 0

谁发现了氮化镓半导体材料？这种材料的特性是什么？

氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，其具有宽带隙、高热导率等特点，宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合...

2023-02-12 标签：半导体氮化镓MOCVD 2.2k 0

深度学习是如何工作的？如何使用图像处理来检测图像中的缺陷

制造业中任何公司的主要目标都是为客户生产无缺陷产品。如果在产品开发过程中出现任何内部孔、凹坑、磨损或划痕（由于多种原因，从生产设备故障到恶劣的工作条件）...

2023-02-10 标签：编码器神经网络GaN 2.1k 0

硅基氮化镓技术到底有啥优势？

具体而言，SiC 近年来在很多领域都有应用，比如工业领域。对于 GAN 来说，可使用场景非常广泛。SiC 产品在高功率市场中有着很好的应用，例如 IGB...

2023-02-10 标签：IGBTSiCGaN 1.1k 0