搜索历史

清空

搜索热词

0

聊天消息
系统消息
评论与回复

查看更多

查看更多

查看更多

VIP于到期续费

登录后你可以

下载海量资料
学习在线课程
观看技术视频
写文章/发帖/加入社区

会员中心

创作中心

发布

创作活动

完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD17575Q3 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD17575Q3 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)

描述

这款1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R _θJA = 45°C /W，这是在一块厚度为0.060英寸的FR4印刷电路板（ PCB）上的1平方英寸 2盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大R _θJC = 1.5°C /W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％

特性

低Q _g和Q _gd
低R _DS（上）
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线（SON）3.3mm×3.3mm塑料封装

应用

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
已针对同步场效应应晶体管（FET）应用进行优化

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD17575Q3
30
Single
3.2
2.3
240
23
5.4
SON3x3
20
1.4
182
60
Yes

技术文档

数据手册（1）

CSD17575Q3 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)

元器件购买 CSD17575Q3 相关库存

MOSFETs

型号：CSD17575Q3 封装：VSON-CLIP8

品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=108W VSON-CLIP8

金额：￥2.91460
去购买

相关阅读

电源管理相关文章

电源管理相关下载