解析博通HSD9 - B170平面表面贴装光电二极管 在电子设备不断发展的今天，光电二极管作为一种基础且关键的元件，广泛应用于各种领域。今天就来详细探讨博通公司推出的HSD9 - B170平面表面贴
2025-12-30 15:30:22
77 二极管正逐渐取代传统硅二极管，成为工程师的重要选择。一、为什么高频电源越来越依赖SiC肖特基二极管?与传统硅快恢复二极管相比，SiC肖特基二极管在物理材料层面就具
2025-12-29 10:05:21265 
LSIC2SD065D40CC是一款耐压650V，每路20A的碳化硅肖特基势垒二极管。它采用TO - 263 - 2L封装，这种封装形式在实际应用中较为常见，方便
2025-12-15 16:10:20273 、1200 V的碳化硅肖特基二极管NDSH40120CDN，包括其技术特点、性能参数、典型特性以及封装尺寸等方面，为电子工程师在电源设计中提供有价值的参考。
2025-12-05 10:52:49341 
作为电子工程师，我们在电源设计领域总是不断追求更高的效率、更快的频率和更小的体积。碳化硅（SiC）肖特基二极管的出现，为我们带来了新的解决方案。今天就来详细分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在电力电子领域，不断追求更高的效率、更快的开关速度和更小的系统尺寸，碳化硅（SiC）肖特基二极管正逐渐成为新一代功率半导体的首选。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二极管，了解其特点、性能参数以及应用场景。
2025-12-01 16:01:54189 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管正凭借其卓越性能逐渐成为主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH20120C - F155，深入探讨它的特性、参数和应用。
2025-12-01 15:55:06207 
在电源设计领域，器件的性能直接影响着整个系统的效率、可靠性和成本。今天，我们要深入探讨的是安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）肖特基二极管NDSH30120CDN，这款器件以其卓越的性能，为电源设计带来了全新的解决方案。
2025-12-01 15:44:46218 
在电子工程领域，功率半导体器件的性能对于整个系统的效率、可靠性和成本起着至关重要的作用。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH30120C-F155 碳化硅（SiC）肖特基二极管，看看它如何凭借先进的技术和出色的特性，为各类应用带来新的突破。
2025-12-01 15:40:35211 
在当今电子设备不断追求高性能、高可靠性和小型化的时代，功率半导体器件的性能提升至关重要。碳化硅（SiC）肖特基二极管作为新一代功率半导体，凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用领域的首选。今天，我们就来深入探讨 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二极管。
2025-11-28 14:15:39205 在电子电路设计中，肖特基二极管作为高频、低功耗应用的理想选择，其选型至关重要。德昌推出的SOD-123封装肖特基二极管系列，凭借其低正向压降、快速反向恢复时间和高可靠性，广泛应用于电源管理、高频
2025-11-25 16:55:43689 
三安（Sanan）所推出的 SDS120J020C2 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），凭借其出类拔萃的性能参数以及高度可靠的品质，正日益成为工业电源、汽车电子等高端应用市场的上佳之选。 一、 核心技术解析：为何选择碳化硅？ SDS120J020C2是一款基于
2025-11-17 10:44:06337 肖特基势垒二极管（SiC SBD），它凭借卓越的性能参数和前沿的技术特性，成为了工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等前沿应用领域的理想选择。 核心动力：深度解析关键性能参数 SDS120J010C3的设计旨在应对严苛的高压、大电流环境，其核心参数是其卓越性
2025-11-17 10:42:32182 Semiconductor）顺应时代潮流，推出了其第三代碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）的旗舰产品—— SDS065J020G3 。这款产品凭借其卓越的性能参数、前沿的技术特性和极具竞争力的市场策略，正成为工业电源、新能源等高端应用领域的理想选择。 核心技术优势
2025-11-12 17:04:23580 
的SDS065J004C3，正是这样一款面向未来需求的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），它凭借优异的性能，在工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等多个关键领域展现出强大的应用潜力。 核心参数解析：构建稳定高效的基础 SDS065J004C3的
2025-11-12 16:01:56240 SB10100L TO-277肖特基二极管，电流：10A 100V
2025-11-01 17:42:35
0 SS5200F SMAF肖特基二极管，电流：5A 200V
2025-11-01 17:12:010 SS56F SMAF肖特基二极管，电流：5A 60V
2025-11-01 16:32:030 SS54F SMAF肖特基二极管，电流：5A 40V
2025-11-01 16:25:040 SS3200F SMAF肖特基二极管，电流：3A 200V
2025-11-01 16:24:220 SS3150F SMAF肖特基二极管，电流：3A 150V
2025-11-01 16:23:460 SS310F SMAF肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-11-01 16:22:410 SS36F SMAF肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-11-01 16:18:170 SS34F SMAF肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-11-01 16:17:420 SS310FL SMAF正向低压降肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-11-01 16:17:040 SS36FL SMAF正向低压降肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-11-01 16:16:340 SS34FL SMAF正向低压降肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-11-01 16:15:320 SS210F SMAF肖特基二极管，电流：2A 100V
2025-10-31 17:36:361 SS16F SMAF肖特基二极管，电流：1A 60V
2025-10-31 15:36:470 SS14F SMAF肖特基二极管，电流：1A 40V
2025-10-30 18:07:040 SS12F SMAF肖特基二极管，电流：1A 20V
