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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表

描述

这款采用5mm×6mm SON封装的30V，2.9mΩ，NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

特性

低Q _g和Q _gd
低R _DS（on）
低热阻抗
雪崩级
无金引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）5mm x 6mm塑料封装

应用范围

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
针对控制场效应应晶体管（FET）应用进行了优化

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD17581Q5A	CSD17576Q5B	CSD17577Q5A
30	30	30
Single	Single	Single
4.2	2.9	5.8
3.4	2	4.2
256	400	280
20	25	13
4	5.4	2.8
SON5x6	SON5x6	SON5x6
20	20	20
1.3	1.4	1.4
123	184	83
60	100	60
Yes	Yes	Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表

元器件购买 CSD17581Q5A 相关库存

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