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这种20V，990mΩ，N沟道FemtoFET™MOSFET经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸中使用的高侧或低侧隔离式栅极驱动器提供参考解决方案。超低电容提高了开关速度。在数据线路应用中，较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）的同时大幅减小封装尺寸。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD15380F3 | CSD13380F3 | CSD17484F4 |
|---|---|---|
| 20 | 12 | 30 |
| Single | Single | Single |
| 1460 | 76 | 128 |
| 1.6 | 13.5 | 18 |
| 0.216 | 0.91 | 0.92 |
| 0.027 | 0.15 | 0.075 |
| LGA0.6x0.7 | LGA0.6x0.7 | LGA 1.0x0.6mm |
| 2220 | 73 | 125 |
| 10 | 8 | 12 |
| 1.1 | 0.85 | 0.85 |
| Yes | Yes | Yes |
型号：CSD15380F3 封装：XFDFN3
品牌：TI 描述：CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
金额：￥0.45158
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