研究生新生，导师安排了一个和企业合作的永磁电机FOC驱动项目。希望选用H7或F4的某一款，除了基本的六路PWM，电压电流温度反馈保护等功能外，还希望支持Ethernet，CClink等现场总线通信
2024-03-22 07:18:08
有谁遇到过 cubemx 生成的F4 usb audio的代码，能枚举成功，但没有同步端点（OTG_FS）的情况吗？
有大佬指点一下吗？
2024-03-18 07:32:36
STM32F103使用ST-LINK Utility量产模式，选择开启RDP后，单片机Flash读写功能出现问题。但是在程序中开启RDP，同样的程序，Flash读写功能正常。
请教下这2种开启RDP方式的区别是什么？
2024-03-07 08:22:36
途。
单相电源应用广泛。例如，它适用于运行高达5hp的电机，它们可用于为非工业企业和家用电器提供充足的电力。
4.三相供电
那么，三相电源呢？如果您想将它们与单相进行比较并了解单相和三相发电机之间的区别
2024-03-01 09:28:47
数码管可以用于显示数字信息，一个七段数码管分别由a、b、c、d、e、f、g控制位和表示小数点的dp位段组成。实际是由8个LED灯组成的，控制每个LED的点亮或熄灭实现数字显示。通常数码管分别为共阳极
2024-02-29 09:01:47
工频逆变器和高频逆变器之间的区别是什么 工频逆变器和高频逆变器是两种不同类型的逆变器，其主要区别体现在以下几个方面。 一、工作频率不同 工频逆变器是指工作频率为50Hz或60Hz，与电网频率相同
2024-01-31 16:27:08
490 1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
齐纳管的两种不同的工作机制：齐纳击穿（低压下）和雪崩击穿（高压下），这两种击穿方式对齐纳管的反向电压电流以及齐纳管的寿命有什么影响和区别？
如果仅需齐纳管实现稳定的电压参考源，就无需关心具体电压
2024-01-26 23:28:52
推挽和互补放大电路的区别是什么？在晶体管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP电路中，上级电路的输入共同作用加在两个基极之间？假设是高电平，为什么上面晶体管导通，下面晶体管不导通？当下
2024-01-25 22:28:59
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
的变化。
1、当栅极电压未达到门槛电压时，漏源之间基本处于关断状态，即使漏源之间加上电压漏电流也很小。
2、当栅极电压达到门槛电压时，导电沟道开始出现，场效应管进入线性区，漏源之间电阻开始减小，此时漏源
2024-01-18 16:34:45
FLM5964-4F/001型号简介Sumitomo的FLM5964-4F/001是一种功率砷化镓场效应管，内部匹配标准通信频段，在50欧姆系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-20 10:19:33
9，按键 K2 控制第二个数码管，按一下数字加 1，显示从 0 到 9，类似的，按键 K3 控制第三个数码管，按键 K4 控制第四个数码管
依然使用官方提供的Demo，再次基础上学习实现功能。
1
2023-12-17 15:42:37
经常发现运放电源与输出之间加二极管，求解
2023-11-27 06:47:15
光伏、光电与光热三者之间的区别是什么？ 光伏、光电和光热是与太阳能有关的三个重要概念，它们都利用了太阳的能量，但在实际应用和原理方面存在一些差异。下面是一篇详尽、详实和细致的1500字文章，介绍
2023-11-21 16:15:341049 电机的极数什么意思？2极，4极，6极，8极的区别是什么？ 电机的极数指的是电机中磁极或绕组的数目。常见的电机极数有2极、4极、6极、8极等，不同的极数对电机的性能和应用有着重要影响。下面将详细介绍
2023-11-17 11:41:453444 动力电池和储能电池之间的区别是什么？ 动力电池和储能电池在用途、设计、性能以及技术特点等方面存在着显著的差异。本文将从这些方面进行详细解析，帮助读者全面了解和区分这两种类型的电池。 一、用途
2023-11-13 12:19:33876 arduino和单片机的区别是什么
2023-11-07 08:34:41
1.共阳极/共阴极数码管内部组成结构
2.设计共阴/共阳数码管驱动电路
3.数码管显示的字符与段选/位选之间的关系
共阴从左往右第三个数码管显示0
共阳从左往右第三个数码管显示0
0对应的段选就是
2023-11-06 11:06:42
TI的FAE给推荐了一款基于Arm Cortex R4F内核的MCU TMS570系列，不知道这个内核与ARM Cortex M4F内核有什么区别？只知道R系列内核实时性很强。
2023-11-06 07:13:19
要点亮数码管中 a、b、c、d、e、f、g、dp ）:
1.共阴极 LED 显示器字形码对应关系如下：
数字对应： 0x3f: 0； 0x06:1； 0x5b:2; 0x4f: 3；
0x66:4; 0x6d
2023-11-05 18:37:57
字段发光二极管的阳极为高电平时，相应字段就点亮。
2. Keil工程和过程截图
/**********
*实验名：LED显示器动态显示
*实验效果：在4位一体LED显示器左数第4位显示4，过1s，
*在左数
2023-11-04 23:53:28
RT1052号称跨界处理器
F7 与H7都是ST的产品。
他们都是M7的内核，为何差别会这么大
他们三者都有什么区别
2023-11-02 06:23:20
CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高电子迁移率晶体管CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
STM32的G4与F4有哪些区别
2023-09-25 07:38:25
stm32f030c6t6和f031c6t6有什么区别
2023-09-25 07:19:35
请问stm32f1系列自带dfu吗，我知道f4是自带的
2023-09-25 07:09:52
