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怎么实现8bit 800Msps高速采样保持电路的设计？

标签：SiGe BiCMOS 1517 1

求一种12位25MS/s采样保持电路设计方案

标签：SiGe 820 1

SiGe技术如何提高RFIC性能？

标签：SiGe LNA RFIC 2507 3

用Gummel-Poon模型提取SiGe HBT的VBIC模型

标签：SiGe 1865 0

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锗化硅技术有哪些优点和高频特性的介绍立即下载

类别：电子资料 2020-09-09 标签：放大器半导体示波器 2.4k 0

如何使用SiGe技术提高射频集成电路的性能立即下载

类别：电子资料 2020-09-11 标签：IC SiGe LNA 835 0

石墨烯微波毫米波器件在国防航空领域有什么样的应用立即下载

类别：电子资料 2020-10-14 标签：SiGe 石墨烯毫米波 1k 0

非接触式射频感应IC卡进行读卡的原理详细介绍立即下载

类别：电子资料 2020-10-30 标签：射频 IC SiGe 885 0

如何设计一个TR模块的基本芯片立即下载

类别：电子资料 2020-11-11 标签：芯片 SiGe MMIC 2.2k 0

SGA3563Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 SiGe MMIC 1.4k 0

SGA6589Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器详细资料免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 SiGe MMIC 1.3k 0

SGA789Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 SiGe MMIC 1.5k 0

SGC2463Z高性能的SiGe HBT MMIC放大器的详细数据手册免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 SiGe MMIC 1.1k 0

SGA5263Z高性能MMIC放大器的详细资料免费下载立即下载

类别：IC中文资料 2018-07-26 标签：放大器 SiGe MMIC 978 0

sige资讯

SiGe与Si选择性刻蚀技术

文章来源：半导体与物理原文作者：jjfly686 本文简单介绍了两种新型的选择性刻蚀技术——高氧化性气体的无等离子体刻蚀和原子层刻蚀。全环绕栅极晶体...

2024-12-17 标签：SiGe 刻蚀 1.9k 0

Si/SiGe多层堆叠的干法蚀刻

引言近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不...

2023-12-28 标签：晶圆 SiGe 蚀刻 1.6k 0

基于SiGe HBT工艺的240GHz芯片的介绍和应用

最近合作伙伴发布了基于SiGe HBT工艺的240GHz芯片，在这里给大家介绍一下参数和指标，针对应用会在文末给大家一些方向性参考。雷达前端TRAˍ2...

2023-11-16 标签：芯片功率放大器振荡器 2.3k 0

深入探讨封装基板

来源：内容来自「驭势资本」，谢谢。半导体封装基础半导体制造工艺流程半导体制造的工艺过程由晶圆制造（Wafer Fabr ication）、晶圆测试...

2021-10-19 标签：芯片半导体 SiGe 1.0万 0

得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移动扬声器介绍

本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品——Nexperia的CFP封装SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移动系列扬声器。 1 产品...

2021-10-11 标签：整流器 SiGe 扬声器 3.9k 0

关于SiGe HBT 技术和应用的未来分析和介绍

在雷达应用这块，除了早已上市的77-78，79-81GHz雷达，主用于ADAS。同时94GHz雷达应用也已成熟，用于恶劣天气，机场地面监测等。同时最...

2019-09-06 标签：SiGe 分辨率晶体管 1.9万 0

格芯公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图

格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图，这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用...

2018-05-03 标签：cmos sige 5g 1.4k 0

美高森美推出世界首款单晶片硅锗RF前端器件LX5586

美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）日前推出世界首款单晶片硅锗（SiGe）RF前端（FE）器件L...

2018-04-27 标签：sige wifi fe 1.7k 0

下一代高性能晶体管——纳米线能否继任FinFET

据IEEE报道，来自IMEC的Hans Mertens研究小组，使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管，未来经过技术改进有可...

2016-11-23 标签：SiGe 晶体管 FinFET 4.5k 0

格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术，以促进下一代无线网络通信发展

格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方...

2016-06-08 标签：SiGe 射频芯片格罗方德 1.9k 0

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型号	描述	参考价格
SE7351L-T	SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	获取价格
SE7351L-AK3	SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.	获取价格
SE7265L-R	SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	获取价格
SE7265L-EK1	SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.	获取价格
SE7262L-EK1	SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.	获取价格

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工业4.0是由德国政府《德国2020高技术战略》中所提出的十大未来项目之一。该项目由德国联邦教育局及研究部和联邦经济技术部联合资助，投资预计达2亿欧元。旨在提升制造业的智能化水平，建立具有适应性、资源效率及基因工程学的智慧工厂，在商业流程及价值流程中整合客户及商业伙伴。
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Nvidia 是全球图形技术和数字媒体处理器行业领导厂商，NVIDIA的总部设在美国加利福尼亚州的圣克拉拉市，在20多个国家和地区拥有约5700名员工。公司在可编程图形处理器方面拥有先进的专业技术，在并行处理方面实现了诸多突破。公司创立于1993年1月，总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市。
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