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FinFET 发展的演变

半导体产业纵横 来源:半导体产业纵横 作者:半导体产业纵横 2022-08-10 11:44 次阅读

技术路线图始终是双向的,一半来自技术方面的进步,另一半来自市场的需求。

在摩尔定律的世界中,较小的节点会出现较大的问题已成为众所周知的现状。随着晶圆厂转向纳米片晶体管(Nanosheets) ,由于其他多层结构的深度和不透明度,检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具困难。因此,计量学采用了更多的混合方法,一些著名的工具从实验室转移到了晶圆厂。

纳米片(Nanosheets)是FinFET的继任者,架构的演变促使业界持续渴望提高速度、容量和功率。它们还有助于解决导致电流泄漏的短通道效应。先进平面 MOSFET 结构的最大弱点在于它们永远不会完全“关闭”。由于它们的配置,其中金属氧化物栅极位于沟道顶部(在源极和漏极端子之间传导电流),即使没有向栅极施加电压,一些电流也会继续流动。

FinFET将通道提升为一个“鳍”。然后,栅极在该鳍上呈拱形,允许其三面连接。然而,栅极的底部和鳍的底部是相互平齐的,所以仍然有一些电流可以通过。环栅设计将鳍片变成多个堆叠的纳米片水平“穿透”栅极,覆盖所有四个面,并包含电流。另一个好处是纳米片的宽度可以改变,以实现器件优化。

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FinFET 和 gate-all-around 与纳米片的比较。来源:Lam Research不幸的是,一个问题解决了,其他问题就出现了。IBM 工艺技术总监 Nelson Felix 表示:“对于纳米片架构,许多可能导致晶体管失效的缺陷都不是视线范围内的。它们位于纳米片的底部,或其他难以接近的地方。因此,在没有任何先验知识的情况下快速发现缺陷的传统方法不一定有效。”

因此,虽然从进化的角度来看这可能是线性的,但许多工艺和材料挑战必须解决。Nelson说:“由于纳米片是如何形成的,创建硅锗沟道不像FinFET一代那样简单。”

混合组合

目前正在使用几种技术,从光学显微镜到扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线,甚至拉曼光谱等更快的方法。

KLA 等知名光学供应商提供一线工具,采用散射测量法和椭圆偏振测量法等技术,以及高功率电子束显微镜。

Onto Innovation战略营销高级技术专家 Nick Keller 表示,由于有多个栅极堆栈,光盘测量需要将一个层次与下一个层次分开。在堆叠式纳米片器件中,每个片的物理尺寸都需要单独测量——特别是在选择性源极-漏极凹陷蚀刻(决定驱动电流)和内部间隔物蚀刻(决定源极-栅极电容,也影响晶体管性能)之后。我们已经与所有主要参与者进行了演示,他们对能够区分单个纳米片宽度非常感兴趣。”

Onto的光学临界尺寸(OCD)解决方案将光谱反射法和光谱椭圆偏振法与AI分析引擎(称为AI衍射)相结合,提供埃级 CD 测量,与传统 OCD 工具相比,具有卓越的层对比度。

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光谱椭偏仪或光栅反射仪(散射仪)等技术可以测量 CD 并研究特征形状。KLA 将散射测量描述为使用宽带光照亮目标以进行测量。反射信号被输入算法,将信号与基于已知材料特性和其他数据创建的模型库进行比较,以查看 3D 结构。该公司最新的 OCD 和形状计量系统可识别一系列工艺层中 CD、高 k 和金属栅极凹槽、侧壁角度、抗蚀剂高度、硬掩模高度、间距步距的细微变化。改进的阶段和新的测量模块有助于提高吞吐量。

芯片制造商依靠人工智能引擎和计量学中的深度计算来处理数据流。Cyber Optics 首席执行官Subodh Kulkarni 说:“他们为我们当天应该看的东西做建模数据,这对我们有帮助。提供快速的分辨率和准确度。这很难实现。我们最终依靠CMOS的分辨率和GPU的带宽来处理所有数据。因此,在某种程度上,我们依靠这些芯片来开发这些芯片的检测解决方案。”

除了海量数据处理之外,来自不同工具的数据必须无缝组合。“混合计量是一种流行趋势,因为每种计量技术都非常独特,并且具有明确的优势和劣势,”布鲁克产品营销总监 Lior Levin 说。“没有一种单一的计量方法可以满足所有需求。”

混合方法被广泛接受。“系统制造商正在将两种不同的技术集成到一个系统中,”布鲁克微电子 AFM 的董事兼业务经理 Hector Lara 说。他说,布鲁克根据实际经验,决定反对这种方法,这表明它会导致次优性能。

另一方面,混合工具可以节省时间,并在晶圆厂中实现更小的占地面积。例如,Park Systems 将 AFM 精度与白光干涉仪 (WLI) 集成到单个仪器中。根据 Park Systems Americas 总裁 Stefan Kaemmer 的说法,其目的是在线吞吐量。虽然 WLI 可以快速发现缺陷,但“您只需将样品移几厘米至 AFM 头部,而不必花时间将其卸载然后将其加载到另一个工具上,”Kaemmer 说。

