铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示了
2022-10-17 09:29:59
14081 一、试验的目的和意义 1、 电介质又称绝缘介质，也就是绝缘材料。绝缘材料在电场的作用下，总会流过一定的电流，以发热的形式产生能量损耗。在电压的作用下，电介质中产生的损耗称为介质损耗。如果介质损耗很多
2023-09-24 15:14:403946 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:5616123 
`1.介质损耗因数的定义 绝缘介质在交流电压作用下,电介质中的部分电能将转变成热能,这部分能量称为电介质损耗,介质损耗因数一般用正切值tanδ表示。电介质损耗由电导损耗、游离损耗和极化损耗三部
2020-09-21 21:55:48
定义变量假设介质的相对电介质常数和相对磁导率分别为：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i则有：材料 1 复数介电常数-实部：epsr1_r = 4材料 1 复数
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
AR增强现实技术解读
2021-01-26 06:29:13
发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实际的电介质总存在一些缺陷，或多或少存在一些带电粒子或空位，因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。
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2025-04-21 10:49:27
工艺。也可采用扁平线工艺来构建设计的产品坚固耐用，适用于恶劣环境，提供FEP全氟共聚物绝缘，仅提供导体或绝缘基，不同导线可以有最大3倍的外径差异，导体间距可变最大宽度为76.20毫米(3英寸);更可
2024-08-12 11:12:42
蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。蒸汽刻蚀
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在尝试使用两种材料定义基板，如附图所示，用于ADS EM仿真。据我所知，我需要为此定义电介质通路，但我想知道是否有人可以建议如何完成。非常感谢，Mojtaba编辑：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
随着示波器带宽需求的不断提升和数字处理技术的发展，示波器里越来越多地采用了带宽增强技术，带宽增强技术可以在相同硬件成本的情况下提供更高的带宽。那么，这种技术是如何实现的，实用中对信号测量会有
2018-04-03 10:34:04
随着示波器带宽需求的不断提升和数字处理技术的发展，示波器里越来越多地采用了带宽增强技术，带宽增强技术可以在相同硬件成本的情况下提供更高的带宽。那么，这种技术是如何实现的，实用中对信号测量会有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金属化技术
原理
在电介质膜上，镀上很薄的金属层，如果电介质
出现短路，金属镀层会因此而挥发并将短路的地
方隔离开来。
2008-07-17 10:20:15
27 周期介质膜压缩光栅中的导模共振效应:使用祸合波法以及特征矩阵法计算了周期膜堆结构以及介质压缩光栅的本征值，研究了介质型压缩光栅产生导模共振现象的条件，并计算了导
2009-10-26 16:52:3212 文章对于第三代短波ALE（快速链路建立）进行了研究，对其中的关键技术进行了讨论.并在美军3G-ALE 标准的基础上，根据短波信道的传播特性，针对窄带接收的短波快速跳频通信
2010-01-27 11:56:1522 新型镀膜技术实现高性能介质膜光学元件
2010-12-28 17:12:010 品详情：Agilent 16451B精确测量与评估电介质材料，与ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行极板技术，将被测材料夹于两电极间形成电容
2024-06-19 17:29:46
描述Agilent 16451B测量与评估电介质材料，与ASTM D150兼容。Agilent 16451B采用平行极板技术，将被测材料夹于两电极间形成电容器。然后使用LCR表或抗阻分析仪测量由夹具
2024-09-04 15:37:03
Agilent16451B 电介质材料测试夹、、商品详情：Agilent 16451B精确测量与评估电介质材料，与ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行极板技术，将被测材料夹于
2024-11-18 17:34:34
CH21型金属化复合介质膜电容器
CH21 型金属化复合膜介质电容器采用金属化复合膜卷绕而成，树脂浸涂包封，单向引出，具有电容量稳定、温度系数小的特点，适用于精密仪
2009-08-21 17:25:091000 镀复SiO2膜的电容器介质膜
成功一种能在几百小时连续沉积SiO2膜的新颖电子束蒸发装置，获国家发明专利，在此基础上
2009-12-08 09:03:32917 高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后栅极又称为可替换栅极(以下简称
2012-05-04 17:11:518073 
比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
