电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>车规级氮化镓(GaN)技术有何优势?

车规级氮化镓(GaN)技术有何优势?

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

GaN为硅MOSFET提供的主要优点和优势

,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09

GaN功率半导体(氮化)的系统集成优势介绍

GaN功率半导体(氮化)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46

氮化(GaN)功率集成电路集成和应用

氮化(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19

氮化: 历史与未来

(86) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。 又过了65年,氮化首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物,氮化的熔点超过1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 来到我们身边竟如此的快

被誉为第三代半导体材料的氮化GaN。早期的氮化材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技术促进电源管理的发展

的挑战丝毫没有减弱。氮化GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技术助力电源管理革新

能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高频电源设计方案

在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术氮化GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化技术推动电源管理不断革新

的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11

氮化一瓦已经不足一元,并且顺丰包邮?联想发动氮化价格战伊始。

。联想此举直接将氮化快充拉到普通充电器一样的售价,如果以往是因为“贵”不买氮化而选择普通充电器,那么这次联想 59.9 元售价可谓是不给你任何拒绝它的理由。氮化快充价格走势氮化GaN)具有禁带宽
2022-06-14 11:11:16

氮化充电器

现在越来越多充电器开始换成氮化充电器了,氮化充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化到底是什么,氮化充电器哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半导体技术解析

氮化功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

氮化为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的优势

更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化发展评估

的系统解决方案,其市场潜力刚刚开始被关注。氮化如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用,它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱,这一发展历程融合了多种因素,是其一致发挥作用的结果
2017-08-15 17:47:34

氮化晶体管GaN的概述和优势

和功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化晶体管(GaN)的概念。  HD-GIT的概述和优势  松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50

氮化激光器的技术难点和发展过程

  激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53

氮化的卓越表现:推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化(GaN
2018-08-17 09:49:42

氮化能否实现高能效、高频电源的设计?

GaN如何实现快速开关?氮化能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops氮化什么好处? 氮化的出现
2023-08-21 17:06:18

GPS模块哪些特征?

GPS模块哪些特征?
2021-05-18 06:54:02

的器件选型

`各位今天聊聊的芯片选型。如果需要的芯片没有车级别的,但又工业级别的。从稳定性,可靠性方面考虑,应该要层元器件的那些特性为主要的考虑因素呢,是温度?`
2015-10-15 14:22:18

CGH40010F氮化GaN)高 电子迁移率晶体管

`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化GaN)高电子迁移率晶体管

Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1卫星通信氮化高电子迁移率晶体管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具卓越的功率附带效率。与硅或砷化
2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2氮化GaN)高电子迁移率晶体管

`Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化GaN)高电子迁移率 基于晶体管

Cree的CMPA801B025是氮化GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化与硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

IFWS 2018:氮化功率电子器件技术分会在深圳召开

功率氮化电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半导体将硅上氮化推入主流射频市场和应用

兼首席执行官John Croteau表示:“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天,MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了硅上氮化技术优势,射频性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38

MACOM:GaN在无线基站中的应用

用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化(GaN)撼动,这将对无线
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本优势

,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41

MACOM:适用于5G的半导体材料硅基氮化GaN

是硅基氮化技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上,MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示,硅衬底一些优势,材料便宜,散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔离探头实测案例——氮化GaN半桥上管测试

测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化实验室测试对象:氮化半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23

PCA9685是的么?我想要一个的PWM输出信号芯片(引脚越多越好)有没有推荐

PCA9685是的么?我想要一个的PWM输出信号芯片(引脚越多越好)有没有推荐。TLC5940-EP怎么样
2021-05-24 09:43:54

SGN2729-250H-R氮化晶体管

)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶体管

)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化晶体管SGN1214-220H-R氮化晶体管
2021-03-30 11:24:16

SiC GaN什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化(如充电器
2019-07-31 06:16:52

i.MX RT1170产品AEC-Q100认证吗?

大家好如题,i.MX RT1170产品AEC-Q100认证吗?如果是,能否提供相关文件?
2023-03-15 08:24:23

《炬丰科技-半导体工艺》氮化发展技术

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20

技术干货】氮化IC如何改变电动汽车市场

碳化硅(SiC)和硅上氮化GaN-on-Si)。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比,SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度(SiC-on-SiC)和更高的开关
2018-07-19 16:30:38

不同衬底风格的GaN之间什么区别?

氮化(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41

为什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

为什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化拥有宽禁带特性(WBG)。 硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16

为何碳化硅比氮化更早用于耐高压应用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”以及基于新型材料的电力半导体,其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化GaN)?

