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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
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在当前计算密集的高性能系统中,动态随机存储器(DRAM)和嵌入式动态随机存取存储器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器...
追求更小的 DRAM 单元尺寸(cell size)仍然很活跃并且正在进行中。对于 D12 节点,DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um²。无...
DRAM 仍然是任何这些架构中的重要组成部分,尽管多年来一直在努力用更快、更便宜或更通用的内存取代它,甚至将其嵌入到 SoC 中。
三管MOS DRAM基本单元电路原理 单管MOS动态RAM基本单元电路原理
如果需要读出数据,首先需要给T4加上一个预充电信号,然后VDD给读数据线充电,代表需要读出的数据是“1”,进行读出时,读选择线是高电平。此时,如果原...
磁性隧道结(MTJ)通常是由两层铁磁材料中间夹着薄绝缘屏蔽(MgO 或Al2O3)层组成的,它可以实现双稳态隧道磁电阻 ( Tunneling Magn...
两种最常见的商业存储器位于频谱的两端。DRAM 速度很快,但需要持续供电来维持其信息。闪存是非易失性的,对于长期大容量存储来说足够稳定,但速度不是特别快...
可通过去除电容外部杂质硼和氢,减少电容器形成后的热量预算,消除泄漏电流的退化,而不改变电容器的结构或材料。
高速串口不需要时钟信号来同步数据流,也就没有时钟周期性的边沿,频谱不会集中,所以噪声干扰少很多。
薄沉积的使用可以使抗蚀剂硬化,厚沉积的使用可以缩小临界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。
在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中,一项最重要的工艺是蚀刻(Etch)——即,在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻(Etch)工程的成功取决于...
全面介绍新型存储技术:PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术,MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域,该技术拥有读写次数无限、写入速度快...
2023-01-07 标签:DRAM存储器Nand flash 7.8k 0
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型,导致半导体器件结构的日益复杂化。例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现,...
DRAM :动态随机存储器,必须不断的重新的加强 (REFRESHED) 电位差量,否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。
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