与此同时,布鲁克公司为 3D 逻辑应用提供了 X 射线衍射 (XRD)/X 射线反射仪 (XRR) 和 X 射线荧光 (XRF)/XRR 的组合。“对于绝大多数应用来说,这种方法是一种非常专业的工具,具有单一的计量功能,”莱文说。“然后将数据进行混合。这是最好的选择。”

AFM(原子力显微镜)提供的功能

AFM在纳米片检测中受到关注,因为它们能够区分细微细节,这种能力已经在 3D NAND 和 DRAM 生产中得到证明。“在 AFM 中,我们并没有真正发现缺陷,”Kaemmer 解释说。“主要是,我们读取通常来自某些 KLA 工具的缺陷图,然后我们去客户选择的任何地方仔细检查。之所以有用,是因为光学工具会告诉你有一个缺陷,但一个缺陷实际上可能是三个较小的缺陷,它们靠得太近,光学工具无法区分它们。”

关于AFM的标准笑话是,当它们在近四十年前首次开发时,它们的操作更容易解释。1985 年,当电唱机在每个家庭中时,几乎不需要想象一种乐器,其中一个从悬臂伸出的尖锐尖端沿着表面摸索以产生信号。通过电磁(有时是化学)修改,这本质上是所有现代 AFM 的硬件设计。现在,在包括硅、金刚石和钨在内的一系列材料中,尖端的几何形状有很多变化,从金字塔形到圆锥形。

有两种基本的操作模式。一是敲击。顾名思义,悬臂在其自然共振频率下进行振荡,为 AFM 控制系统提供最高精度的力控制。结果是半导体结构的纳米级空间拓扑绘制。第二种使用亚共振模式,在尖端-样品相互作用期间产生最大的力控制。这种方法对于高纵横比结构非常重要,因为它可以提供高精度的深度测量,在某些结构中,还可以提供侧壁角度和粗糙度。

当今的商业生产工具适用于特定应用,例如缺陷表征或表面轮廓测量。与光学显微镜不同,AFM的改进集中在提高分辨率上,例如,AFM正在研究用于混合键合的键合焊盘的细微轮廓变化,或揭示分子粘附等缺陷特征。

“粘合确实是 AFM 的最佳选择,”布鲁克高级应用科学家肖恩·汉德 (Sean Hand) 说。“它真的是平面的,它是平坦的,我们能够看到纳米级的粗糙度,以及重要的纳米级坡度变化。”

此外,由于尖端可以施加足够的力来移动粒子,原子力显微镜可以发现误差并进行校正。近二十年来,它们一直被用于生产中,以去除碎片并对光刻掩模进行图案调整。从 EUV 掩模中去除污染物,使光掩模迅速恢复生产使用。这延长了掩模和标线的寿命,并避免了湿法清洁造成的表面退化。

基于 AFM 的颗粒去除是一种成本显着降低的干洗工艺,并且不会在光掩模表面增加残留污染物,这会降低掩模寿命。表面相互作用是缺陷的局部,这将污染其他掩模区域的可能性降至最低。该工艺的高精度允许在脆弱的掩模特征内进行清洁,而不会造成损坏。

在高级的光刻技术中,AFM也用于评估许多高 NA EUV 的候选光刻胶,包括金属氧化物光刻胶和更传统的化学放大光刻胶。“通过对高NA EUV研究的薄抗蚀剂评估,现在可以看到更薄的抗蚀剂沟槽。”Imec 研发计量经理 Anne-Laure Charley 说。“这成为 AFM 的一个非常好的用例。”

然而,AFM的缺点是它们仅限于表面表征。它们无法测量层的厚度,并且可能在深度 3D 轮廓信息方面受到限制。Charley 人合著了一篇论文,探讨了AFM中垂直(z)漂移问题的深度学习校正。“如果你的结构有一个小沟槽开口,但它很深,你将无法用沟槽底部的尖端来回答,那么你将无法表征完整的边缘深度,并且沟槽底部的轮廓,”她说。

拉曼光谱

拉曼光谱依赖于对非弹性散射光的分析,是一种成熟的离线材料表征技术,正在逐步进入晶圆厂。据 IBM 的 Felix 称,它很可能会上线以回答 3D 计量的难题。“有一套晶圆表征技术在历史上一直是离线技术。例如,拉曼光谱可以让你真正探测键合的样子,”他说。“但有了nanosheet,这不再是一个数据集,你可以只进行抽查,让它成为单向信息。我们必须以一种截然不同的方式使用这些数据。将这些技术引入晶圆厂,并能够在不断移动的晶圆上非破坏性地使用它们,这是真正需要的,因为材料集和几何结构非常复杂。”

XRD/XRF

除了 AFM,其他强大的技术也被引入纳米片计量库。例如,布鲁克正在使用 X 射线衍射 (XRD),这是一种晶体学技术,罗莎琳德·富兰克林 (Rosalind Franklin) 在 1952 年利用该技术创造了著名的“照片 51”来显示 DNA 的螺旋结构。

