FOD3182 输出电流为3A的高速MOSFET门驱动光耦合器

FOD3182是输出电流为3A的高速MOSFET栅极驱动光耦合器它由铝砷化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。它非常适用于等离子显示板（PDP）中使用的高频驱动的功率MOSFETS，电机控制逆变器以及高性能的DC-DC转换器中。
该器件封装在8引脚双列直插式外壳内，兼容260°C回流焊接工艺，符合无铅焊接的规定。

特性
以50kV /μs（典型）值）共模抑制为主要特点的高抗扰度
保证工作温度范围为-40°C至100°C
3A最小峰值输出电流
快速开关速度
210ns（最大值）传播延迟
65ns（大值）脉宽失真度
快速输出上升/下降时间
提供较低的动态功耗
250kHZ最大开关速度
Vcc工作范围（宽）：10V到30V
使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
5000V _rms，1分钟隔离
带滞后的欠压闭锁保护（UVLO） - 优化用于驱动MOSFET
最小爬电距离为8.0mm
最小绝缘厚度为0.5 mm
最小安全距离为10.0mm到16mm（选项TV或TSV）
1414峰值工作绝缘电压（V _IORM）
经认可的UL和VDE（需要'V'订购选项）