口等。该芯片的配置十分强悍，很多功能相对STM32F1来说进行了重大改进，比如FSMC的速度，F4刷屏速度可达3300W像素/秒，而F1的速度则只有500W左右。现在收集了一些原理图、PCB、源码以及文档手册分享给大家。
2023-09-22 07:06:30
f4的pwm管脚可以输出100MHz左右的频率吗，那么是不是可以做调频发射电路
2023-09-22 06:48:09
管是p型MOSFET。这两种管子的主要区别是导通时的极性。 本文将详细介绍使用NMOS和PMOS管的两级运放输入级之间的区别。 1.结构区别： 两级运放的输入级通常由一个差分放大器和一个共源共极放大器组成。在差分放大器中使用了两个输入MOS管，而共源共极放大器则使用一个单端输入MOS管。 对于两
2023-09-17 17:14:341950 产品系列概述
F1/F2/F4特征比较
突出显示的功能
引导和重映射功能
RTC校准和同步
复位和调节器功能
I2S新功能
F1至F2至F4端口导向器
2023-09-12 07:44:21
Keil Middleware版本6.0依赖于CMSIS驱动程序API 2.0。
您需要升级到STM32F2或F4 Device Family Pack(DFPS)版本2.x或更高版本。
这些DFP
2023-09-04 07:33:25
卫星通话和联网的区别是什么？ 卫星通话和联网虽然涉及到卫星技术，但是它们之间还是有很大的区别的。下面我们将从技术的角度来详细解释一下卫星通话和联网的区别。 一、卫星通话 卫星通话是指通过卫星传输
2023-08-30 17:27:0711227 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器，能处理多种波形
2023-08-26 15:40:57
差异。本文将详细介绍晶闸管和MOS管之间的区别。 一、结构 晶闸管由四个半导体层组成，分别是P型半导体，N型半导体，P型半导体和N型半导体。结构从外到内进行排列。与之相比，MOS管由三个半导体层组成：源极，漏极和栅极。其中栅极是一
2023-08-25 15:53:572470 晶闸管和晶体管区别是什么？ 晶闸管和晶体管都属于半导体器件的范畴，它们的出现都彻底改变了电子行业的发展。但是，晶闸管和晶体管之间存在着一些关键的区别，这些区别在分析它们的工作原理、特点、应用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶体管和mos管的区别是什么？ 晶体管（transistor）和MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半导体器件，它们
2023-08-25 15:29:314219 储能和氢能源的区别是什么？ 储能和氢能源是两种不同的能源技术，虽然它们都被认为是未来能源发展的方向，但是它们之间存在着很多区别。 储能技术是指将能量储存在储能设施中，以便在需要时释放出来。目前，常见
2023-08-22 17:06:511381 请问 Hbird-SDK、Nuclei-SDK和NucleiStudio这三者之间的关系和区别是什么啊？有没有谁包含谁了？
2023-08-12 08:08:18
CHKA012a99F 是一款 140W 氮化镓高电子迁移率晶体管。该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供通用宽带解决方案。它是在 SiC 衬底上采用 0.5μm 栅极长度 GaN HEMT
2023-08-10 10:50:22
200-W；4400 - 5000 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封装 GaN 晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封装晶体管，输入和输出端口完全匹配 50 欧姆
2023-08-08 10:35:45
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封装 GaN 晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封装晶体管，输入和输出端口完全匹配 50 欧姆
2023-08-08 10:25:26
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV37400F 非常适合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷达放大器应用。晶体管的输入匹
2023-08-07 17:27:44
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH31240F 非常适合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
120-W；2.9 - 3.8 GHz；50V；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 16:28:32
请问stm32F427IIH6和stm32f429iih6有哪些区别啊？
2023-08-07 11:17:29
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH21240F 非常适合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体
2023-08-07 09:34:30
晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH25120F 非常适合 2.3-2.7GHz WiMAX；LTE 和 BWA 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金
2023-08-07 09:18:04
迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH09120F 非常适合 MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
