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半导体器件

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半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。

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半导体器件技术

加州大学研究人员推出首款稳定的全固态热晶体管

加州大学洛杉矶分校(UCLA)的一组研究人员利用电场来调节半导体器件的传热，推出了首款稳定的全固态热晶体管。该小组的研究详细阐述了该设备的预期应用和操...

2023-11-07 标签：晶体管电荷半导体器件 284 0

二极管的类型介绍

二极管的类型二极管是带有pn结或替代结的双端半导体器件。它们按结构和用途可分为整流二极管、齐纳二极管等。二极管已被广泛应用。整流二极管的功能二极管...

2023-11-03 标签：二极管电压 PN结 664 0

什么是先进封装？先进封装技术包括哪些技术

半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bu...

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功率半导体器件：IGBT模块和IPM模块的定义及区别

IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的...

2023-10-27 标签：IGBT 功率器件功率模块 3502 0

晶圆键合的种类和应用

晶圆键合技术是将两片不同结构/不同材质的晶圆，通过一定的物理方式结合的技术。晶圆键合技术已经大量应用于半导体器件封装、材料及器件堆叠等多种半导体应用领域。

2023-10-24 标签：CMOS 晶圆半导体器件 655 0

展开说说机器视觉与计算机视觉的区别

机器视觉系统在半导体器件制造中有着广泛的应用;事实上，如果没有机器视觉，计算机芯片的产量将会显著降低。机器视觉系统检查硅片、处理器芯片以及电阻和电容等子组件。

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元器件失效主要受哪些因素影响

由于P-N结的正向压降受温度的影响较大，所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件（TTL、HTL等集成电路）的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密...

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氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

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关于光刻技术的五大分类

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2023-10-08 标签：集成电路半导体器件光刻技术 787 0

半导体行业的创新案例

当技术优化的整体方法包括芯片设计、封装和产品级相互依赖性时，产品、设计、封装、工艺和器件相互依赖性的整体方法，以提高研发效率和价值创造

2023-10-07 标签：晶圆芯片设计半导体器件 449 0

led电路图符号的正反怎么看

不同的电路图可以使用不同的符号和标记方式来表示LED的正负极性。因此，在阅读特定电路图时，最好查阅相关的说明文档或标注，以确保正确地理解LED的正反极性...

2023-09-26 标签：led 电路图发光二极管 1.4万 0

半导体器件为什么热阻参数经常被误用？

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2023-09-25 标签：芯片 pcb 电路板 354 0

场效应管的作用和类型

场效应晶体管简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、没有二次击穿现象...

2023-09-20 标签：电阻场效应管晶体管 1559 0

关于碳化硅半导体的八大误区

太阳能光伏系统：为了提高转换效率和降低系统成本，太阳能光伏系统的输入电压也在增加，从600V增加到1,500V。

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半导体器件击穿原理和失效机制详解

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超结理论应用：平面VDMOS结构与超结MOSFET技术介绍

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氮化镓功率器就是电容吗氮化镓功率器件的优缺点

氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开...

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半导体器件散热性能的仿真实验

为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道...

2023-09-07 标签：封装仿真散热性能 521 0

传统封装和先进封装的区别在哪

半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再...

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