2025-10-30 17:55:030 SS310L SMA正向低压降肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-10-30 16:22:150 SS36L SMA正向低压降肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-10-30 16:14:220 SS34L SMA正向低压降肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-10-29 18:09:360 SS5150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 150V
2025-10-29 16:47:550 SS54 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 40V
2025-10-28 17:52:220 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 20V
2025-10-28 17:49:040 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 200V
2025-10-28 17:22:260 SS3150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 150V
2025-10-28 16:51:540 SS36 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-10-28 16:46:280 SS310 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-10-28 16:44:420 SS34 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-10-28 16:43:510 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 20V
2025-10-28 16:41:370 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 150V
2025-10-24 18:21:440 二极管。尽管如此，设计人员仍需要进一步提升器件效率。 利用碳化硅器件实现这一目标有两种途径：一是降低漏电流，二是减少因热阻引起的损耗。尽管实现这些目标具有挑战性，但合并引脚肖特基 (MPS) 二极管提供了一种解决方案。MPS 器件还能提高肖特基二极管的浪涌电流性能。 本文将介绍 S
2025-10-01 15:18:301748 
： 在普通PN结二极管中，电流导通需要克服P区和N区接触形成的内建电势差（势垒）。硅材料PN结的这个势垒高度通常在0.7V左右，因此需要大约0.7V的电压才能让二极管开始显著导通（开启电压）。 肖特基二极管是金属（如钼、钛、铂）与N型半导体直接接
2025-09-22 16:40:132422 
肖特基二极管凭借低正向导通压降（V_F）与短反向恢复时间（t_rr），成为降低电路功耗的关键器件。 星海SSxx系列肖特基二极管技术解析：四大封装的参数特性与场景适配。 该系列采用N型外延硅衬底与高
2025-09-17 14:21:332325 由此可知，肖特基二极管和整流二极管是互补的二极管。肖特基凭借其超低正向压降和超快开关速度在低压、高频、高效率领域占据主导地位。整流二极管则凭借其高反向电压、低反向漏电流和低成本在高压和工频整流应用中
2025-08-22 17:14:101540 
等。
PFR20200CT 封装：TO-220AB
PFR20200CTF 封装：TO-220F
PFR20200CTI 封装：TO-262
PFR20200CTB 封装 ：T0-263
PFR20200CTF肖特基二极管TO-220F封装200V20A 产品供应
2025-08-20 14:53:50
第三代半导体碳化硅功率器件领军企业森国科推出的碳化硅二极管 KS10065（650V/10A），针对不同场景的散热、空间及绝缘要求，提供7种封装形态，灵活覆盖车规、工业电源、消费电子三大领域。通过
2025-08-16 15:55:442377 
新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200VCoolSiC1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装，可实现高效紧凑设计，具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证，电流等级高达
2025-08-07 17:06:13833 
新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半桥模块带EC8二极管通过EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半桥模块实现可再生能源转换效率最大化，助力脱碳进程产品型号
2025-08-04 18:10:291907 在功率电子领域，碳化硅(SiC)技术正逐步取代传统硅基器件。作为宽禁带半导体的代表，SiC二极管凭借其物理特性在多方面实现了性能突破。宽禁带半导体材料碳禁带宽度(SiC：3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:571245 
电子发烧友网为你提供()低电容高压肖特基二极管相关产品参数、数据手册，更有低电容高压肖特基二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，低电容高压肖特基二极管真值表，低电容高压肖特基二极管管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-18 18:34:21
电子发烧友网为你提供()表面贴装混频器/检测器肖特基二极管相关产品参数、数据手册，更有表面贴装混频器/检测器肖特基二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，表面贴装混频器/检测器肖特基二极管真值表，表面贴装混频器/检测器肖特基二极管管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-17 18:32:15
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2025-07-17 18:31:22
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2025-07-17 18:30:54
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2025-07-17 18:29:59
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2025-07-15 18:32:18
近日，知名半导体公司恩智浦(NXP)宣布推出两款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些新产品的推出旨在满足日益增长的工业电源应用需求，特别是在超低功率损耗整流方面。这一创新不仅将
2025-07-15 09:58:39918 
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2025-07-14 18:33:30
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2025-07-14 18:33:02
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912 Wolfspeed 推出新型顶部散热（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管 优化热管理并节约能耗 Wolfspeed 正在扩展其行业领先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管分立
