在我们的项目中，时常会有参数或数据需要保存。铁电存储器的优良性能和操作方便常常被我们选用。FM25xxx FRAM存储器就是我们经常使用到的一系列铁电存储器，这一篇我们将讨论FM25xxx FRAM存储器的驱动设计、实现及使用。
2022-12-08 14:56:55
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对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:591885 
在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:174418 
ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
2023-12-19 09:03:014010 铁电存储器通常具有更快的随机存取时间（Access Time），能够更快地执行读取和写入操作。而闪存的存取速度较慢，通常与铁电存储器相比较为迟钝。
2024-01-23 18:17:519734 
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3：MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该
2022-11-17 15:05:44
RAM,ROM,EPROM,EEPROM,FLASH ROM的区别1、RAM指的是“随机存取存储器”，即Random Access Memory。它可以随时读写，而且速度很快，缺点是断电后信息丢失
2022-01-07 07:51:17
基础部分——RAM和ROM的区别？RAM：简称随机存储器，掉电后数据会丢失，任何时候都可以读写，读写速度快；ROM：简称只读存储器，掉电后数据不会丢失，但数据不能随意更新。——什么是IO的上拉和下拉
2021-11-08 09:04:22
Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人
2012-01-06 22:58:43
擦除，擦除后又可重新写入新的程序。 4、可电改写只读存储器（EEPROM）： EEPROM可用电的方法写入和清除其内容，其编程电压和清除电压均与微机CPU的5V工作电压相同，不需另加电压。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新写入新的程序。 4、可电改写只读存储器（EEPROM）： EEPROM可用电的方法写入和清除其内容，其编程电压和清除电压均与微机CPU的5V工作电压相同，不需另加电压。它既有
2017-10-24 14:31:49
概述：AT24C08是ATMEL公司出品的一款8192位的串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，每个存储单元有1024字，每个字为8位。AT24C08系列芯片采用8引脚PDIP，8引脚JEDEC SOI
2021-04-06 08:35:58
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素 FRAM注意事项FRAM与SRAM
2020-10-16 14:34:37
flash存储转换成铁电存储,应该怎么改代码？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
数据存储方案有静态存储器SRAM加电池的组合、FLASH闪存芯片、EEPROM和铁电存储器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加电池的组合容易因
2014-04-25 11:05:59
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性
2014-06-19 15:49:33
AT24C04B-PU港定ATMEL原厂现货电可擦除可编程只读存储器DIP封装AT24C04B-PU Microchip Technology / ATMEL Corporation 电可擦除可编程只读存储器 PB/HALO FREE 1.8V EEPROM PB/HALO FREE 1.8V DIP封装
2018-11-30 17:35:13
摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列
2014-04-25 13:46:28
M24C08只读存储器介绍
2021-03-24 07:31:49
MSP430G2553单片机里的ADC10MEM存储器怎么在IAR环境中说是只读存储器呢？怎么更改它的设置？
2013-11-26 17:22:09
ROM只读存储器，在单片机运行时，只能从中读取数据，不能向里面写数据。特点是掉电不丢失数据，在单片机中主要用来存储代码和常量等内容。FLASH存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。SRAM
2022-01-26 07:14:56
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
) ： 可自由对存储内容进行读写。* ROM (Read Only Memory) ： 只读存储器。各种存储器的特点项目RAMROM易失非易失SRAMDRAMFeRAMMask
2019-04-21 22:57:08
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
这条指令不会丢失，这是个什么地方呢？这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM(READ ONLY MEMORY)。为什么称它为只读存储器呢？刚才我们不是明明把两个数字写进去了吗？原来在89C51中
2022-01-26 07:12:18
概述：24LC16B是一款电可擦写可编程只读存储器芯片。
2021-04-08 07:04:40
如何使用多余的代码内存来释放一些Ram。什么是只读存储器？微控制器存储器被分为对应于电气特性（例如，易失性与非易失性）和结构因素的类别，例如8051在内部数据存储器和“外部”数据存储器之间的区别（外部...
2021-12-20 06:42:35
带FRAM存储器MSP430常见问题及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器
2018-08-20 09:11:18
富士通半导体（上海）有限公司供稿铁电随机存储器（FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
2019-07-26 07:31:26
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次
2021-11-10 08:28:08
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
存储器的分类及原理,动态随机存储器,静态随机存储器,只读存储器,其他存储器和技术.
