希科半导体国产碳化硅外延片正式投产
来源：《半导体芯科技》杂志 12/1月刊
希科半导体（苏州）有限公司宣布碳化硅外延片投产。据悉，该产品通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，具备媲美国际大厂碳化硅外延片的品质，解决了国外产品的卡脖子问题，为我国碳化硅行业创下了一个新纪录。
希科半导体董事长兼总经理吕立平介绍，过去一年，公司购买的国产外延炉调试成功，完成了合格产品的生产，同时量测机台方面也在国内找到了相应的替代机型，填补了行业空白。目前公司已经实现了工艺设备、量测机台、关键原材料三位一体的国产化，彻底解决了碳化硅外延片产品生产的难题，真正做到了碳化硅外延片生产的供应链不再受制于国外。
希科半导体成立于2021年8月，是一家致力于发展第三代半导体碳化硅材料的高科技公司。作为苏州纳米城引入的第三代半导体重要项目，其团队拥有多年的碳化硅外延晶片开发
和量产制造经验，凭借业内最先进的外延工艺技术和最先进的测试表征设备，秉持质量第一诚信为本的理念为客户提供满足行业对低缺陷率和均匀性要求的6n型和p型掺杂外延晶片材料。希科半导体是国内最早从事碳化硅技术研发和产业化的企业，拥有多项发明专利和实用新型专利。
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31192浏览量
266321 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3538浏览量
52647
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立，当时掌握了行业领先的第三代半导体
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立，当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅
发表于 01-31 08:46
12英寸碳化硅外延片突破！外延设备同步交付
电子发烧友网综合报道 ， 短短两天内，中国第三代半导体产业接连迎来重磅突破。12月23日，厦门瀚天天成宣布成功开发全球首款12英寸高质量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛机电 便官宣其自主研发
SiC碳化硅MOSFET功率半导体销售培训手册：电源拓扑与解析
汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，代理并力推BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET功率模块，SiC模块驱动板等功率半导体
简单认识博世碳化硅功率半导体产品
博世为智能出行领域提供全面的碳化硅功率半导体产品组合，包括用于逆变器、车载充电器和直流/直流转换器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模块。这些解决方案已面向全球整车厂、一级供应商以及
固态变压器（SST）战略蓝图与硬件重构：国产碳化硅功率半导体的崛起之路
固态变压器（SST）战略蓝图与硬件重构：国产碳化硅功率半导体的崛起之路 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电
倾佳电子市场报告：国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破
倾佳电子市场报告：国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z在15kW混合逆变器中的应用为例 倾佳电子（Changer Tech）是
[新启航]碳化硅 TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料的代表，在功率器件、射频器件等领域发挥着关键作用。总厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅衬底及外延片
![[新启航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究
一、引言
碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性 。外延
从衬底到外延：碳化硅材料的层级跃迁与功能分化
碳化硅衬底和外延片是半导体产业链中的两个关键组件，尽管两者均由碳化硅材料构成，但在功能定位、制备工艺及应用场景等方面存在显著差异。以下是具体
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势，在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定，哪怕是在超过300℃的高温环境下，打破了
国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径
在Wolfspeed宣布破产的背景下，国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用
。其中，关断损耗（Eoff）作为衡量器件开关性能的重要指标，直接影响着系统的效率、发热和可靠性。本文将聚焦于基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探讨其技术优势及在电力电子领域的广泛应用。 倾佳电子杨茜致力于推动国产
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产
全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起
从Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起：国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落：技术霸权崩塌的深层逻辑 作为
基本半导体碳化硅（SiC）MOSFET低关断损耗（Eoff）特性的应用优势
BASiC基本股份半导体的碳化硅（SiC）MOSFET凭借其低关断损耗（Eoff）特性，在以下应用中展现出显著优势： 倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳
评论