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联电新推40nmSST嵌入式快闪记忆存储器制程

联华电子宣布，推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆，在以往55纳米单元尺寸减少20%以上，整体缩小了20～30%。东芝电子元件&存储产品公司赈灾评估这个微处理器芯片。

2018-01-04 标签：存储器联电 40nm工艺东芝电子 2991

三星投资60%部署NAND闪存业务预测将出现供大于求

根据2017年的存储器市场来看，价格的大幅度上涨，内存市场面临着激烈的竞争，市场供不应求的局面，致使三星计划将加大投入扩大芯片产能，但是外界人士认为内存厂商大规模的扩大芯片产能，将会带来供给过度的危机。

2018-01-03 标签：dram nand 三星电子 991

中韩存储器厂商欲扩产 2019年或将爆发半导体原料缺货危机

根据21017年存储器市场的需求来看，今年中韩存储器业将纷纷扩大存储器芯片产能，预定2018、2019 年投产。外界担忧，大规模的扩产将有可能导致2019 年半导体原料大缺货。

2018-01-03 标签：三星电子存储器清华紫光 1643

DRAM涨价趋势2018年将开始下滑恐将2年之久

2017年的DRAM价格受惠于数据中心需求，报价一路上扬，在第四季依然取得不俗的成绩。根据历史趋势来看，DRAM涨价趋势将会2018年开始下滑，最长恐将2年之久。

2018-01-03 标签：dram 三星电子苹果 1761

复旦大学成功研发光敏感性半导体内存

有新闻报道，复旦大学设计出了一种新型态基于原子级薄度的半导体设计出一种内存，透过二维过度金属材料创造出一种原子级薄度的半导体，不需要电力辅助用光线就能消除储存数据。

2018-01-02 标签：半导体内存 1131

三星电子/海力士夸大DRAM市场缺口纵容价格涨价

2017年内存缺货涨价已经是众所周知的事情，因为异常的市场涨价趋势，已经引起了发改委的调查，称内存涨价的背后将有可能涉嫌企业垄断。可有知情人士透露，内存会如此涨价是因为相关的供应商在联合炒货，实际缺口不算大，但市场缺货声此起彼伏。

2018-01-02 标签：dram 海力士三星电子 8771

旺宏NOR快闪存储器形塑超高省电应用与发展

随著半导体制程技术不断演进，芯片的晶体管的密集度屡创新高之际，同步也朝向更省电的发展推进，旺宏电子（Macronix）自推出业界最快的SPI NOR Flash系列存储器产品，以500MB/s传输速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快闪存储器系列产品，资料传输速度更一举突破250MHz而拔得头筹。

2018-01-02 标签：旺宏电子微控器快闪存储器 2292

WDC透过RISC-V加速大数据应用发展

未来将致力于透过RISC-V Foundation，引领以数据为中心的运算环境发展。RISC-V为规模弹性的开放运算架构，无论在关键的云端资料中心，或远程的行动系统，皆可促进大数据(Big Data)与快数据(Fast Data)应用多元化。

2017-12-30 标签：大数据西部数据 risc-v 1239

发起硬盘效能新革命希捷强推Multi Actuator技术

希捷推动了硬碟效能的新一轮革命，发表了Multi Actuator技术，可以让新世代硬碟提升双倍效能，可以享受硬碟最高效能的同时兼顾管理大量持续爆炸性增长的资料。

2017-12-29 标签：硬盘希捷 3044

华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存开始量产

近日华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台已经宣布量产，是在第一代的基础上实现了多方面的技术提升。目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。

2017-12-28 标签：华虹半导体嵌入式闪存 1870

紫光DDR4内存正在路上预计明年推向市场

回首过去一年的存储芯片市场，涨价永远都是关键词，一连7个季度的涨价，这是由于闪存、内存涨价有市场供需失衡的原因，中国在这个领域毫无发言权。紫光生产的DDR4内存让我们看到了国产DDR4量产的希望。韩企垄断的局面将被打破。

2017-12-28 标签：ddr4 紫光国芯 1750

芯片涨价被中国发改委监控调查是否存在价格操纵

一连7季度的芯片涨价透露了异常的市场起伏，现在中国发改委对芯片涨价事件异常关注，将会深入调查是否存在潜在价格操纵。

2017-12-28 标签：三星电子存储芯片 sk海力士 1952

传紫光将与SK海力士就闪存技术许可达成合作

网上有传闻紫光集团已经和SK海力士达成了合作，合作的内容是就芯片闪存技术许可相关事宜。不久紫光集团马上出来澄清，表示未与SK海力士进行任何事宜谈判或合作，纯属捕风捉影的市场传言。

2017-12-27 标签：闪存技术 sk海力士紫光集团 1184

东芝计划建第7座闪存工厂(Fab7),与三星、Intel一决...

据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。

2017-12-27 标签：东芝三星电子 intel sk海力士 2245

三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世进一步抢攻DRA...

三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。

2017-12-27 标签：dram 三星电子 10纳米工艺 1226

抢夺英特尔在芯片领域宝座三星称王

芯片领域英特尔占据25年来的霸主，这25年以来，鲜有可以与其比肩的对手。2017年的格局终于被打破，Intel丢掉了全球最大芯片厂商宝座，后继者是靠存储芯片飙升的三星。

2017-12-26 标签：英特尔三星电子存储芯片 1235

SSD市场出货量排名：金泰克夺魁，三星居八

最近SSD最新出货量的数据已经出炉，位居前五的分别是金泰克、台电、金士顿、七彩虹、影驰。其中三星落后在第八名。

2017-12-25 标签：三星电子台电 ssd 1979

Intel第三代1TB 3D闪存单Die将升级到512Gb

在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。

2017-12-25 标签：intel 3d闪存 3786

三星存储业务派狼将金奇南对战SK海力士 SK海力士如临大敌

三星的金奇南犹如一名狼将，金奇南的狼性展现在他的投资企图上，是一名难得的竞争对手。对于金奇南出任存储业务的CEO时，SK海力士如临大敌般的恐慌。

2017-12-25 标签：三星电子 sk海力士 1104

内存市场状况分析：2018年DRAM持续吃紧 NAND将供过...

近一年来了内存价格的起伏不定，准确的说是水涨船高，明年的市场状况又将迎来如何的转变。据悉明年上半年DRAM将持续吃紧、NAND恐供大于求。

2017-12-25 标签：dram nand 1654

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