具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势氮化充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化系列”,告诉大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么是芯片

`  谁来阐述一下什么是芯片?`
2019-10-18 10:55:55

什么阻碍氮化器件的发展

=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化技术是5G的绝配,基站功放使用氮化氮化GaN)、砷化(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11

光隔离探头应用场景之—— 助力氮化GaN)原厂FAE解决客户问题

客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方,麦科信工程师对测试过程提供了技术支持。测试背景:3C消费类产品,其电源采用氮化GaN)半桥方案。测试目的:氮化半桥上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03

同步整流控制器作用

前言 同步整流(SR)控制器能够提高电源的转换效率。本文将一起探讨它们的优势以及它们如何使电源开发人员的工作更轻松。凭借出色的性能,宽带隙(WBG)功率半导体-比如碳化硅(SiC)或氮化GaN
2022-02-17 08:04:47

基于GaN的开关器件

在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30

基于氮化IC的150W高效率高功率密度适配器设计

高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何利用氮化实现高性能栅极驱动?

氮化技术是功率的真正推动者,如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时,才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发,MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34

如何学习氮化电源设计从入门到精通?

和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步:元器件选型对于工程师来说,GaN元器件相较于传统的MOSFET而言很多不同和优势,但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化、碳化硅、氮化
2020-11-18 06:30:50

如何实现氮化的可靠运行

我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23

如何用集成驱动器优化氮化性能

导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率设计。氮化 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29

如何精确高效的完成GaN PA中的I-V曲线设计?

作为一项相对较新的技术氮化(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说,在知晓了非线性GaN模型的基本概念(非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26

如何设计GaN氮化 PD充电器产品?

如何设计GaN氮化 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55

实现更小、更轻、更平稳的电机驱动器的氮化器件

的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。 氮化器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54

对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题?

氮化技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15

射频GaN技术正在走向主流应用

占有主要优势。”英飞凌氮化全球应用工程经理Eric Persson说道。氮化功率器件还是一个新事物,一时半会儿不会取代现在600V的主流技术--功率MOSFET。“要最大限度发挥(GaN功率技术
2016-08-30 16:39:28

将低压氮化应用在了手机内部电路

OPPO公司分享了这一应用的优势,一颗氮化可以代替两颗硅MOS,体积更小、更节省空间,且阻抗比单颗硅MOS更低,可降低在此路径上的热量消耗,降低充电温升,提升充电的恒流持续时间。不仅如此,氮化
2023-02-21 16:13:41

微波射频能量:工业加热和干燥用氮化

氮化(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28

德州仪器助力氮化技术的推广应用

在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中,一些TI最优秀的人才讨论当今最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于先前使用的硅晶体管,氮化GaN)可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高
2018-08-30 15:05:40

想要实现高效氮化设计有哪些步骤?

以适当的注意,测试设备和测量技术引入的寄生元件,特别是在较高频率下工作,可能会使GaN器件参数黯然失色,并导致错误的测量结果。  应用说明“高速氮化E-HEMT的测量技术”(GN003)解释了测量技术
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦应用的氮化技术介绍

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率
2022-11-10 06:36:09

有关氮化半导体的常见错误观念

器件-小时的测试,其故障率比MOSFET低100倍! 尽管宽带隙器件对温度的灵敏度低于硅器件,对氮化器件的可靠性的误解卻依然存在。事实上,芯片器件的故障机制比封装器件少,而且氮化器件已获得
2023-06-25 14:17:47

求一种基于Richtek RTQ7880的充电应用解决方案

基于Richtek RTQ7880的充电装置哪些核心技术优势
2021-08-06 06:19:11

硅基氮化与LDMOS相比什么优势

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55

碳化硅与氮化的发展

电动续航力的提升相当的帮助。因此,SiC及GaN功率组件的技术与市场发展,与电动的发展密不可分。然而,SiC材料仍在验证与导入阶段,在现阶段用领域仅应用于赛车上,因此,全球现阶段的用功率组件
2019-05-09 06:21:14

第三代半导体材料氮化/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48

请问氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

请问芯片到底哪些要求?

请问芯片到底哪些要求?
2021-06-18 07:56:37

谁发明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

重磅突发!又一家芯片公司被收购,价格57亿

,共同开发氮化功率器件。之后,两家企业还与富达投资(Fidelity)一道,于2021年底向GaN Systems投资1.5亿美元,推动公司的产品研发和市场推广。另外,公司还与半导体重要原厂瑞萨
2023-03-03 16:48:40

量产发布!国民技术首款MCU N32A455上市

2023年2月20日,国民技术在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和高可靠性等优势特性的N32A455系列车MCU并宣布量产。这是继N32S032EAL5+安全芯片之后,国民技术发布
2023-02-20 17:44:27

高压氮化的未来分析

就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高压氮化的未来是怎么样的

就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

#氮化 #英飞凌 8.3亿美元!英飞凌完成收购氮化系统公司 (GaN Systems)

半导体氮化
深圳市浮思特科技有限公司发布于 2023-10-25 16:11:22

已全部加载完成