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此12V，9.9mΩ，2.2mm×1.15mm LGA双路NexFET™功率MOSFET旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中由电池供电的应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD83325L | CSD85302L | CSD87313DMS | CSD87501L |
|---|---|---|---|
| 12 | 20 | 30 | 30 |
| Dual | Dual Common Drain | Dual Common Drain | Dual Common Drain |
| 5.9 | 24 | 5.5 | 5.5 |
| 3.9 | |||
| 52 | 37 | 72 | |
| 8.4 | 6 | 28 | 15 |
| 1.9 | 1.4 | 6 | 6 |
| LGA | LGA 1.35x1.35 | SON3x3 | LGA |
| 8.4 | 29 | 6.6 | |
| 10 | 10 | 10 | 20 |
| 0.95 | 0.9 | 0.9 | 1.8 |
| Yes | Yes | Yes | Yes |
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