据 Levin 介绍,在 FinFET 发展的鼎盛时期,企业采用了 XRD 技术,但主要用于研发。“看起来在这一代设备中,X 射线计量的采用率要高得多。”

Levin 说:“对于周围的栅极,我们将 XRD——最先进的 XRD,高亮度源 XRD,用于测量纳米片堆叠 ,与 XRF 相结合,他们两个都是测量残留部分,确保所有东西都连接起来,以及那些凹陷的边缘台阶。XRF 可以提供非常准确的体积测量。它可以测量单个原子。因此,您可以以一种非常灵敏的方式测量凹边,即凹边后剩余的材料。它是一种直接测量,不需要任何校准。您获得的信号与您要测量的信号成正比。因此,这两种技术在 GAA 初始开发中得到了广泛采用。”

Bruker Semi X 射线的首席技术专家 Matthew Wormington 提供了更多细节:“高分辨率X射线衍射和X射线反射测量是两种技术,对各个层的厚度和成分非常敏感,这是控制3D工艺下游某些X参数的关键。栅极全方位结构构建在工程基板上。第一步是平面结构,即硅和硅锗层的周期性阵列。X 射线测量在这个非常关键的步骤中至关重要,因为一切都建立在此之上。这是一个关键的启用测量。因此,现有技术变得更有价值,因为如果你的基底基板不正确——不仅仅是硅,还有 SiGe/Si 多层结构——之后的一切都会受到挑战。”

结论

纳米片晶体管和其他 3D 结构的引入要求更广泛地使用 AFM、X 射线系统、椭偏仪和拉曼光谱等工具。Imec 的 Charley 说:“我们发现,晶片堆叠存在一些具体的挑战。最终需要通过硅进行测量。因为将两个晶片堆叠在一起时,需要通过背面进行测量或检查,最终仍然有一个相对较厚的硅。这意味着要使用不同的波长,特别是红外。因此,供应商正在为此类用例开发使用红外线的特定叠加工具。”

至于谁将最终推动研究,这取决于你何时提出这个问题。“技术路线图始终是双向的,”Lior 说。“这很难量化,但大约一半来自技术方面的进步,另一半来自市场的需求。每隔两三年,我们就会推出新一代工具。”

审核编辑:彭静
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    W50267ASZ8_sstc_halfbridge_gerber的资料分享

    描述 W50267ASZ8_sstc_halfbridge_gerber 带 IRFP460 MOSFET 的固态特斯拉线圈半桥板。 物料清单: 项目 ...
    发表于 09-01 07:27 774次 阅读

    功能齐全的的TPS54821RHLR大电流降压模块

    描述 TPS54821RHLR大电流降压模块 输入电压:4.5-17v 输出电压:可调电压(默认设置3.3v) 输出电流:(最大8A,大...
    发表于 08-16 07:22 563次 阅读

    使用NE555和Mosfet调整脉冲宽度调制

    描述 使用 NE555 和 Mosfet 调整脉冲宽度调制 这是一个简单的电路,非常容易构建并且效率很高。有足够的空间安装散热器,...
    发表于 08-09 06:40 385次 阅读

    驱动BLDC电机的半桥开启高端和低端MOSFET

    描述 DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出 该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。...
    发表于 08-09 06:31 397次 阅读

    基于DW01A电池保护IC和FS8205A双mosfet的Lipo/锂离子保护板

    描述 Lipo/锂离子保护板 该保护板可保护您的 Lipo 或锂离子电池。它基于DW01A电池保护IC和FS8205A双mosfet。这个微...
    发表于 08-08 06:12 847次 阅读

    STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

    部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
    发表于 05-21 05:05 265次 阅读

    AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

    用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
    发表于 05-20 18:05 356次 阅读

    ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

    或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
    发表于 05-20 17:05 376次 阅读

    STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

    805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
    发表于 05-20 12:05 249次 阅读

    STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

    LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
    发表于 05-20 12:05 202次 阅读

    STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

    电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
    发表于 05-20 10:05 272次 阅读

    NCP81143 VR多相控制器

    43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-09 11:36 684次 阅读

    NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

    031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
    发表于 07-29 19:02 611次 阅读
    NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

    NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

    1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
    发表于 07-29 19:02 689次 阅读

    LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

    JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 19:02 444次 阅读

    FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

    代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
    发表于 07-29 19:02 503次 阅读

    FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

    度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
    发表于 07-29 19:02 1758次 阅读

    NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

    31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 19:02 713次 阅读

    NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

    39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
    发表于 07-29 19:02 891次 阅读

    ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

    1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
    发表于 07-29 19:02 689次 阅读

    NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

    49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
    发表于 07-29 19:02 430次 阅读

    NCP81141 Vr12.6单相控制器

    41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 18:02 850次 阅读

    NCP81147 低压同步降压控制器

    47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
    发表于 07-29 18:02 716次 阅读

    NCP5230 低压同步降压控制器

    0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-29 17:02 786次 阅读

    NCP3030 同步PWM控制器

    0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
    发表于 07-29 17:02 514次 阅读
    NCP3030 同步PWM控制器