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这些8位锁存器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。
8个锁存器是D型透明锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的逻辑电平。
缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于a正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了在总线组织系统中驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。
(OE)\不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。
为确保上电或断电期间的高阻态,(OE)\应绑定通过上拉电阻到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
| Technology Family |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Bits (#) |
| F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) |
| ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) |
| tpd @ Nom Voltage (Max) (ns) |
| Input Type |
| 3-State Output |
| IOL (Max) (mA) |
| Output Type |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| SN54ACT373 | SN74ACT373 |
|---|---|
| ACT | ACT |
| 4.5 | 4.5 |
| 5.5 | 5.5 |
| 8 | 8 |
| 90 | 90 |
| 0.04 | 0.04 |
| 11.5 | 11.5 |
| TTL | TTL |
| Yes | Yes |
| 24 | 24 |
| CMOS | CMOS |
| Military | Catalog |
| -55 to 125 | -40 to 85 |
| CDIP CFP LCCC | PDIP SO SOIC SSOP TSSOP |
| See datasheet (CDIP) See datasheet (CFP) 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) | See datasheet (PDIP) 20SO: 98 mm2: 7.8 x 12.6(SO) 20SOIC: 132 mm2: 10.3 x 12.8(SOIC) 20SSOP: 56 mm2: 7.8 x 7.2(SSOP) 20TSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(TSSOP) |
| 无样片 |