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CSD19537Q3 CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据:

描述

这款100V,12.1mΩSON3.3mm×3.3mm NexFET™功率MOSFET被设计成大大降低功率转换损耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线(SON)3.3mm×3.3mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19537Q3 CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19534Q5A CSD19538Q2 CSD19538Q3A
100     100     100     100     100     100     100    
  Single     Single     Single     Single     Single     Single    
14.5     6.4     4.9     9.5     15.1     59     61    
219     337     400     231     137     34.4     36    
16     37     48     27     17     4.3     4.3    
2.9     6.6     8.7     4.9     3.2     0.8     0.8    
SON3x3     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON5x6     SON2x2     SON3x3    
20     20     20     20     20     20     20    
3     2.7     2.6     2.8     2.8     3.2     3.2    
53     110     140     75     44     13.1     13.7    
50     100     100     100     40     14.4     15    
No     No     No     No     No     No     No    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD19537Q3 相关库存
  • MOSFETs

    型号:CSD19537Q3 封装:VSON-CLIP8

    品牌:TI 描述:表面贴装型 N 通道 100 V 50A(Ta) 2.8W(Ta),83W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)

    金额:¥3.16501

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