2008-08-17 22:29:43
20 介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808 为例说明并行FRAM 与8051
2009-04-15 09:48:2566 铁电存储器FRAM 是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器，应用范围广泛。本文介绍FRAM 及其应用， 并给出FRAM 与MCS-51 单片机的接口电路和软件设计。
2009-05-13 16:25:4525 介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808 为例说明并行FRAM 与8051
2009-05-16 14:19:5310 铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:505083 
数控只读存储器构成的二进制码一七段显示变换器
2009-04-10 10:11:30807 
概述随着DS32X35系列产品的发布，Maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读/写操作与RAM类似。该系列器
2009-04-17 09:42:43891 
铁电存储器工作原理和器件结构
1 铁电存储器简介
随着IT技术的不断发展，对于非易失性存储器的需求越来越大，读写速度
2009-10-25 09:59:5013010 
铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感
2010-12-10 10:36:051194 什么是F-RAM？ F-RAM：铁电随机存储器。相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336822 目前具有突破性的存储技术有铁电RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相变RAM（PRAM）或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。
2016-04-22 11:10:492025 近几年，FRAM（铁电存储器）比较火，特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不，小编看到了一篇分享，是某网友总结的FRAM应用的心得，发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~
2017-03-24 18:27:172235 近十年来，在高速成长的非易失性存储器市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM
2017-03-27 15:19:411361 FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
2017-03-28 18:05:301791 作为现代最重要的发明之一，可擦除可编程只读存储器（EPROM）的问世要从一次质量控制问题说起。
2018-08-20 18:26:358800 本视频主要详细介绍了只读存储器分几种，ROM、可编程只读存储器、可编程可擦除只读存储器、一次编程只读内存、电子可擦除可编程只读存储器以及闪速存储器。
2018-11-27 17:29:0715072 本文档的主要内容详细介绍的是PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载。
2019-01-23 16:41:2533 铁电存储器是美国Ramtran公司推出的一种非易失性存储器件，简称FRAM。与普通EEPROM、Flash-ROM相比，它具有不需写入时间、读写次数无限，没有分布结构可以连续写放的优点，因此具有RAM与EEPROM的双得特性，而且价格相对较低。
2019-08-06 14:09:064355 只读存储器（简称ROM）所存数据，一般是在装入整机前事先写好的。整机工作过程中只能从只读存储器中读出事先存储的数据，而不象随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
2020-03-08 10:46:003530 新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 只读存储器和随机存储器区别：作用不同、特点不同
2020-07-27 15:09:4318654 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:264376 MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时
2020-08-07 17:06:122668 FRAM是一种铁电存储器，它使用铁电膜作为电容来存储数据，即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写，高读写耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:312219 相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以
2020-12-14 11:30:0038 只读存储器的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导操作系统。
2020-12-03 10:17:1727079 铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:168369 对于存储器，大家都有所了解，比如我们每天使用的手机内就具备存储器。为增进大家对存储器的认识，本文将对只读存储器的种类予以介绍，并对相变存储器、存储器生命周期、技术进行对比。如果你对存储器相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 10:31:009204 只读存储器，大部分只读存储器用金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管制成，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
2020-12-17 10:49:2510256 
半导体存储器芯片中的只读存储器（Read Only Memory，ROM），是一种存储固定信息的存储器，在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据。
2020-12-28 15:33:037940 FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点，符合科创板属性，目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2021-05-11 17:32:202726 赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
2021-05-16 16:59:522044 
。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行
2021-06-08 16:35:042381 “持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们
