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这款100V，49mΩ，采用2mm×2mm SON封装的NexFET™功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD19538Q2 | CSD19537Q3 | CSD19538Q3A |
|---|---|---|
| 100 | 100 | 100 |
| Single | Single | |
| 59 | 14.5 | 61 |
| 34.4 | 219 | 36 |
| 4.3 | 16 | 4.3 |
| 0.8 | 2.9 | 0.8 |
| SON2x2 | SON3x3 | SON3x3 |
| 20 | 20 | 20 |
| 3.2 | 3 | 3.2 |
| 13.1 | 53 | 13.7 |
| 14.4 | 50 | 15 |
| No | No | No |
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