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数据： CSD17571Q2 30V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款30V，20mΩ，SON 2mm×2mm NexFET功率MOSFET用于以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17571Q2 | CSD13202Q2 | CSD17313Q2 | CSD17318Q2 |
|---|---|---|---|
| 30 | 12 | 30 | 30 |
| Single | Single | Single | Single |
| 29 | 9.3 | 32 | 16.9 |
| 24 | |||
| 39 | 76 | 20 | 68 |
| 2.4 | 5.1 | 2.1 | 6 |
| 0.6 | 0.76 | 0.4 | 1.3 |
| SON2x2 | SON2x2 | SON2x2 | SON2x2 |
| 9.1 | 20 | ||
| 20 | 8 | 10 | 10 |
| 1.6 | 0.8 | 1.3 | 0.9 |
| 25 | |||
| 22 | 22 | 5 | 22 |
| Yes | Yes | Yes | Yes |
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