TPS28225-Q1 Automotive 4.5V to 8V, 4A Synchronous MOSFET Driver

TPS28225-Q1和TPS28226-Q1是高速驱动器，此驱动器用于驱动具有自适应死区时间控制的N-通道互补驱动功率MOSFET。这些驱动器针对多种高电流单一相位和多相位dc到dc转换器中的应用进行了优化.TPS28225-Q1是一个提供高效，小尺寸，低电磁干扰（EMI）发射的解决方案。

通过8.8V栅极驱动电压，14ns自适应死区时间控制，14ns广播延迟和2A高源电流和4A灌电流驱动能力，可实现这一性能。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阀值并确保在dV /dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用N-通道MOSFET。 /p>

TPS28225-Q1特有一个3态PWM输入，此输入与采用3态输出特性的多相位控制器兼容。只要此输入停留在3态窗口的持闭时间达到250ns，此驱动器将两个输出都切换至低位。此关断模式避免了来自反向输出电压的负载。

其它的特性包括欠压闭锁，热关断和双向使能/电源正常信号。没有3态特性控制器的系统可以使用使能/电源正常输入/输出来在关断期间将两个输出保持在低位。

TPS28225-Q1采用经济型小外型尺寸集成电路（SOIC） 8引脚和耐热增强型小尺寸双边扁平无引线（DFN-8）封装方式。此驱动器额定扩展温度范围为-40°C至105°C，绝对最大结温为105°C。除了输入欠压闭锁，TPS28226-Q1的工作方式与TPS28225-Q1一样。除非另外注明，否则所有对于TPS28225-Q1的参考也适用于TPS28226-Q1。