2013-06-26 09:37:041526 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司已经推出微波电缆组件，其中利用了Temp-Flex™空气电介质（air-dielectric）超低损耗（ultra-low-loss）柔性微波同轴电缆
2013-07-25 11:41:483190 某项目在进行ESD测试当中，当静电枪靠近塑胶机器浮地产品的外壳进行空气放电时12KV，机器容易死机，重启或者VDD损坏。本文避重就轻，由EMC的点，来折射出EMC的面与体，我们选择了材料与器件
2018-05-18 02:19:004392 
本文将介绍MDTV用变频芯片电介质天线的电感器选定示例。变频芯片电介质天线改变天线的谐振频率，涵盖了超过相对带宽50%的470-800MHz频段。采用变容二极管来改变频率，按频道切换频率。由于本天线实现了小型化，因此可以采用LQW系列，内置于手机终端内。
2018-01-13 09:34:0811660 耐高温聚合物电介质材料的发展历史、结构特性以及应用研究等方面进行了综述。重点介绍了耐高温聚合物电介质材料在轨道交通牵引电机、新能源电力设备以及航空航天电气设备等电工绝缘领域中的应用状况。最后对耐高温聚合物
2018-01-15 11:31:350 介电常数是电介质物理里面常见的一物理概念，但是物理意义不是十分清楚，是些书本上说，介电常数表征的是电介质的束缚电荷的能力，也可表征材料的绝缘性能，介电常数越大，束缚电荷的能力越强，材料的绝缘性能越好，既然介电常数越大。
2018-03-07 16:16:33318473 
，电介质要消耗部分电能，这部分电能将转变为热能产生损耗。这种能量损耗叫做电介质的损耗。当电介质上施加交流电压时，电介质中的电压和电流间存在相角差Ψ，Ψ的余角δ称为介质损耗角，δ的正切tgδ称为介质损耗角正切。tgδ值是用来衡量电介质损耗的参数。仪器测量线路包括一标准回路（Cn）和一被试回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:042820 本文主要介绍了介质损耗测试仪工作原理。介质损耗测试仪测量方式及原理、介质损耗计算公式。在交流电压作用下，电介质要消耗部分电能，这部分电能将转变为热能产生损耗。这种能量损耗叫做电介质的损耗。当电介质上
2018-03-20 11:08:2922116 高储能密度和高可靠性电介质储能材料在各种电力、电子系统中扮演着越来越重要的角色，特别是在高能脉冲功率技术领域有着不可替代的应用。
2018-07-16 11:02:044826 ），Planar fxP，在单一产品平台上提供0.1微米生产的完整介电路线图。 Planar fxP采用Trikon专利的Flowfill和Low k Flowfill技术，用于标准和低k金属间电介质
2020-02-14 11:07:442627 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参与导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-08-07 17:01:5112466 固体介质广泛用作电气设备的内绝缘，常见的有绝缘纸、纸板、云母、塑料等。高压导体总是需要用固体绝缘材料来支持或悬挂，这种固体绝缘称为绝缘子，而用于制造绝缘子的固体介质有电瓷、玻璃、硅橡胶等。
2019-11-30 16:31:3015677 电介质物理学的相关知识，这是做电介质材料的基础，它对各章节的内容根据教学经验进行了精选，物理图象和基本概念解释的清晰透彻。而且内容中涉及到了量子力学，统计物理学，热力学，电动力学，固体物理和半导体科学等.
2020-05-28 08:00:0071 电阻、氧化物漏电、氧化物与半导体间不希望有的损耗介电薄层、多晶硅耗尽层和表面粗糙度等等的影响。减少纳米级MOS器件中栅极漏电的迫切需求刺激了用高k电介质替代SiON的努力。但是，将高k电介质引入生产线将再次引起C-V测量曲线积累区处的频率离散。到目前为止，频率离散的准确来源仍有待讨论。
2020-08-13 14:44:001061 
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:5811752 
薄膜电容的分类介绍 电介质分类 按电介质的不同可将薄膜电容器分为以下三种类型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯对苯二酸盐（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572839 平时所看到的电容器，虽然外表体型很小，但是内部却另有乾坤，现在市场的电容器，大多数规格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是内部质量，而电介质作为核心产品原料，它的质量和发挥会直接影响到电容的优劣势。很负责任的告诉各位，对于电介质的了解很重要，尤其是注意电介质的意外和相关处理方法。
2021-06-17 14:34:131099 电子发烧友网为你提供ADI(ti)EVAL-ADMP621-FLEX相关产品参数、数据手册，更有EVAL-ADMP621-FLEX的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，EVAL-ADMP621-FLEX真值表，EVAL-ADMP621-FLEX管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-08-31 15:00:03
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2021-08-31 17:00:04
与发展现状，重点讨论了导热填料、界面相容、成型工艺对材料导热系数的影响，最后结合导热聚酰亚胺复合电介质材料未来发展的需要，对研究中存在的一些关键科学技术问题进行了总结与展望。
