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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。

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科普一下先进工艺22nm FDSOI和FinFET的基础知识

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 标签：晶体管 NPN晶体管 FinFET 1.2万 0

FinFET到底是什么呢？

提到FET，学电子的人都比较熟悉，FET就是Field-Effect Transistor，场效应管。

2023-07-12 标签：MOSFET 场效应管 FET 4.7k 0

半导体前端工艺：金属布线—为半导体注入生命的连接

生成接触孔后，下一步就是连接导线。在半导体制程中，连接导线的过程与一般电线的生产过程非常相似，即先制作线的外皮。在一般的电路连接中，直接采用成品电线即可...

2023-07-11 标签：半导体 TSMC 晶体管 4.4k 0

什么是FinFET？鳍式场效应晶体管有哪些优缺点？

推动半导体行业发展并使今天的芯片成为可能的关键技术趋势之一是采用FinFET工艺。工程师介绍，另一种有前途的技术是环栅（GAA）晶体管。这提供了栅极和沟...

2023-07-07 标签：场效应管晶体管 FinFET 1.1万 0

合成是否仍然独立于工艺

物理合成的好处是改进了基于合成中实际物理信息的时序相关性，包括粗略放置和平面图。合成中的这种附加信息可实现准确的时序估计，使优化引擎能够专注于正确的路径...

2023-05-25 标签：布线编译器 FinFET 785 0

3nm及以下的5D提取需求

有据可查的是，与平面晶体管相比，从16nm/14nm开始的FinFET技术大大增加了必须提取的寄生值的数量。这些类似3D架构的鳍片会产生许多电容值，必须...

2023-05-25 标签：电容晶圆 FinFET 884 0

金属布线的工艺为半导体注入生命的连接

经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；

2023-04-28 标签：DRAM 晶圆晶体管 1.6k 0

芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了

虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。

2023-04-18 标签：芯片晶体管纳米 2.6k 0

单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。

2023-03-30 标签：CMOS DRAM AFM 5.6k 0

EDA探索之MOSFET的微缩-nanosheet era

主要的障碍在于n型和p型器件之间需要很大的空间余量，这使得有效纳米片宽度在按比例的单元高度中变得困难，空间被功函数金属的图形化步骤所消耗。

2023-03-24 标签：CMOS MOSFET eda 867 0

低功耗贯穿芯片设计全流程

低功耗一直是便携式电子设备的关键要求，但近年来，在人工智能、5G、大数据中心、汽车等应用快速发展的推动下，对低功耗的需求已经扩散到更多的终端产品中。

2023-02-14 标签：soc 散热器 RTL 2k 0

鳍式场效应晶体管工艺流程（FinFET）

首先沉积鳍轴( Mandrel)和硬掩模层，掩模图形化鳍轴并刻蚀，形成第一侧墙；

2023-01-31 标签：晶体管场效应晶体管 FinFET 4.8k 0

使用虚拟实验设计预测先进FinFET技术的工艺窗口和器件性能

负载效应 (loading) 的控制对良率和器件性能有重大影响，并且它会随着 FinFET（鳍式场效应晶体管）器件工艺的持续微缩变得越来越重要[1-2]...

2023-01-06 标签：晶体管 FinFET 负载效应 1.9k 0

FinFET 发展的演变

技术路线图始终是双向的，一半来自技术方面的进步，另一半来自市场的需求。

2022-08-10 标签：MOSFET 3D 晶圆 3.6k 0

适用于1nm逻辑技术节点器件架构解析

由于从平面 FET 过渡到 FinFET，晶体管尺寸减小了，而性能却提高了。这种转变是必要的，因为平面 FET 的性能在栅极长度减小时开始下降。FinF...

2022-07-21 标签：晶体管 FinFET 2k 0

5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高...

2022-05-07 标签：半导体电路仿真 FinFET 8.4k 0

未来半导体制造需要怎样的EDA工具机器学习为EDA带来什么改变

在20／22nm引入FinFET以后，先进工艺变得越来越复杂。在接下来的发展中，实现“每两年将晶体管数量增加一倍，性能也提升一倍”变得越来越困难。摩尔定...

2021-02-06 标签：晶圆 eda FinFET 4.5k 0

浅谈半导体晶体管间距的缩放面积及连续节点的有效密度

翻译自——newelectronics 摩尔定律已经不能用了吗？其实这取决于哪一方面。斯坦福大学电气工程教授Philip Wong与来自麻省理工学院、...

2021-01-25 标签：CMOS 电路设计 eda 4k 0

FinFET的效用已趋于极限浅谈晶体管缩放的难题

作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前...

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数字电路处理中仿照技术正在渐渐没落

在这样一个对数字电路处理有利的世界中，仿照技术更多地用来处理对它们晦气的进程。但这个现象或许正在改动。

2020-04-06 标签：传感器数字电路 FinFET 1.5k 0

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