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这款99mΩ，30V N沟道FemtoFET™MOSFET的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60％以上。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD17484F4 | CSD13381F4 | CSD13383F4 | CSD15380F3 | CSD17382F4 |
|---|---|---|---|---|
| 30 | 12 | 12 | 20 | 30 |
| Single | Single | Single | Single | Single |
| 128 | 180 | 44 | 1460 | 67 |
| 18 | 7 | 27 | 1.6 | 14.8 |
| 0.92 | 1.06 | 2 | 0.216 | 2.1 |
| 0.075 | 0.14 | 0.6 | 0.027 | 0.63 |
| LGA 1.0x0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA0.6x0.7 | LGA 1.0 x 0.6mm |
| 125 | 170 | 53 | 2220 | 67 |
| 12 | 8 | 10 | 10 | 10 |
| 0.85 | 0.85 | 1 | 1.1 | 0.9 |
| Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
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