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数据： CSD18537NKCS 60V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款11mΩ，60V TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18537NKCS |
|---|
| 60 |
| Single |
| 14 |
| 147 |
| 14 |
| 2.3 |
| TO-220 |
| 20 |
| 3 |
| 56 |
| 50 |
| No |
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