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5G 技术有望提供延迟小于 1 毫秒的无线通信、100 倍的网络能效提升以及高达每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的数据速率。
ChatGPT核心技术：transformer的核心算法结构
由于transformer是更高级的神经网络深度学习算法，对数据量有很高要求，这也催生了从小数据如何快速产生大数据的算法，比如GAN对抗网络等。
凭借领先的GaNFast™氮化镓功率芯片+强力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的产品组合，纳微半导体以双擎驱动的姿态在电力电子能源转换领域高歌前进。
本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。 VDD 电容 VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶...
性质不同：静态电流是没有信号输入时的电流，也就是器件本身在不受外部因素影响下的本身消耗电流。动态电流是把单位时间里通过导体任一横截面的电量。
氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的...
碳化硅（SiC）技术改进了各种应用中的多个系统和子系统组件。与硅相比，碳化硅通过更快的开关、在整个温度范围内的平坦RDS（on）和更好的体二极管性能表现...
任何一个电子元件，不论是一个三极管还是一个集成电路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它连入电路里。一个三极管，只需要...
人脸修复是一种典型的ill-posed问题、可逆图像修复问题，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的场景下，高质量的人脸修复明显更具有挑战性。
本文提出的人体 NeRF 基于参数化人体模型 SMPL，它提供了方便的人体姿势以及形状的控制。进行 NeRF 建模时，如下图所示，本文将人体分为 16 ...
本文解释了平面磁件如何在效率、成本、空间要求以及散热方面显著改善电力电子器件的性能。阅读本白皮书后，您应该对平面磁性技术的优势以及自动化工作流程如何轻松...
众所周知，因为 GaN PA 需要使用特定的偏置时序，所以在某些设计中，GaN 功率放大器的上电和下电可能会具有挑战性。如果处理不当，可能会导致组件损坏...
氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”） 功率开关。只...
使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容
本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
数字 GaN 是使用 GaN IC 实现卓越性能的一个很有前途的选择。这是一种颠覆性的数字控制方法。模拟信号块不再“转换”为数字信号块。
从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体...
氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技...
小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？ 以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、...
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