LTC4442 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

优势和特点

• 宽 V_CC 范围：6V 至 9.5V
• 38V 最大输入电源电压
• 自适应贯通保护
• 2.4A 峰值上拉电流
• 5A 峰值下拉电流
• 8ns TG 下降时间驱动 3000pF 负载
• 12ns TG 上升时间驱动 3000pF 负载
• 采用分离电源以匹配 PWM 控制器
• 驱动双 N 沟道 MOSFET
• 具欠压闭锁功能
• 耐热增强型 MSOP 封装

产品详情

LTC^®4442 是一款高频栅极驱动器，专为利用一种同步降压型 DC/DC 转换器拓扑结构来驱动两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4442 具有一个用于输入逻辑电路的分离电源，以实现与控制器 IC 信号摆幅的匹配。如果输入信号未处于被驱动的状态，则 LTC4442 将启动一种停机模式，该模式把两个外部 MOSFET 全部关断。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 42V 的电压条件下运行。
LTC4442 在驱动器和逻辑电源上均设有欠压闭锁电路，当存在欠压条件时，这些电路将关断外部 MOSFET。LTC4442 和 LTC4442-1 具有不同的欠压闭锁门限，以适应各种各样的应用。另外还内置了一种自适应贯通保护功能，用于防止因 MOSFET 交叉传导电流而造成功率损失。
LTC4442/LTC4442-1 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。

应用

• 分布式电源架构
• 高密度电源模块

方框图