2023-08-07 09:13:02
有谁遇到过 cubemx 生成的F4 usb audio的代码，能枚举成功，但没有同步端点（OTG_FS）的情况吗？
有大佬指点一下吗？
2023-08-07 08:31:38
Cgh2760F成为甚高频、通信、3G、4G、LTE、2.3-9.9zWMAX和Bwa放大器的理想应用。无与伦比的晶体管由陶瓷/金属法兰封装提供。
2023-08-04 17:01:17
高效率;高增益和宽带宽能力;使Cgh40035F成为线性和压缩放大电路的理想。晶体管可在一个旋下法兰包中使用。 特点多达4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 10:16:16
高效率;高增益和宽带宽能力;使Cgh40035F成为线性和压缩放大电路的理想。晶体管可在一个旋下法兰包中使用。 特点多达4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 09:15:44
;
它们之间最大的区别是电流、电压和响应速度。
从某种意义上说，1N4007可以代替1N4148，只要响应速度不是太苛刻，1N4148注定只能用在弱电低电流感性负载上。
III.1N4148
2023-07-31 16:07:44
600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:07:08
003f4可以直接驱动3位数码管动态显示吗 还有003f4我用5V供电可以吗？有大佬麻烦帮我解答一下疑惑好不好，谢谢
2023-06-15 07:04:50
ZXTP2041F 产品简介DIODES 的 ZXTP2041F（PNP, 40V, 1A, SOT23）该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动
2023-06-12 17:28:12
ZXTP2027F 产品简介DIODES 的 ZXTP2027F（PNP, 60V, 4A, SOT23）先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率
2023-06-12 10:15:19
ZXTP2025F 产品简介DIODES 的 ZXTP2025F（PNP、50V、5A、SOT23）先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该
2023-06-12 10:06:02
ZXTN2040F 产品简介DIODES 的 ZXTN2040F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 产品简介DIODES 的 ZXTN2038F 该晶体管结合了高增益、高电流操作和低饱和电压，使其成为功率 MOSFET 栅极驱动和低损耗功率开关的理想选择
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 产品简介DIODES 的 ZXTN2031F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值
2023-06-07 22:58:24
ZXTN2020F 产品简介DIODES 的 ZXTN2020F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合
2023-06-07 21:17:56
请问模块有什么区别（除了一个LED二极管和对应的电阻）？
谢谢你！
2023-05-25 09:00:40
两者之间有什么区别。
想要确定部件号 FXPS7250A4S 末尾的“S”标记表示什么？另外，这部分的预计开发完成日期是什么时候？当原件过时时它会可用吗？
2023-05-17 06:38:43
n-mos管截止如果在s-d之间加上正向电压，体二极管会不会导通？
2023-05-16 14:30:44
在推挽电路中，三极管PNP的基极和发射集之间连了一个5V稳压二极管，这个稳压二极管起什么作用？
2023-04-28 14:37:18
、半导体放电管。
半导体放电管电压范围为6~800 V，通量为150A/250A/400A，用于中低浪涌保护。
陶瓷气体放电管，半导体放电管，玻璃气体放电管的参数区别：
1、通流量不同。
陶瓷气体
2023-04-27 11:54:23
有人可以帮我解决 TJA1044 和 TJA1049 之间的区别吗？
2023-04-17 08:09:07
有人可以说， UJA1169ATK/ X/F 和UJA1169ATK/ X/F Z之间是否有任何区别？如果我们同时使用这两种类型，我们是否会得到具有任何寄存器或功能的问题？不幸的是，我没有找到关于 UJA1169ATK/ X/FZ的任何信息
2023-04-11 08:04:03
下午好，我需要确认 (Freescale /NXP) 组件的两个选项之间的兼容性。第一版 MCHC11F1VFNE4 和第二版 MCHC11F1CFNE4。我知道差异是温度范围。但是合适的形式和功能会是一样的吗？对芯片进行闪存/编程怎么样，那也是一样的吗？两个版本之间。
2023-04-06 07:08:56
你能帮我找出S912ZVCA96AMLF和S912ZVCA96F0MLF之间的区别吗？我的客户想订购S912ZVCA96F0MLF，但我们只能找到S912ZVCA96AML。如果它们在功能上相同？
2023-04-04 08:55:21
双绕组变压器和三绕组变压器、三相变压器之间的区别是什么呢？求解答
2023-04-03 11:25:52
请教大神二极管的正向饱和电流Ior和Isc有什么区别吗？
2023-03-31 16:26:00
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
我不明白 mCAN、msCAN 和 FlexCAN 之间的区别是什么，或者为什么存在这么多不同版本的 can 外设。 是否有关于每个产品的文档？
2023-03-29 08:19:06
电子发烧友App
工商网监
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