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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了,EUV已经遇到了一些延迟,将技术从一个节点推向下一个阶段,本单元详细介绍了EUV光刻机,EUV光刻机技术的技术应用,EUV光刻机的技术、市场问题,国产euv光刻机发展等内容。
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新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑...
超快光谱学和半导体光刻领域皆依赖于非常短的波长,往往在极紫外extreme ultraviolet,EUV波段。然而,大多数光学材料强烈地吸收该波长范围...
DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithogr...
光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后,光掩模可以吸收或散射光子,或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
追求更小的 DRAM 单元尺寸(cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点,DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无...
目前主力出货的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度为1.1nm,曝光速度30 mJ/cm2,每小时曝光160片晶圆,年产量为140万片。
实现3nm以下微缩的关键技术之一涉及在芯片背面提供功率。这种新颖的方法增强了信号完整性并减少了路由拥塞,但它也带来了一些新的挑战,目前还没有简单的解决方案。
该专利提供一种光刻装置,该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样,使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化,从而达到匀光的目的,进而也就解决了相关技术...
该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror,FFM)、光阑复眼镜 32(diaphragm flyeye mirror,PF...
光刻是半导体工业的核心技术。自1960年Fairchild Semiconductor的罗伯特·诺伊斯发明单片集成电路以来,光刻一直是主要的光刻技术。
光刻是半导体工艺中最关键的步骤之一。EUV是当今半导体行业最热门的关键词,也是光刻技术。为了更好地理解 EUV 是什么,让我们仔细看看光刻技术。
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术,简单来说,就是以极紫外光作“刀”,对芯片上的晶圆进行雕刻,让芯片上的电路变成人...
随着光刻胶层变得更薄,整体光刻胶的特性变得不那么重要,并且光刻胶(暴露与否)与显影剂和底层之间的界面变得更加重要。
EUV光刻技术出现新的挑战:3nm节点的金属间距约为22nm
22 nm 节距quasar illumination的较小部分使得最低衍射级避免了遮挡可以安全使用,但填充的pupil不到 20%,这再次意味着额外的...
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