2025-07-09 10:50:321361 
肖特基二极管
结构：金属和半导体的“夹心饼干”
肖特基二极管的结构超级简单，就两层：
金属层：比如用金、银、铝等（常用的是铂或钨）。
半导体层（N型）：比如硅，里面掺了杂质，多出一堆自由电子。
这俩
2025-06-12 14:15:12
碳化硅逆变焊机输出整流应用的革新之选：国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析 引言：碳化硅技术引领焊机高效化浪潮 随着电力电子技术向高频化、高效化迈进，碳化硅（SiC
2025-05-23 06:07:53539 
、工业控制等领域。作为国内分立器件的领军企业，合科泰电子通过材料创新与工艺优化，将肖特基二极管的性能推向新高度。
2025-05-20 10:48:571085 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合，推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管
2025-05-12 16:06:34897 PI的超快速Qspeed H系列二极管现可达到650V以及高达30A的电压电流额定值。这些高功率器件具有业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)。它们是碳化硅(SiC)二极管的理想替代品，可提供与其相当的效率和电压降额性能，同时具有硅二极管的价格优势和供应保证。
2025-03-27 13:46:55862 
新品CoolSiC肖特基二极管G510-80A2000V，TO-247-2封装CoolSiC肖特基二极管10-80A2000VG5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统
2025-03-25 17:04:241009 使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
、开关二极管、快速恢复二极管等；接构类型来分，又可分为半导体结型二极管，金属半导体接触二极管等；按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例，介绍不同种类二极管的特性。
2025-03-08 16:39:09
的封装首先我们的清楚二极管的类型有一下几种1、普通二极管2、快恢复二极管3、超快恢复二极管4、肖特基二极管优缺点:1、普通二极管的特性都是单一导通，是一个用 P
2025-03-04 14:02:490 P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性，正向电压具有
2025-02-28 18:21:04899 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15811 
SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-220-2 封装 超快速开关 零反向恢复电流 高频运行 正向
2025-02-28 17:21:08850 
碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 超快速开关 TO-252-2 封装 零反向恢复电流 高频运行 正向电压具有正温度系数 高浪涌电
2025-02-28 17:12:48792 
器件能力的企业之所以面临被淘汰的风险，主要源于以下多维度原因： 1. 碳化硅二极管技术门槛低导致市场同质化与价格战 碳化硅二极管（如肖特基二极管）技术相对成熟，结构简单，进入门槛较低。国内众多企业涌入这一领域，导致产能过剩
2025-02-28 10:34:31752 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 超快速开关 TO-263-2 封装 零反向恢复电流 高频运行 正向电压具有正温度系
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06713 
/DC转换器等，满足多种电子设备的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度
2025-02-27 17:32:44805 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf
2025-02-27 17:11:28674 
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
、正向电压正温度系数、高浪涌电流、全隔离封装便于直接散热以及 100% UIS 测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合
2025-02-26 17:25:48806 
的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流
2025-02-26 17:07:13727 
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频
2025-02-26 16:54:52783 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压
2025-02-25 18:13:42813 
：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作
2025-02-25 17:44:07772 
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特点 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压具有正
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15791 
在电力电子和开关电源设计中，快恢复二极管和肖特基二极管是两类高频应用中的核心器件。尽管两者均用于整流和开关场景，但其工作原理、性能特点及适用场景存在显著差异。一、结构差异快恢复二极管（FRD）结构
2025-02-24 15:37:561812 
电子发烧友网站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二极管在TO247 R2P应用.pdf》资料免费下载
2025-02-14 15:21:320 电子发烧友网站提供《PSC1065H-Q SiC肖特基二极管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-14 15:11:340 电子发烧友网站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二极管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-12 16:09:580 电子发烧友网站提供《RB751V45通用肖特基二极管规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-09 11:47:130 为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管 在科技政策与法规的推动下，半导体行业正经历一场深刻的变革。随着对高效能、低能耗电子设备需求的不断增长，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051085 
肖特基二极管(Schottky diode)， 肖特基二极管的物理结构基于金属- N 型半导体结，因而具有很低的正向压降和极快的开关速度。
2025-01-24 15:54:441146 
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