CMPA801B025的中英文资料

CMPA801B025  订货13632767652黄小姐微信同号

Cree’s CMPA801B025 is a gallium nitride (GaN) High Electron MobilityTransistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC).GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, includinghigher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higherthermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and widerbandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC is available ina 10-lead metal/ceramic flanged package (CMPA801B025F) or small formfactorpill package (CMPA801B025P) for optimal electrical and thermal performance.

CIEE的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率。

基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。

与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括

击穿电压越高，饱和电子漂移速度越高

热导率。GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的功率密度。

与Si和GaAs晶体管相比的带宽。此MMIC可供使用。

10引线金属/陶瓷法兰封装（CMPA801B025F）或小形状因数

药丸包装（CMPA801B025P），以获得最佳的电性能和热性能。