2022-11-11 15:13:573923 陶瓷电容器是以陶瓷材料为电介质的电容器的总称。品种繁多，尺寸差异很大。按电压可分为高压、中压、低压陶瓷电容器。根据温度系数，介电常数可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数和低介电常数
2023-03-08 14:40:008153 
工业网络通信新概念及FLEX产品介绍
2023-03-08 10:57:123482 
据麦姆斯咨询报道，近期，国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院邵建达教授工作室和浙江大学光电学院沈伟东教授课题组联合提出一种基于全电介质紧凑薄膜结构的计算重构微型光谱仪。
2023-04-27 15:36:292298 
电介质材料快速且高效的导热散热已成为影响电子设备发展的关键问题。传统聚酰亚胺本征导热系数较低，限制了在电气设备、智能电网等领域中的应用，发展新型高导热聚酰亚胺电介质
2022-09-15 10:26:336329 
对于先通孔的过程，首先沉积通孔刻蚀停止层(ESL)的层间介质(ILD)、低k电介质、沟槽ESL、低k电介质的和覆盖层(下图(a))。
2023-08-14 10:22:563034 
一、电介质的损耗 介质损耗是指绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。介质损耗也叫介质损失，简称介损。表征某种绝缘材料的介质损耗，一般不用W或J等单位来表示
2023-09-24 16:08:319559 一、电介质的电导 电介质的电导可分为离子电导和电子电导，离子电导以离子为载流体，电子电导以自由电子为载流体。 1、离子电导 实际工程上所用的电介质多少含有一些杂质离子，这些离子与电介质分子联系非常弱
2023-09-26 16:47:534423 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:0010325 
电介质是能够被电极化的绝缘体。电介质的带电粒子是被原子、分子的内力或分子间的力紧密束缚着，因此这些粒子的电荷为束缚电荷。
2023-11-10 09:33:031251 
信号如何在无限大的导电介质中传播
2023-11-24 16:06:161798 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:421233 
Discharge），通常指电气设备中部分区域的电介质在电场作用下发生的非贯穿性放电现象，它往往是绝缘劣化和电气故障的先兆。 要理解局部放电，就得知道什么是电介质。在电力系统中，电介质是一种用于隔离电流、防止短路的材料。电缆中的电介质通常是
2024-04-09 18:37:501041 近日，ROHM亮相第十九届汽车灯具产业发展技术论坛暨上海国际汽车灯具展览会（简称ALE），展出了包括LED驱动器、高耐压MOSFET在内的多种产品及各类车灯解决方案。
2024-07-17 15:46:372104 
原理、工艺和应用场景上有所不同。 湿法刻蚀 湿法刻蚀是利用化学溶液（如氢氧化钠、氢氟酸等）与PDMS发生化学反应，从而去除PDMS材料的一种方法。该方法通常在常温或加热条件下进行，刻蚀速率和深度可以通过溶液浓度、温度和刻蚀时间
2024-09-27 14:46:431079 由中韩电介质材料及其应用会议委员会主办，宁波大学与桂林理工大学共同承办的“第七届中韩电介质材料及其应用会议”将于2024年10月18日-21日在浙江宁波-开元名都大酒店召开，届时Aigtek安泰电子
2024-10-10 08:00:22837 
主要介绍几种常用于工业制备的刻蚀技术，其中包括离子束刻蚀（IBE）、反应离子刻蚀（RIE）、以及后来基于高密度等离子体反应离子的电子回旋共振等离子体刻蚀（ECR）和电感耦合等离子体刻蚀（ICP）。
2024-10-18 15:20:413335 
一下！ 湿法刻蚀是一种利用化学反应对材料表面进行腐蚀刻蚀的微纳加工技术，广泛应用于半导体、光学器件和生物医学等领域。 湿法刻蚀的步骤包括以下内容： 准备工作 准备刻蚀液和设备：刻蚀液通常为酸性或碱性溶液，根据待加
2024-12-13 14:08:311390 ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子层刻蚀。是和ALD相对的，均是自限性反应，一个是沉积一个是刻蚀。ALD是每个循环只沉积一层原子，ALE是每个循环只刻蚀
2024-12-20 14:15:091780 
本文介绍了什么是原子层刻蚀（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基本原理：逐层精准刻蚀 原子层刻蚀（ALE）是一种基于“自限性反应”的纳米加工技术，其特点是以单
2025-01-20 09:32:431280 
ALD 和 ALE 是微纳制造领域的核心工艺技术，它们分别从沉积和刻蚀两个维度解决了传统工艺在精度、均匀性、选择性等方面的挑战。两者既互补又相辅相成，未来在半导体、光子学、能源等领域的联用将显著加速
2025-01-23 09:59:542208 
产业界之间的学术交流与合作，推动我国电介质理论研究、新型电介质材料开发、电介质相关元器件应用研究开发的知识创新、技术创新以及产业发展，推动电子元器件与材料的产学研结
2025-04-22 18:27:521107 
芯片刻蚀是半导体制造中的关键步骤，用于将设计图案从掩膜转移到硅片或其他材料上，形成电路结构。其原理是通过化学或物理方法去除特定材料（如硅、金属或介质层），以下是芯片刻蚀的基本原理和分类： 1. 刻蚀
2025-05-06 10:35:311972
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