2021-06-17 15:35:452071 FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:281719 FRAM （铁电RAM） 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 （如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度
2021-10-28 10:26:563639 FRAM（铁电RAM）是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如 EEPROM、闪存）相比，铁电存储器不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低
2021-11-11 16:24:092080 根据组成元件的不同，ROM内存可以分类为掩模型只读存储器(MASK ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EEPROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215449 什么是FRAM？ FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）的特性，具有写入速度更快、读/写
2022-03-02 17:18:361780 一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:142353 铁电存储器称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。 FRAM结构图 FRAM技术特点： 非易失性：断电
2022-11-10 17:00:143282 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:464760 FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:561791 
铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-20 14:19:251320 
只读存储器（ROM）是一种计算机存储设备，用于存储固定数据和指令，其特点如下： 数据固定性：只读存储器中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这意味着ROM中的信息是静态的、不可
2024-01-17 14:17:393723 在计算机系统中，存储器是不可或缺的组成部分，它负责存储程序和数据以供处理器使用。其中，只读存储器（ROM）和随机读写存储器（RAM）是两种常见的存储器类型，它们在计算机系统中各自扮演着重要的角色。本文将详细探讨ROM和RAM之间的区别，包括它们的工作原理、存储特性、数据读写特性以及用途等方面。
2024-05-12 17:04:008283 RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）和ROM（Read-Only Memory，只读存储器）是计算机系统中两种不同类型的存储器，它们在构造、用途、存储原理、数据可修改性、数据保存、数据访问速度、存储容量、成本、功耗等方面存在显著区别。
2024-07-15 16:34:5319024 与RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器）有所不同，下面我们将介绍这三者的区别和特点。 1. RAM（随机存取存储器） RAM是计算机的主要工作内存，用于存储计算机运行时的程序和数据。它是一种易失性存储器，即在断电后数据会丢失。RAM的主要特
2024-08-06 09:13:334601 直接影响计算机的性能。 内存储器通常由两种类型的存储器组成：只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）。 一、只读存储器（ROM） ROM的定义和特点 只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）是一种非易失性存储器，其存储的数据在断电后不会丢
2024-08-06 09:15:014457 定义： RAM（Random Access Memory）：随机存取存储器，是一种易失性存储器，主要用于计算机和其他设备的临时存储。 ROM（Read-Only Memory）：只读存储器，是一种
2024-08-06 09:17:482550 可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种特殊的只读存储器，其存储内容可以通过编程来改变。PROM在计算机硬件、嵌入式系统、通信设备等领域有着
2024-08-06 09:22:083706 可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种特殊的只读存储器，用户可以根据自己的需要对其进行编程，从而实现对存储器中数据的自定义。PROM的出现
2024-08-06 09:23:541334 可编程的只读存储器（Programmable Read-Only Memory，简称PROM）是一种特殊的只读存储器，它允许用户在制造后对其进行编程。然而，一旦编程完成，PROM的内容就变得
2024-08-06 09:25:281725 内部存储器，也称为内存（Memory），是计算机系统中用于暂时存储程序和数据的重要组件。它直接与CPU相连，是CPU处理数据的主要来源。内部存储器主要由随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM
2024-09-05 10:42:197306 只读存储器（Read-Only Memory，ROM）是一种重要的计算机存储设备，它以非破坏性读出方式工作，即只能读出存储的信息而无法直接写入新的信息。这种特性使得ROM在存储固定程序和数据方面具有独特的优势。下面将详细阐述只读存储器的基本结构、工作过程以及相关的技术细节。
2024-09-05 10:43:463488 铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一种结合了RAM的快速读写能力和非易失性存储特性的存储技术。其结构特点主要体现在其独特的材料构成、工作原理、物理结构以及所展现出的优越性能上。
2024-09-29 15:18:541757 铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）作为一种新兴的非易失性存储器技术，凭借其独特的优势在存储市场中占据了一席之地。然而，与任何技术一样，铁电存储器也有其优点和缺点。
2024-09-29 15:21:003410 铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）与闪存（Flash）是两种不同类型的非易失性存储器，它们在工作原理、性能特点、应用场景等方面存在显著的差异。
2024-09-29 15:25:324375 相比，铁电存储器具有一些独一无二的特性，因此受到很大关注。今天Aigtek安泰电子就给大家介绍一下和铁电材料密切相关的铁电存储器（FRAM），以及功率放大器在铁电存储器（FRAM）铁电畴的高压极化测试中的应用。 一、铁电存储器的定义 铁电存储
2024-11-27 11:57:08992 
在数字存储技术的快速发展中，闪速存储器（Flash Memory）以其独特的性能和广泛的应用领域，成为了连接随机存取存储器（RAM）与只读存储器（ROM）之间的重要桥梁。本文将深入探讨闪速存储器的技术特性、分类及其在现代电子设备中的应用。
2025-01-29 16:53:001683
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