复旦大学成功研发光敏感性半导体内存

有新闻报道，复旦大学设计出了一种新型态基于原子级薄度的半导体设计出一种内存，透过二维过度金属材料创造出一种原子级薄度的半导体，不需要电力辅助用光线就能消除储存数据。

近日有研究团队基于原子级薄度的半导体设计出一种内存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要电力辅助的情况下，用光线就能消除储存数据，团队认为这种新的内存在系统整合型面板（System on Panel）上， 具有十分大的应用潜力。

复旦大学和中国科学院微电子研究所的 Long-Fei He 及相关研究人员最近在新的应用物理学快报（AIP）期刊上发表了一个关于新型态内存的论文。

由于大多数现有的内存技术都太过笨重，无法整合应用在显示面板上，研究人员一直都在研究全新的设计和材料，试图制造出同样具有良好性能、却能超薄的储存设备。

在这项新的研究中，研究人员透过二维过度金属材料「二硫化钼」（MoS2）的应用，创造出一种原子级薄度的半导体，它的电导率（conductivity）可以被精细的调整，进而形成具有高开关电流比的内存基础组件。

除此之外，团队也在测试中证实，这类型内存具有运行速度快、大容量的内存空间和优异的保存性，研究人员估计，即使处在 85°C（185°F）的高温下 10 年，储存空间仍可以保存原有的 60% 左右，对于实际应用来说仍然足够。

过去已有研究证实二硫化钼具有光敏性（photoresponsive），这意味着一些性质可以运用光来控制，为了了解实际应用情况，团队也实际进行了相关实验，结果他们发现，当光线照射到已编程的存储设备上时，储存数据被完全消除， 但同时运用电压抹除信息的方式也仍然可以使用。

合着人 Hao Zhu 表示，团队目前正在研究透过编程可控的光脉冲波长和时间，来大规模整合这种储存组件。 研究人员相信未来这种储存设备，将会在系统整合型面板的应用上扮演重要角色。