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CSD22206W 8V P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据:

描述

这款-8V,4.7mΩ,1.5mm×1.5mm器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

特性

  • 超低电阻
  • 小尺寸封装1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电(ESD)保护
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD22206W CSD22202W15 CSD22204W CSD22205L
-8     -8     -8     -8    
-6     -6     -6     -6    
Single     Single     Single     Single    
5.7     12.2     9.9     9.9    
9.1     17.4     14     15    
      40    
-108     -48     -80     -71    
-5     -5     -5     -7.4    
11.2     6.5     18.9     6.5    
1.8     1     4.2     1    
2.1     1.6     3.2     1.2    
-0.7     -0.8     -0.7     -0.7    
WLP 1.5x1.5     WLP 1.5x1.5     WLP 1.5x1.5     LGA 1.2x1.2    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD22206W 相关库存